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[发明专利]基于盖帽层和背势垒层的双异质结HEMT器件及其制备方法-CN202111007261.2在审
发明人：李鑫 -专利权人：瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于盖帽层和背势垒层的双异质结HEMT器件及其制备方法，包括：在第一衬底上进行离子注入，形成第二衬底；在第二衬底上形成键合中间层，并将β‑Ga2O3转印到键合中间层上，形成异质结衬底；在异质结衬底的上表面生长缓冲层；在缓冲层的上表面形成背势垒层；在背势垒层的上表面依次生长次势垒层、第一掺杂层、第一异质结层、量子阱层、第二异质结层、第二掺杂层以及主势垒层；在主势垒层的上表面两侧进行离子注入，形成源极欧姆接触区以及漏极欧姆接触区；形成源极、漏极；在主势垒层的两侧生长盖帽层；在盖帽层以及主势垒层的上表面生长氧化层，并在氧化层的上表面生长介质层；在介质层上形成栅极；在介质层的上表面生长钝化层。
基于盖帽背势垒层双异质结 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种电池的盖帽组件及一种锂电池-CN201110073233.0有效
发明人：车国勇;王晕 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2011-03-25 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01M2/04 文献下载
摘要：本发明提供一种电池的盖帽组件，包括：电连接组件以及设于电连接组件外侧的密封圈，所述电连接组件包括依次电连接的防爆板、PTC和上帽；所述上帽、PTC、防爆板依次层叠置于密封圈中，所述防爆板的边缘向上翻边包裹所述PTC和上帽，上帽与防爆板之间还设置有绝缘圈；其中，所述PTC包括PTC本体及设于PTC本体上、下表面的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层与所述上帽相焊接，所述第二金属层与所述防爆板相焊接。另外，本发明还提供了一种采用上述盖帽组件的锂电池。本发明的盖帽组件在电池的长期使用过程中，阻抗值不会发生飘移或升高。
一种电池盖帽组件锂电池

[发明专利]一种冷暖两用式床垫-CN202011127646.8有效
发明人：裴海波 -专利权人：上海龙凤软家具有限公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： A47C27/08 文献下载
摘要：本申请涉及一种冷暖两用式床垫，属于床垫领域，其包括床垫本体，床垫本体包括软质层和硬质层，软质层上沿床垫本体长度方向开设有安装槽，安装槽内设置有气囊，气囊上设置有出水端口，出水端口连接在软质层的侧壁上，气囊上设置有用于开闭出水端口的盖帽用户在夏季使用床垫时，通过将气囊上出水端口上盖帽开启，即可向气囊中注水，在气囊注满水后，将盖帽盖上，将出水端口关闭，用户躺在床上时，由气囊中凉水对人体起到降温作用，并且选择性向气囊内注水，以使得床垫本体上不同区域获得降温效果
一种冷暖两用床垫

[发明专利]一种具有吸氧钛盖帽层的砷化镓MOS器件及其制备方法-CN201010511487.1无效
发明人：谭葛明;王鹏飞;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有吸氧钛盖帽层的砷化镓MOS器件。在砷化镓（GaAs）衬底表面生长一层很薄的金属钛（Ti）盖帽层，Ti对氧原子具有很强的吸附能力，可以分解GaAs衬底表面的自然氧化物和界面附近的低k界面层，从而可以抑制低k界面层的形成，降低界面态密度，
一种具有吸氧盖帽砷化镓 mos 器件及其制备方法

[发明专利]兼容CMOS工艺的体声波谐振器及其制造方法-CN202010314202.9有效
发明人：吴明;唐兆云;杨清华;赖志国;王家友 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10N39/00 文献下载
摘要：一种兼容CMOS工艺的体声波谐振器及其制造方法，该谐振器包括：压电膜阵列，包括在衬底与盖帽层之间的多个压电膜，垂直方向上相邻压电膜之间、压电膜与盖帽层之间以及压电膜与衬底之间具有多个第一空腔，水平第一方向上相邻压电膜之间具有共用的第二空腔，水平第二方向上相邻压电膜之间具有共用的第三空腔；多个电极层，至少覆盖每个压电膜的顶面和底面；多个电极互连层，沿第三空腔侧面连接压电膜底面的电极层；驱动晶体管位于盖帽层中，漏极电连接顶部压电膜的顶部电极层；驱动晶体管的源极和漏极上具有欧姆接触层。
兼容 cmos 工艺声波谐振器及其制造方法

[发明专利]堆栈式体声波谐振器及其制造方法-CN202010314204.8有效
发明人：吴明;唐兆云;杨清华;赖志国;王家友 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：一种堆栈式体声波谐振器及其制造方法，包括压电膜阵列，包括在衬底与盖帽层之间的多个压电膜，垂直方向上相邻压电膜之间、压电膜与盖帽层之间以及压电膜与衬底之间具有多个第一空腔，水平的第一方向上相邻压电膜之间具有共用的第二空腔，水平的第二方向上相邻压电膜之间具有共用的第三空腔；多个电极层，至少覆盖每个压电膜的顶面和底面；多个电极互连层，沿第三空腔侧面连接压电膜底面的电极层；驱动晶体管，位于盖帽层中，驱动晶体管的漏极电连接顶部压电膜的顶部电极层本发明的堆栈式BAW谐振器及其制造方法，采用CMOS兼容工艺制造了多个空腔包围压电膜的立体谐振器，并利用再布线层将多个芯片接合在一起，减小了体积、增加了集成度，降低了成本。
堆栈声波谐振器及其制造方法

[发明专利]一种基于声光耦合效应的光声波陀螺仪及其加工方法-CN201810140314.X有效
发明人：夏敦柱;黄泠潮;赵立业 -专利权人：东南大学
申请日： 2018-02-11 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G01C19/5698 文献下载
摘要：本发明公开一种基于声光耦合效应的光声波陀螺仪及其加工方法，光声波陀螺仪包括SOI主体结构、硅盖帽、谐振子、金属电极和光通路；SOI主体结构与硅盖帽键合，SOI主体结构包括SOI衬底和SOI器件层，SOI衬底设在SOI器件层下方；SOI器件层顶面中心部设有圆槽，谐振子为圆盘状，设在圆槽中心，金属电极均匀分布在谐振子外周，光通路均匀分布在相邻两金属电极之间；硅盖帽下表面对应谐振子位置设有凹槽；硅盖帽上设有与金属电极数量相等的电极通孔
一种基于声光耦合效应声波陀螺仪及其加工方法

[实用新型]一种圆柱形锂电池-CN201620093802.6有效
发明人：张伦文;张武林 -专利权人：福建猛狮新能源科技有限公司
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01M2/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种圆柱形锂电池，包括有圆柱形外壳，其底部设有底部绝缘片，其顶部设有构成正极端的盖帽；盖帽的下方沿着圆柱形外壳的轴向上依次设置有安全阀和顶部绝缘片；圆柱形外壳内部构成电池容纳空间，其中心沿着圆柱形外壳的轴向上设置有芯轴；芯轴两侧均堆叠有蓄电层；蓄电层与底部绝缘片之间分布有负极极耳，蓄电层与盖帽之间分布有正极极耳；正极极耳上分布有第一断电防爆组件，盖帽与圆柱形外壳顶部之间分布有第二断电防爆组件；所述第一防爆组件、第二防爆组件为螺纹电磁阀
一种圆柱形锂电池

[实用新型]一种固态锂电池封装结构-CN202022802020.4有效
发明人：邓汉凤 -专利权人：邓汉凤
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01M50/124 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种固态锂电池封装结构，包括固态锂电池主体，所述固态锂电池主体内设有电极芯，且电极芯外侧依次设有负极、高分子隔膜和正极，所述固态锂电池主体上设有外壳体，且外壳体两端分别卡合有正极盖帽和负极垫片，所述外壳体内侧粘合有第一缓冲层，且第一缓冲层内设有限位筒，并且限位筒内侧设有第二缓冲层，所述外壳体靠近正极盖帽的一侧开设有凹槽，且外壳体的凹槽内卡合有压条。该固态锂电池封装结构在固态锂电池的内部设置了多层缓冲结构，可以有效的对固态锂电池的内部进行保护，同时正极盖帽与外壳体之间加设了压条，通过压条进行挤压固定，使正极盖帽不易被拆卸下来，让固态锂电池得到保护。
一种固态锂电池封装结构

[实用新型]一种锂电池盖帽及锂电池-CN202022496488.5有效
发明人：杜江伟 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01M50/593 文献下载
摘要：本实用新型属于电池技术领域，公开了一种锂电池盖帽及锂电池，包括密封圈，密封圈内依次设置有钢帽、防爆片与连接片，连接片包括本体与环形结构，防爆片设置有凸出部，凸出部位于环形结构围成的容纳腔内，凸出部与本体通过CID焊点连接，环形结构的外表面和/或防爆片与环形结构接触的表面具有绝缘层。现有的锂电池盖帽采用隔离圈来阻隔防爆片与连接片，但是隔离圈在高温下容易发生变形。该锂电池盖帽通过设于连接片和/或防爆片上的绝缘层来代替隔离圈。绝缘层采用耐热材料，以保证其在高温环境下的隔绝效果。另外，取消隔离圈能够减少锂电池盖帽零部件的数量，使组装步骤更加简便，降低产品的不合格率。
一种锂电池盖帽

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置-CN201711407718.2有效
发明人：刘震宇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的源漏区形成有凹槽；在所述凹槽中形成嵌入式硅锗层；在所述嵌入式硅锗层上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成盖帽层。根据本发明提供的半导体器件的制作方法，通过在嵌入式硅锗层和盖帽层之间形成缓冲层，以避免随着温度升高锗原子气化导致嵌入式硅锗层中的锗含量降低，从而保证半导体器件的性能稳定，提高产品良率。
一种半导体器件及其制作方法电子装置

[发明专利]InGaAs/InP HBT中亚微米发射极的湿法腐蚀方法-CN200810104227.5无效
发明人：金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-04-16 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种InGaAs/InP HBT中亚微米发射极的湿法腐蚀方法，包括：A.选择合适的发射极InGaAs盖帽层厚度的HBT外延片；B.在该外延片上旋涂光刻胶；C.光刻、显影，制作发射极的图形；D.蒸发发射极金属；E.在有机溶液中剥离金属；F.用磷酸基的腐蚀液腐蚀InGaAs盖帽层；G.用盐酸基的腐蚀液腐蚀发射极InP层。本发明利用发射极InGaAs盖帽层的厚度来控制发射极的侧向腐蚀，InGaAs层的厚度由MBE等外延生长设备进行控制，精度非常高，因此侧向腐蚀的可控性好。
ingaas inp hbt 中亚微米发射极湿法腐蚀方法

[实用新型]一种瓷双伞形绝缘子-CN201220116325.2有效
发明人：肖嵘;郑旭 -专利权人：上海市电力公司;华东电力试验研究院有限公司
申请日： 2012-03-23 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01B17/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种瓷双伞形绝缘子，该绝缘子表面设有防覆冰材料层，绝缘子包括接线支承座、一体化设置在支承座上的盖帽和伞裙，所述的盖帽设置在接线支承座下方，所述的伞裙设置在盖帽下方，所述的接线支承座上设有接线孔
一种伞形绝缘子

[实用新型]红外热成像光机模组封装结构-CN201920200886.2有效
发明人：钱剑;潘峰;姜利军 -专利权人：浙江大立科技股份有限公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种红外热成像光机模组封装结构，包括：底座；盖帽，所述盖帽顶部具有一开口，所述开口上方覆盖有镜片，所述盖帽、镜片与底座形成真空腔体；红外探测器芯片，位于所述真空腔体内贴合于底座的表面；吸气剂层
红外热成像封装结构光机模组盖帽底座真空腔镜片开口体内红外探测器芯片本实用新型尺寸减小底座表面吸气剂层真空腔体贴合焊接镜头覆盖

[实用新型]塑料润滑盖帽-CN200620010992.7无效
发明人：李强 -专利权人：李强
申请日： 2006-10-20 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： F16B41/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种塑料润滑盖帽，其塑料螺母的一端固定有密封盖帽，另一端连接有丝母护罩，密封盖帽的外表面上覆设有反光层。
塑料润滑盖帽