“源漏电极”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1109543个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种集存算一体的全铁电场效应晶体管-CN201910706362.5有效
发明人：江安全;柴晓杰;汪超;江钧;张焱 -专利权人：复旦大学
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种集存算一体的全铁电场效应晶体管，包括基底、源电极、漏电极、栅电极和铁电凸块，所述源电极和漏电极通过铁电凸块相隔离地设置于基底上，栅电极和源电极、漏电极隔离设置，所述基底由具有畴壁导电特性的铁电材料制成
一种集存算一体电场效应晶体管

[发明专利]有机薄膜晶体管阵列面板及其制备方法-CN200610131728.3无效
发明人：金保成;金奎植;慎重汉;洪雯杓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机薄膜晶体管阵列面板及其制备方法，该阵列面板包含基板、置于基板上的第一信号线、与第一信号线交叉的第二信号线、连接到第一信号线的源电极、与源电极分离的漏电极、连接到源电极和漏电极的有机半导体部件、连接到漏电极的像素电极、以及置于像素电极上并具有光致排列的钝化层。
有机薄膜晶体管阵列面板及其制备方法

[发明专利]一种TFT阵列结构及其制造方法-CN200910055777.7无效
发明人：赵本刚;袁剑峰;李雄平;马小军;时伟强 -专利权人：上海天马微电子有限公司
申请日： 2009-07-31 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明揭露了一种TFT阵列结构及其制造方法，所述TFT阵列结构包括：基板；形成于基板上的栅电极扫描线和与所述栅电极扫描线一体的栅电极；形成于栅电极上的栅电极绝缘层；形成于栅电极绝缘层上的半导体有源层；形成于栅电极绝缘层上的数据线、漏电极、与所述数据线一体的源电极，其中漏电极和源电极部分搭接到所述半导体有源层上；形成于栅电极绝缘层上的公共电极；形成于数据线、漏电极、源电极和公共电极上的钝化层，并在漏电极上形成钝化层过孔；形成于钝化层上的像素电极，并通过所述漏电极上的钝化层过孔与所述漏电极相连；其中，公共电极至少部分采用透明材料。
一种 tft 阵列结构及其制造方法

[发明专利]基于导电纳米带电极的微纳单晶场效应晶体管及制备方法-CN201310218714.5有效
发明人：童艳红;汤庆鑫;蔡彬;裴腾飞;程娇 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2013-06-04 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于导电纳米带电极的微纳单晶场效应晶体管，由作为栅极的衬底、位于衬底上的绝缘层，位于绝缘层上的源电极和漏电极，源漏电极之间的半导体微纳单晶组成，其特征在于：源电极和漏电极之间放置有一半导体微纳单晶材料，与源电极和漏电极形成连接结构，在连接结构两端的源电极和漏电极分别与半导体微纳单晶材料的两端相连，形成良好接触，两电极间的半导体微纳单晶的长度为3~30μm。其采用导电纳米带作为微纳器件的电极，一方面克服了微纳单晶场效应晶体管在电极制备过程中所产生的污染、辐射损伤等缺点，减小了器件的漏电流，增加了器件工作的可靠性和稳定性，另一方面也有利于微纳器件在未来向小型化和集成化的方向发展
基于导电纳米电极微纳单晶场效应晶体管制备方法

[发明专利]化合物半导体装置-CN201110055876.2有效
发明人：多木俊裕;冈本直哉 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2006-09-20 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种化合物半导体装置，其具有：基板；半导体层叠结构，其包括形成在所述基板上方的由氮化物半导体构成的载流子传输层；形成于所述半导体层叠结构上方的栅电极、源电极和漏电极；绝缘膜，其位于所述半导体层叠结构上方，且形成在栅电极与源电极之间、以及栅电极与漏电极之间；所述绝缘膜中的、形成在栅电极与源电极之间、以及栅电极与漏电极之间的开口；以及填入所述开口的氧化铝膜。
化合物半导体装置

[发明专利]薄膜晶体管、其制造方法和包括其的电子设备-CN201810126979.5有效
发明人：咸硕圭;朴正一;尹英俊;金周永;李容旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管包括在半导体层上的栅电极、在半导体层与栅电极之间的第一绝缘层、在栅电极上的第二绝缘层、以及在半导体层上的源电极和漏电极。栅电极包括第一部分和邻近于第一部分的第二部分。源电极和漏电极在半导体层上并布置为使得栅电极的第一部分位于源电极与漏电极之间。源电极和漏电极分别穿过第一绝缘层和第二绝缘层电连接到半导体层。源电极与漏电极之间的空间大于第一部分的宽度。
薄膜晶体管制造方法包括电子设备

[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法-CN201710338749.0有效
发明人：金成虎;许宗茂 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：所述有机发光二极管显示器包括基底、半导体、栅电极、被连接到半导体的第一部分的源电极、被连接到半导体的第二部分的漏电极、以及被连接到漏电极的像素电极。源电极、漏电极和像素电极中的每个包括屏障金属层、低电阻金属层、金属氧化物层、以及被设置在低电阻金属层与金属氧化物层之间的接触辅助层。源电极、漏电极和像素电极各自具有台阶形状。
有机发光二极管显示器及其制造方法

[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置-CN201210153007.8有效
发明人：成军;刘晓娣 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述氧化物薄膜晶体管，包括基板、源电极、漏电极、活化层和钝化层；所述源电极、所述漏电极、所述活化层和所述钝化层设置于所述基板上；所述源电极和所述漏电极之间的区域是沟道区域；所述钝化层至少在所述沟道区域与所述活化层直接接触本发明避免了在制作氧化物薄膜晶体管的过程中刻蚀阻挡层对氧化物薄膜晶体管的活化层，或者漏电极和源电极造成的危害。
氧化物薄膜晶体管及其制作方法阵列显示装置

[发明专利]电平位移器和具有电平位移器的显示装置-CN200610090045.8有效
发明人：朴泰炯;文国哲;金一坤;金喆镐;孟昊奭;金京勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-06-22 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：在电平位移器中，第一晶体管包括：栅电极，用于接收第一驱动电压；以及源电极，通过输入端接收输入信号。第二晶体管包括：漏电极，用于接收第一驱动电压；以及源电极，通过第一节点电连接到第一晶体管的漏电极。第三晶体管包括：源电极，用于接收第二驱动电压；漏电极，通过第二节点电连接到第二晶体管的栅电极；以及栅电极，用于接收输入信号。第四晶体管包括：漏电极，用于接收第一驱动电压；栅电极，通过第一节点电连接到第一晶体管的漏电极；以及源电极，通过第二节点电连接到第三晶体管的漏电极。
电平位移具有显示装置

[发明专利]液晶显示器-CN202010264139.2在审
发明人：全映宰;姜信宅;金秀仁;朴周用;李基郑;郑松叶 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：该液晶显示器包括：栅极线；数据线，与栅极线交叉；第一电压线，与栅极线分隔开；第二电压线；第一晶体管，包括连接到栅极线的第一栅电极、连接到数据线的第一源电极以及第一漏电极；第二晶体管，包括连接到栅极线的第二栅电极、连接到数据线的第二源电极以及第二漏电极；第三晶体管，包括连接到第一电压线的第三栅电极、连接到第二漏电极的第三源电极以及连接到第二电压线的第三漏电极；第一液晶电容器，连接到第一晶体管的第一漏电极；以及第二液晶电容器，连接到第二晶体管的第二漏电极。
液晶显示器

[发明专利]一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置-CN201510749700.5在审
发明人：辛龙宝 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，在形成有源层之后，在形成源电极和漏电极之前，还在有源层上形成相对设置的第一初始欧姆接触层和第二初始欧姆接触层，且第一初始欧姆接触层和第二初始欧姆接触层的材料均为氧化物材料，在形成源电极和漏电极之后，再进行高温处理，从而使源电极和漏电极中的铜原子扩散至第一初始欧姆接触层和第二初始欧姆接触层中，使氧化物材料具有较好的导电性。与现有技术相比由于在源电极和漏电极与有源层之间分别设置有具有较好导电性的第一目标欧姆接触层和第二目标欧姆接触层，因此可以使源电极和漏电极分别与有源层之间具有较好的欧姆接触，从而提高薄膜晶体管的性能。
一种薄膜晶体管制备方法阵列显示装置

[发明专利]一种二维半导体垂直场效应晶体管阵列及其制备方法-CN202311204378.9在审
发明人：戴伦;贾雄辉;程智轩;李艳平 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明基于二维半导体材料薄膜，二维半导体材料薄膜与源电极和漏电极的侧壁接触，沟道的长度仅由源电极与漏电极间的绝缘层的厚度决定；本发明不需要采用电子束曝光、深紫外光刻和极深紫外光刻等方法，即能够制备出沟道长度在纳米尺度的大面积场效应晶体管阵列；本发明通过源电极和漏电极的侧壁与二维半导体材料薄膜接触，能够降低器件制备成本，而且由于源电极和漏电极在垂直方向构建，并且源电极和漏电极分布在沟道的同一侧，因而减小了单个场效应晶体管的面积，进而能够提高器件密度
一种二维半导体垂直场效应晶体管阵列及其制备方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置-CN201510734440.4有效
发明人：徐向阳 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-11-02 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板，包括阵列设置于玻璃基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括位于同一结构层中的源电极、漏电极和有源层，其中，所述源电极和漏电极的材料为Cu，所述有源层位于所述源电极和漏电极之间，所述有源层的材料是由Cu基体通过N离子注入形成的CuN_x半导体材料；其中，所述Cu基体与所述源电极和漏电极为一体的Cu薄膜结构。本发明中的薄膜晶体管的源电极、漏电极和有源层位于同一结构层中，有利于阵列基板薄型化。其制备方法相比于享现有技术减少了光罩工艺的次数，降低了工艺难度，更易于实现，节省了成本。
薄膜晶体管阵列及其制备方法显示装置

[实用新型]一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置-CN201520877297.X有效
发明人：辛龙宝 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，在形成有源层之后，在形成源电极和漏电极之前，还在有源层上形成相对设置的第一初始欧姆接触层和第二初始欧姆接触层，且第一初始欧姆接触层和第二初始欧姆接触层的材料均为氧化物材料，在形成源电极和漏电极之后，再进行高温处理，从而使源电极和漏电极中的铜原子扩散至第一初始欧姆接触层和第二初始欧姆接触层中，使氧化物材料具有较好的导电性。与现有技术相比由于在源电极和漏电极与有源层之间分别设置有具有较好导电性的第一目标欧姆接触层和第二目标欧姆接触层，因此可以使源电极和漏电极分别与有源层之间具有较好的欧姆接触，从而提高薄膜晶体管的性能。
一种薄膜晶体管阵列显示装置

[实用新型]薄膜晶体管、显示基板及显示器件-CN201620686361.0有效
发明人：吕振华;尤杨;王世君;陈希;薛艳娜;李月;包智颖;张勇;肖文俊;王磊;陈小川;姜文博;米磊 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述薄膜晶体管包括有源层、源电极和漏电极，所述有源层包括与所述源电极接触的源电极接触区、与所述漏电极接触的漏电极接触区,以及位于所述源电极接触区和漏电极接触区之间的沟道区。其中，所述源电极接触区和漏电极接触区的厚度小于所述沟道区的厚度，从而能够提高薄膜晶体管的导电性能，增大开态电流，改善薄膜晶体管的性能。
薄膜晶体管显示器件