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[发明专利]非易失性可重构晶体管及制造方法-CN202210121720.8在审
发明人：李黄龙;杨逸飞 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本申请提供了一种非易失性可重构晶体管，包括栅电极，其上表面覆盖有绝缘层；绝缘层远离栅电极的表面内形成有沟道层、含碲源电极及含碲漏电极，含碲源电极及含碲漏电极位于沟道层的相对两侧且均与沟道层电连接；其中，通过在含碲源电极与含碲漏电极之间施加预设时间的预设激励电信号，使含碲源电极及含碲漏电极中的碲原子在电场作用下发生迁移，改变沟道层的极性，以使晶体管极性重构。上述非易失性可重构晶体管中，通过设置含碲源电极与含碲漏电极，在源电极与漏电极之间施加预设激励电信号时，使沟道层极性发生改变，且在撤去激励电信号时，沟道层仍然能够稳定的维持极性不变，从而实现晶体管在极性重构过程中的非易失特性
非易失性可重构晶体管制造方法

[发明专利]一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置-CN201510254665.X在审
发明人：刘翔 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-05-18 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置，由于在有源层与源漏电极之间设置有刻蚀阻挡层，该刻蚀阻挡层在与源漏电极接触的区域为金属或金属合金，以保证不用设置过孔就可以使源漏电极与有源层之间电连接；并且，通过氧化工艺将位于源电极与漏电极所在的区域之间的刻蚀阻挡层氧化为绝缘材料，保证当薄膜晶体管处于截止状态时源漏电极间是绝缘的，从而保证了薄膜晶体管可以正常工作。正是由于在上述薄膜晶体管中，在有源层与源漏电极之间设置有刻蚀阻挡层，因此刻蚀阻挡层不仅可以避免刻蚀源漏电极时对有源层造成破坏，并且可以防止有源层不受后续工艺的影响，例如水、氢、氧等对有源层产生影响，从而提升薄膜晶体管的性能
一种薄膜晶体管制备方法阵列显示装置

[发明专利]一种高性能底栅底接触聚合物场效应晶体管的制备方法-CN202210299035.4在审
发明人：徐勇;饶锦航;高相林;严宇;戴晓菡;窦存花;陈泉桦;陈子龙;于志浩;孙华斌;吴洁 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能底栅底接触聚合物场效应晶体管的制备方法，所述的晶体管器件包括：衬底、绝缘层、半导体层和源漏电极，所述的制备方法首先以蒸镀的方式在绝缘层上方蒸镀形成源漏电极，继而通过旋涂的方式在其上方形成半导体层；当选用IDT‑BT作为有源半导体层时，源漏电极的厚度为20‑30nm，当选用DPPT‑TT作为有源半导体层时，源漏电极的厚度为40‑50nm。本发明的发明人经过大量实验，发现通过固定半导体层的厚度，并调整源漏电极的厚度，会影响底栅底接触聚合物场效应晶体管的性能，发明人通过使用蒸镀仪蒸镀了不同厚度的源漏电极，在将不同电极厚度下器件的性能参数对比之后，发现了源漏电极的最佳厚度，此时能获得电学性能最优的有机薄膜晶体管器件。
一种性能底栅底接触聚合物场效应晶体管制备方法

[实用新型]一种薄膜晶体管的结构-CN201220124813.8有效
发明人：吕建国;张杰;李喜峰;叶志镇;张焱;吴萍 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型的薄膜晶体管结构，自下而上依次有栅极、绝缘层、有源层、在有源层上覆盖有相隔的源电极和漏电极，栅极为“n”型形状，器件沟道的宽度等于“n”型底边的边宽，沟道处源电极和漏电极的宽度大于“n”型底边的宽度，器件沟道的长度等于源电极和漏电极之间相隔的距离。本实用新型的薄膜晶体管结构，由于采用“n”型形状的栅极，由“n”型底边的边宽来界定器件沟道的宽度，栅极和源、漏电极图案通过两步光刻完成，克服了由光刻源、漏电极图案同时控制沟道长度和宽度的工艺难度，有利于提高器件成品率
一种薄膜晶体管结构

[发明专利]液晶显示器-CN201710541226.6有效
发明人：李起昌;金容照;金喆浩;梁健祐;梁志薰;李庸羽 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：该液晶显示器包括：在第一方向上延伸的栅极线；从栅极线突出的栅电极；设置在栅电极上的栅极绝缘层；设置在栅极绝缘层上同时与栅电极绝缘的有源层；设置在有源层上并且在第二方向上延伸的数据线；从数据线突出的源电极，具有在平面上与栅电极重叠的一部分，并且包括彼此分离的多个源电极分支；与源电极分离的漏电极，并且包括多个漏电极分支，以及连接多个漏电极分支的漏电极连接部分，每个漏电极分支设置在多个源电极分支中的两个之间；限定像素区域的像素电极；设置在像素电极上的液晶层。
液晶显示器

[发明专利]一种TFT基板及显示装置-CN201810055652.3在审
发明人：徐琳;黄秀颀;袁波;王鑫楠;黄根茂;袁春芳 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请公开了一种TFT基板及显示装置，TFT基板包括：基板，以及设置在所述基板上的有源层、栅绝缘层、栅电极层、层间介质层和源漏电极层，其中，相对于所述栅绝缘层的中部，所述栅绝缘层在靠近所述源漏电极层的位置设有第一凸起通过改变靠近源漏电极层的栅绝缘层的厚度，从而改变该区域有源层的电场分布，进而使在靠近源漏电极层的有源层沟道处的感生载流子数量下降，起到降低漏电流的作用。
栅绝缘层源层源漏电极层漏电极层显示装置靠近源基板载流子层间介质层电场分布栅电极层沟道处漏电流感生凸起申请

[发明专利]基于碳纳米管的三端记忆晶体管及其制备方法和使用方法-CN202210880092.1在审
发明人：张国和;宫晨蓉;刘佳;俞宙;陈琳 -专利权人：西安交通大学;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供一种基于碳纳米管的三端记忆晶体管及其制备方法和使用方法，包括衬底，衬底上设置有半导体沟道，半导体沟道上设置有源电极和漏电极，在源电极和漏电极上及半导体沟道位于源电极和漏电极之间的区域设置有电介质层，电介质层上设置有栅电极；源电极远离半导体沟道的一侧面及漏电极远离半导体沟道的一侧面全部被电介质层覆盖，所述源电极和漏电极通过半导体沟道相连接；所述半导体沟道的材料为半导体型碳纳米管。
基于纳米记忆晶体管及其制备方法使用方法

[发明专利]显示装置和显示装置的制造方法-CN202211320875.0在审
发明人：李濬九;郭惠珍;金阿荣;金载益;朴正善;朴熙敏;李娟和;黄圭焕 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10K59/121 文献下载
摘要：该显示装置包括：基底；半导体层，在基底上；源电极和漏电极，在半导体层上；辅助电极，与源电极和漏电极在同一层；第一电极，与源电极或漏电极电连接；发光元件层，在第一电极上；以及第二电极，在发光元件层上，并且辅助电极包括位于辅助电极内部的至少一个凹槽
显示装置制造方法

[发明专利]有机发光晶体管及包含此的显示装置-CN201310367397.3在审
发明人：金基栖 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-08-21 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：有机发光晶体管包含：基板；有机半导体层，布置于所述基板上；源电极和漏电极，与所述有机半导体层接触且相互隔开而布置；栅电极，与所述有机半导体层、源电极及漏电极形成绝缘，且被布置为与所述有机半导体层叠置；以及辅助电极，与所述源电极或所述漏电极叠置。
有机发光晶体管包含显示装置

[发明专利]用于石墨烯MOSFET的氮化物栅极电介质-CN201280013918.9有效
发明人： P·阿沃里斯;D·A·诺伊迈尔;朱文娟 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：一种半导体结构，其包括：衬底；所述衬底上的石墨烯层；所述石墨烯层上的源电极和漏电极，所述源电极与所述漏电极分开预定尺寸；所述石墨烯层上的氮化物层，其位于所述源电极与所述漏电极之间；以及所述氮化物层上的栅电极，其中所述氮化物层为用于所述栅电极的栅极电介质。
用于石墨 mosfet 氮化物栅极电介质

[发明专利]薄膜晶体管阵列、图像显示装置以及薄膜晶体管阵列的制造方法-CN201680015974.4有效
发明人：石崎守 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：薄膜晶体管阵列具备：绝缘基板；栅极绝缘膜；栅电极、与栅电极连接的栅极布线、电容器电极、以及与电容器电极连接的电容器布线；在与栅电极、栅极布线、电容器电极、电容器布线之间夹着栅极绝缘膜的源电极、与源电极连接的源极布线、漏电极、以及与漏电极连接的像素电极，像素电极隔着栅极绝缘膜与电容器电极重叠而具备存储电容，源电极和漏电极隔着栅极绝缘膜与栅电极重叠，在源电极和漏电极之间具有半导体层，在电容器布线的中途具有电阻。
薄膜晶体管阵列图像显示装置以及制造方法

[发明专利]基于n-GaN栅的p沟道GaN基异质结场效应晶体管-CN202110129625.8在审
发明人：张苇杭;刘茜;张进成;张金风;付李煜;赵胜雷;黄韧;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于n‑GaN栅的p沟道GaN基异质结场效应晶体管，自下而上包括：衬底、缓冲层、势垒层以及p‑GaN层；其中，p‑GaN层的上表面两侧设有源电极和漏电极，p‑GaN层的上表面中间刻有栅槽；栅槽被n‑GaN材料填充；n‑GaN材料高出栅槽，高出部分分别向源电极和漏电极所在方向延伸，且不与源电极、漏电极相接触；n‑GaN材料的上表面设有栅电极；p‑GaN层、n‑GaN材料、源电极、漏电极以及栅电极的上表面均覆盖有钝化层；该场效应晶体管还包括：穿过钝化层分别与源电极、漏电极以及栅电极相接的互连金属。本发明能够调控器件阈值电压，改善p沟道增强型GaN器件的功率损耗和泄漏电流。
基于 gan 沟道基异质结场效应晶体管

[发明专利]显示面板制作方法及显示面板-CN202011137602.3在审
发明人：郑智琳;唐甲 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本申请提供一种显示面板制作方法及显示面板，所述显示面板制作方法提出在制作显示面板的源漏电极时，首先形成覆盖显示区和边缘区的双层导电层，然后通过对双层导电层的两次连续刻蚀操作，形成具有双层导电层的源漏电极和具有单层导电层的边缘电极；所述源漏电极的双层导电层结构提高了其导电性；同时，所述显示面板制作方法将所述边缘电极的制作工艺与所述源漏电极的制作工艺结合，通过同一道沉积、刻蚀工艺同时制作所述边缘电极和所述源漏电极，省去了单独制作边缘电极的操作
显示面板制作方法

[发明专利]薄膜晶体管及包括其的有机发光显示装置及液晶显示装置-CN201510844004.2在审
发明人：梁伸赫;金恩贤;金兑映 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：薄膜晶体管包括布置在衬底上的栅电极、与栅电极重叠的沟道、电连接至沟道的源电极、以及电连接至沟道并且与源电极相隔开的漏电极。沟道包括与源电极和漏电极接触的第一沟道层、以及布置在第一沟道层上并且与源电极和漏电极相隔开的第二沟道层。
薄膜晶体管包括有机发光显示装置液晶

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法-CN201710359347.9有效
发明人：曾勉;陈书志 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的薄膜晶体管，设置在基板上，其包括漏电极、源电极、栅电极和有源层，漏电极和源电极均呈梳齿状，漏电极和源电极分别通过第一过孔和第二过孔与有源层连接。这种设置，能够使得漏电极和源电极之间的沟道的宽度增大，同时减少了薄膜晶体管的布局尺寸，达到了节省空间的目的。当将其应用在GOA电路或其他电路时，有利于实现窄边框显示面板的设计。
薄膜晶体管及其制作方法