专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]阵列基板、显示装置以及阵列基板的制造方法-CN201410800496.0有效
  • 郭建 - 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
  • 2014-12-19 - 2015-03-25 - H01L21/77
  • 本发明的阵列基板、显示装置以及阵列基板的制造方法,其中阵列基板的制造方法包括沉积像素电极层以及漏电层;对漏电层对应于像素电极区域的漏电层进行干法刻蚀,暴露出像素电极,形成电极漏电电极以及漏电位于像素电极的上方阵列基板包括:栅绝缘层以及有源层上的像素电极;形成于像素电极上方的电极以及漏电;像素电极的材料是氧化铟锌,电极漏电漏电层刻蚀形成,漏电层的像素电极区域被干法刻蚀暴露形成像素电极。本发明的技术方案,像素电极位于电极以及漏电的下方,对漏电层的像素电极区域的漏电层进行干法刻蚀,保证像素电极层不被腐蚀。
  • 阵列显示装置以及制造方法
  • [发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板和显示设备-CN201410334150.6有效
  • 张锋;曹占锋;姚琪 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2014-07-14 - 2017-07-14 - H01L29/786
  • 本发明公开了一种薄膜晶体管,包括有源层、刻蚀阻挡层、电极漏电电极包括第一电极和第二电极漏电包括第一漏电和第二漏电,第一电极和第一漏电设置于有源层上方;刻蚀阻挡层设置于第一电极和第一漏电上方;第二电极和第二漏电设置于刻蚀阻挡层上方,第一电极与第二电极电连接,第一漏电与第二漏电电连接,第一电极、第一漏电与刻蚀阻挡层部分重叠;电极漏电通过有源层连接。本发明薄膜晶体管的沟道长度小,从而提高了薄膜晶体管的开启电流,同时本发明还改善了漏电与有源层的欧姆接触问题,提高了薄膜晶体管的稳定性。
  • 一种薄膜晶体管及其制备方法显示设备
  • [发明专利]薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制造薄膜晶体管的方法-CN201780000933.2有效
  • 刘威 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2017-08-31 - 2022-06-10 - H01L29/786
  • 所述薄膜晶体管包括:彼此间隔分开的第一电极(20)和第一漏电(30);有源层(10),所述有源层(10)位于所述第一电极(20)和所述第一漏电(30)上,并且具有位于所述第一电极(20)与所述第一漏电(30)之间的通道部(1)、与所述第一电极(20)电连接的电极接触部(2a),以及与所述第一漏电(30)电连接的漏电接触部(3a);第二电极(21),所述第二电极(21)位于所述电极接触部(2a)的远离所述第一电极(20)的一侧,并且与所述第一电极(20)电连接;以及第二漏电(31),所述第二漏电(31)位于所述漏电接触部(3a)的远离所述第一漏电(30)的一侧,并且与所述第一漏电
  • 薄膜晶体管阵列显示装置制造方法
  • [发明专利]显示装置及制造该显示装置的方法-CN201811418169.3有效
  • 金弘锡 - 乐金显示有限公司
  • 2018-11-26 - 2023-04-18 - H01L27/12
  • 该显示装置包括:基板;和基板上的晶体管,晶体管包括:半导体层,半导体层设置在基板上;栅极绝缘图案,栅极绝缘图案设置在半导体层上;多个栅电极,多个栅电极设置在栅极绝缘图案上;以及与栅极绝缘图案间隔开的电极漏电漏电,其中电极与半导体层的顶表面接触,漏电电极相邻,多个栅电极中的一个栅电极电极漏电之间,并且漏电漏电相邻,多个栅电极中的另一个栅电极漏电漏电之间
  • 显示装置制造方法
  • [发明专利]金属堆叠漏电场效应管及其制作方法-CN201811438044.7有效
  • 曾荣周;周细凤 - 湖南工业大学
  • 2018-11-27 - 2022-03-11 - H01L29/417
  • 本发明公开了一种金属堆叠漏电场效应管的制作方法,包括以下步骤:在衬底上形成沟道材料层;在沟道材料层上光刻定义漏电区域;在漏电区域依次沉积第一金属层、第二金属层、第三金属层;腐蚀漏电区域的第二金属层内侧,形成侧向凹陷形状的漏电;在沟道材料层上光刻定义栅电极区域;在栅电极区域沉积栅介质;在栅介质上沉积栅金属,形成栅电极。本发明先形成三层金属堆叠的漏电,再腐蚀第二层金属,形成侧向凹陷的漏电漏电侧向凹陷的程度不会改变连接电阻的大小,并且只用一次沉积工艺就形成了足够厚的漏电金属且实现了自对准。本发明还公开了一种金属堆叠漏电场效应管。
  • 金属堆叠漏电场效应及其制作方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200680036407.3有效
  • 本田达也 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2006-10-03 - 2008-10-01 - H01L29/786
  • 本发明的目的在于通过减小半导体膜与电极和连线的接触电阻,提高半导体膜和电极或连线的覆盖率,得到性能提高的半导体器件。本发明涉及半导体器件,包括:衬底上方的栅电极,栅电极上方的栅绝缘膜,栅绝缘膜上方的第一漏电,第一漏电上方的岛状半导体膜,第一漏电和岛状半导体膜上方的第二漏电。此外,第二漏电与第一漏电接触,岛状半导体膜夹在第一漏电和第二漏电之间。此外,本发明涉及半导体器件的制造方法。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]一种基于挠曲电效应和光电效应增强的MESFET器件-CN202310463021.6在审
  • 张春利;吴俊杰;陈伟球 - 浙江大学
  • 2023-04-26 - 2023-07-21 - G01R19/00
  • 本发明公开了一种基于挠曲电效应和光电效应增强的MESFET器件;该器件包括激光光源、硅基底、绝缘层、金属栅电极、二维半导体层、第一漏电和第二漏电。绝缘层设置在硅基底上;金属栅电极和二维半导体层设置在绝缘层上,且二维半导体层覆盖金属栅电极。第一漏电和第二漏电设置在二维半导体层上,且分别位于金属栅电极的相反侧。激光光源朝向二维半导体层。第一漏电和第二漏电均包括电极主体。第一漏电和/或第二漏电电极主体上设置有多个下压针尖。下压针尖的尖端朝向二维半导体层。本发明利用挠曲电场的作用下,MESFET器件的漏电流更容易达到饱和,增大了MESFET器件漏电流的驱动能力。
  • 一种基于挠曲效应光电效应增强mesfet器件

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