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[实用新型]一种磁控和脉冲激光共沉积装置-CN200920101609.2有效
发明人：刘保亭;李晓红;赵庆勋;郭庆林;王英龙 -专利权人：河北大学
申请日： 2009-02-23 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型提供一种磁控和脉冲激光共沉积装置，其特征在于：在一个真空腔体中设置有磁控溅射靶材和脉冲激光沉积靶材和一个共用的样品台，样品台上固定沉积基片，真空腔体上开设石英窗，真空腔体外设置有用于脉冲激光沉积的激光器；磁控溅射靶材的调位机构；脉冲激光沉积靶材的转动控制机构和样品台的转动控制机构。本实用新型可以在同一套物理气相沉积系统中同时进行磁控溅射和脉冲激光沉积，充分发挥磁控溅射和脉冲激光沉积各自的优势，利用磁控溅射生长纳米薄膜结构，且在其生长的过程中利用脉冲激光沉积共溅射出一些零维或一维的纳米结构
一种脉冲激光沉积装置

[发明专利]脉冲激光沉积设备的镀膜控制方法、系统及脉冲激光沉积设备-CN201810677440.9在审
发明人：张晓军;罗敏;胡凯;陈志强;方安安;姜鹭;潘恒;王岩;王峻岭 -专利权人：深圳市矩阵多元科技有限公司
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜材料制造技术领域，公开了一种脉冲激光沉积设备的镀膜控制方法、系统及脉冲激光沉积设备。所述脉冲激光沉积设备的镀膜控制方法，包括：在脉冲激光束进行镀膜时，实时采集真空腔内的辉羽图像；分析实时采集的辉羽图像中的聚焦光斑亮度数据、辉羽形状数据和激光光斑在靶材上的位置数据；将分析出的聚焦光斑亮度数据、辉羽形状数据和激光光斑在靶材上的位置数据与对应预设的标准数据进行匹配；以及根据匹配结果判断脉冲激光沉积设备的镀膜过程是否正常。本发明准确、方便快捷地实现了脉冲激光沉积设备镀膜过程的实时监控控制，提升了脉冲激光沉积设备镀膜的工作效率和稳定性。
脉冲激光沉积设备镀膜控制镀膜过程激光光斑聚焦光斑亮度数据实时采集位置数据形状数据靶材镀膜图像脉冲激光束薄膜材料标准数据工作效率匹配结果实时监控真空腔预设匹配分析制造

[实用新型]脉冲激光沉积设备的水冷循环装置及脉冲激光沉积系统-CN201821036025.7有效
发明人：代瑞娜;张晓军;胡凯;陈志强;方安安;姜鹭;潘恒;王岩;王峻岭 -专利权人：深圳市矩阵多元科技有限公司
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及薄膜材料加工技术领域，公开了一种脉冲激光沉积设备的水冷循环装置及脉冲激光沉积系统。所述脉冲激光沉积设备的水冷循环装置，包括设置在脉冲激光沉积设备外壳上的第一水冷管以及水冷机，所述第一水冷管的端口与所述水冷机的第一端口密封连接，所述水冷机用于向所述第一水冷管循环输出水冷液。本实用新型的技术方案，使脉冲激光沉积设备的外壳及真空仓可持续降温，避免了薄膜被杂质污染和被氧化，提升了脉冲激光沉积设备薄膜制备的质量、重复性和稳定性。
脉冲激光沉积设备水冷循环装置水冷管水冷机脉冲激光沉积系统本实用新型加工技术领域薄膜材料薄膜制备端口密封杂质污染真空仓水冷薄膜输出

[发明专利]一种在线测量PLD薄膜化学计量比及各成分质量的装置-CN201310113758.1有效
发明人：丁洪斌;吴兴伟;李聪;张辰飞 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： G01N5/02 文献下载
摘要：本发明涉及脉冲激光沉积镀膜领域，公开了一种在线测量PLD薄膜化学计量比及各成分质量的装置，包括：脉冲沉积(PLD)镀膜系统，激光诱导击穿光谱（LIBS）测量系统，石英晶体微天平（QCM）测量系统。本发明基于脉冲激光沉积镀膜技术、激光诱导击穿光谱技术、石英晶体微天平测膜厚技术，能实时原位在线测量脉冲激光沉积镀膜薄膜化学计量比及各成分质量，且不会对镀膜过程有干扰，并且搭建简单，易于操作；适用于脉冲激光沉积镀膜领域
一种在线测量 pld 薄膜化学计量比及成分质量装置

[实用新型]一种在线测量PLD薄膜化学计量比及各成分质量的装置-CN201320161843.0有效
发明人：丁洪斌;吴兴伟;李聪;张辰飞 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： G01N5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及脉冲激光沉积镀膜领域，公开了一种在线测量PLD薄膜化学计量比及各成分质量的装置，包括：脉冲沉积(PLD)镀膜系统，激光诱导击穿光谱（LIBS）测量系统，石英晶体微天平（QCM）测量系统。本实用新型基于脉冲激光沉积镀膜技术、激光诱导击穿光谱技术、石英晶体微天平测膜厚技术，能实时原位在线测量脉冲激光沉积镀膜薄膜化学计量比及各成分质量，且不会对镀膜过程有干扰，并且搭建简单，易于操作；适用于脉冲激光沉积镀膜领域
一种在线测量 pld 薄膜化学计量比及成分质量装置

[发明专利]P型半导体氧化锌薄膜,其制备方法,和使用透明基片的脉冲激光沉积方法-CN201010212424.6无效
发明人：刘冰;胡振东;车勇;上原譲 -专利权人： IMRA美国公司
申请日： 2007-03-13 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：披露了用于生成所述薄膜的脉冲激光沉积方法。还披露了使用透明基片的脉冲激光沉积方法，它包括脉冲激光源，在脉冲激光波长下透明的基片，以及多靶系统。脉冲激光的光程是这样设置的，使得脉冲激光从基片的背面入射，穿过基片，然后聚焦在靶上。通过向着靶平移基片，这种几何设置能够利用烧蚀羽流的根部沉积小结构，它在通过三维绝热膨胀加宽羽流的角宽度前，可以沿靶表面法线存在于一维过渡阶段。这可以提供小的沉积结构尺寸，该尺寸可以类似于激光焦斑的尺寸，并且提供一种用于直接沉积图案化材料的新方法。
半导体氧化锌薄膜制备方法使用透明脉冲激光沉积

[发明专利]P型半导体氧化锌薄膜,其制备方法,和使用透明基片的脉冲激光沉积方法-CN200710086483.1无效
发明人：刘冰;胡振东;车勇;上原譲 -专利权人： IMRA美国公司
申请日： 2007-03-13 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：披露了用于生成所述薄膜的脉冲激光沉积方法。还披露了使用透明基片的脉冲激光沉积方法，它包括脉冲激光源，在脉冲激光波长下透明的基片，以及多靶系统。脉冲激光的光程是这样设置的，使得脉冲激光从基片的背面入射，穿过基片，然后聚焦在靶上。通过向着靶平移基片，这种几何设置能够利用烧蚀羽流的根部沉积小结构，它在通过三维绝热膨胀加宽羽流的角宽度前，可以沿靶表面法线存在于一维过渡阶段。这可以提供小的沉积结构尺寸，该尺寸可以类似于激光焦斑的尺寸，并且提供一种用于直接沉积图案化材料的新方法。
半导体氧化锌薄膜制备方法使用透明脉冲激光沉积

[发明专利]一种等离子光栅脉冲激光沉积镀膜方法-CN202210851047.3在审
发明人：曾和平;胡梦云;施沈城;乔蔚 -专利权人：重庆华谱科学仪器有限公司;上海朗研光电科技有限公司;云南华谱量子材料有限公司;重庆华谱量子科技有限公司;华东师范大学;华东师范大学重庆研究院
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明涉及镀膜技术领域，公开了一种等离子光栅脉冲激光沉积镀膜方法，包括如下步骤；步骤一、将基片和靶材料置于真空腔内；步骤二、打开飞秒激光器产生飞秒脉冲激光，飞秒脉冲激光经过分束模块分束后，形成多束飞秒脉冲激光；步骤三、其中一束作飞秒脉冲激光作为预脉冲经过聚焦之后进入真空腔，对靶材料进行激发形成等离子体；步骤四、余下的多束飞秒脉冲激光作为后脉冲经过延时同步模块调整同步后，聚焦形成光丝，在预脉冲激发形成的等离子体中形成等离子体光栅；步骤五、形成的等离子体光栅对靶材料进行二次激发形成等离子体，等离子体达到基片后进行沉积形成膜结构。本发明改善了脉冲激光沉积技术的多个缺点，提高了生产效率和薄膜质量。
一种等离子光栅脉冲激光沉积镀膜方法

[发明专利]一种脉冲激光沉积系统-CN201110006928.7无效
发明人：胡居广;刁雄辉;林晓东;李启文;钟健;施苇;刘毅;龙井华 -专利权人：深圳大学
申请日： 2011-01-13 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明适用于激光技术领域，提供了一种脉冲激光沉积系统，所述脉冲激光沉积系统包括用于产生脉冲激光的激光器、使所述脉冲激光投射于靶材的振镜、将所述脉冲激光聚焦于所述靶材的聚焦镜、驱动所述振镜振动的振镜转轴、驱动所述靶材旋转的靶材转轴以及驱动基片旋转的基片转轴，所述振镜倾斜设置于所述振镜转轴，所述振镜转轴与投射于所述振镜的脉冲激光束共线，称为同轴振镜；所述靶材转轴和基片转轴不共线。本发明采用同轴振镜扫描，各脉冲激光于振镜上的入射角相同，反射率不变，经振镜反射后的能量一致；振镜振动过程中各脉冲激光于靶材上的光斑大小相同，因而产生羽辉的成份、能量及其角度分布一致，沉积薄膜的均匀性佳。
一种脉冲激光沉积系统

[发明专利]一种脉冲激光单粒子效应试验等效LET计算方法-CN202010982765.5有效
发明人：安恒;王鹢;李得天;张晨光;文轩;杨生胜;秦晓刚;曹洲;常思远 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种脉冲激光单粒子效应试验等效LET计算方法。该计算方法依据脉冲激光与重离子在器件敏感体积内沉积的电荷量相等时，脉冲激光和重离子对器件引起的单粒子效应是等效的，计算脉冲激光入射器件产生的沉积电荷QL，通过脉冲激光试验获得器件的敏感深度z，则脉冲激光等效LET为：LETL[MeV·cm2/mg]＝(Ep/ρ)×本申请实现脉冲激光与重离子对器件单粒子效应辐射危害的等效评价，进一步扩展脉冲激光在卫星抗辐射加固技术方面的应用。
一种脉冲激光粒子效应试验等效 let 计算方法

[发明专利]一种短脉冲激光沉积薄膜的制备方法-CN201911097734.5有效
发明人：李楠;陈波;李培源;夏洋;卢维尔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种短脉冲激光沉积薄膜的制备方法，通过对衬底进行预处理，将所述预处理后的所述衬底放入短脉冲激光沉积的腔室内；将所述腔室抽真空，旋转所述衬底，对所述衬底加热至第一温度；采用挡板隔离靶材，打开短脉冲激光器激发预热第一时间；向所述腔室内通入工艺气体，待所述腔室内气压与所述短脉冲激光器的温度稳定后，打开靶材旋转装置，将所述靶材挡板打开，打开辅助激光源预热所述靶材第二时间；根据所述短脉冲激光器发射短脉冲激光聚焦于所述靶材表面，激发产生等离子体在所述衬底上沉积获得薄膜，进而达到了有效改善薄膜均匀性，减少薄膜中的杂质颗粒，提高沉积速率和薄膜质量的技术效果。
一种脉冲激光沉积薄膜制备方法

[实用新型]一种脉冲激光沉积系统-CN201120009949.X无效
发明人：胡居广;刁雄辉;林晓东;李启文;钟健;施苇;刘毅;龙井华 -专利权人：深圳大学
申请日： 2011-01-13 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本实用新型适用于激光技术领域，提供了一种脉冲激光沉积系统，所述脉冲激光沉积系统包括用于产生脉冲激光的激光器、使所述脉冲激光投射于靶材的振镜、将所述脉冲激光聚焦于所述靶材的聚焦镜、驱动所述振镜振动的振镜转轴、驱动所述靶材旋转的靶材转轴以及驱动基片旋转的基片转轴，所述振镜倾斜设置于所述振镜转轴，所述振镜转轴与投射于所述振镜的脉冲激光束共线，称为同轴振镜；所述靶材转轴和基片转轴不共线。本实用新型采用同轴振镜扫描，各脉冲激光于振镜上的入射角相同，反射率不变，经振镜反射后的能量一致；振镜振动过程中各脉冲激光于靶材上的光斑大小相同，因而产生羽辉的成份、能量及其角度分布一致，沉积薄膜的均匀性佳
一种脉冲激光沉积系统

[实用新型]激光光刻辅助电化学沉积制备微织构装置-CN201220171657.0有效
发明人：杨海峰;刘磊;郝敬斌;朱华 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2012-04-23 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： C25D5/00 文献下载
摘要：一种激光光刻辅助电化学沉积制备微织构装置，包括脉冲激光光刻系统和电化学沉积装置，激光光刻系统由脉冲激光模块、光路传输模块和三维移动模块依次顺序连接；脉冲激光模块由脉冲激光器和控制器组成。采用脉冲激光光刻技术对预先旋涂了光刻胶的金属材料表面进行光刻，然后浸入显影液中除去曝光的光刻胶，继而采用电化学沉积技术对材料表面进行复合镀层的可控电沉积，最后再清除未被曝光的光刻胶，在金属材料表面得到带有规则微观织构的表面复合镀层结合激光光刻加工技术与电化学沉积技术，实现材料表面减摩抗磨性能的最大化。
激光光刻辅助电化学沉积制备微织构装置

[发明专利]强磁场辅助脉冲激光沉积系统-CN201410033519.X有效
发明人：戴建明;张科军;邹键;刘亲壮;盛志高;朱雪斌;吴文彬;孙玉平 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种强磁场辅助脉冲激光沉积系统，包括脉冲激光器、脉冲激光沉积柱状真空室，脉冲激光沉积柱状真空室包括带水冷却的双层夹套柱状腔，双层夹套柱状腔置入超导磁体的镗孔内；双层夹套柱状腔的一侧法兰盘装有基片加热台或激光加热台及其转动机构，双层夹套柱状腔的另一侧法兰盘装有靶组件及其移动/转动机构，基片加热台或者激光加热台和靶组件处于超导磁体的强磁场中部；脉冲激光沉积柱状真空室整体设于滑动导轨上，一侧法兰盘上还安装有密闭的激光导入腔和真空密封的视频装置导入腔本发明制造成本低、结构合理、装配与操作简便、工作稳定可靠，可用于强磁场下的脉冲激光沉积薄膜原位生长和后退火热处理，实现对材料微结构和物性的调控作用。
磁场辅助脉冲激光沉积系统

[发明专利]高熵合金薄膜材料及其制备方法-CN201811350484.7在审
发明人：廖卫兵;王峥;卢添伟;陈福发;黎佩威;廖凯雯;刘正洋 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种CoCrFeNiAl0.3高熵合金薄膜材料及其制备方法，该方法包括：清洗待处理的样品硅基片，将清洗好的样品基片放置在脉冲激光沉积设备的基片加热装置上；将高熵合金靶材固定在脉冲激光沉积设备的靶材旋转电机上；对脉冲激光沉积设备的真空室进行抽真空处理，使其真空度达到预设真空值；设置脉冲激光沉积设备的镀膜实验参数，并对样品基片进行脉冲激光预溅射处理；以及根据所述镀膜实验参数对所述样品基片进行镀高熵合金薄膜处理
高熵合金脉冲激光沉积设备制备薄膜材料样品基片实验参数靶材镀膜清洗基片加热装置抽真空处理零部件表面薄膜处理工业应用工艺简化脉冲激光使用寿命旋转电机耐磨性硅基片预溅射真空室均一预设薄膜

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