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[发明专利]半导体装置及该半导体装置的制造方法-CN200910220868.1有效
发明人：秋元健吾;津吹将志 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-11-06 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明的目的之一在于即使在形成栅极绝缘层、源电极层及漏电极层之后形成氧化物半导体的情况下，也抑制元件特性恶化。在衬底上形成栅电极层，在栅电极层上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成源电极层及漏电极层，对形成在衬底上的栅极绝缘层、源电极层及漏电极层的表面进行表面处理，在进行该表面处理后，在栅极绝缘层、源电极层及漏电极层上形成氧化物半导体层
半导体装置制造方法

[发明专利]用于制造半导体装置的方法-CN201510904211.2有效
发明人：秋元健吾;津吹将志 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-11-06 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的目的之一在于即使在形成栅极绝缘层、源电极层及漏电极层之后形成氧化物半导体的情况下，也抑制元件特性恶化。在衬底上形成栅电极层，在栅电极层上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成源电极层及漏电极层，对形成在衬底上的栅极绝缘层、源电极层及漏电极层的表面进行表面处理，在进行该表面处理后，在栅极绝缘层、源电极层及漏电极层上形成氧化物半导体层
用于制造半导体装置方法

[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置-CN201310560022.9有效
发明人：严允晟;金熙哲 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，该阵列基板的制作方法包括：通过构图工艺，形成位于第一区域的半导体层和源漏电极层的图案，所述第一区域为预定用于形成薄膜晶体管的源漏电极的区域；在保留有第一区域的源漏电极层的基板上形成透明导电层；通过构图工艺，形成第一透明电极和延伸部的图案；所述延伸部延伸到所述第一区域的预定形成源电极的第一位置的上方；通过构图工艺，去除所述第一区域中所述第一位置和第二位置之外的源漏电极层，形成源漏电极图案，所述第二位置为预定形成漏电极的位置
阵列制作方法显示装置

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法-CN201310742756.9无效
发明人：王守坤;郭会斌;冯玉春;刘晓伟;郭总杰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及显示装置的制造领域，具体涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、包括该薄膜晶体管的阵列基板及其制作方法；该薄膜晶体管的制作方法包括以下步骤：S1形成有源层和源漏电极层，并在源漏电极层上形成光刻胶层，并通过构图工艺形成光刻胶层的图案；S2利用所述光刻胶图案作为掩模对源漏电极层进行刻蚀，形成包括源极和漏极的源漏电极层的图案；S3将光刻胶剥离后，再利用源漏电极层的图案作为掩模对有源层进行刻蚀，形成有源层的图案。本发明能够利用源漏电极层的图案作为掩模，对有源层进行刻蚀，可针对性地防止和减少薄膜晶体管有源层源漏极之间区域的有机物的污染，提高薄膜晶体管的电学性能。
薄膜晶体管及其制作方法阵列

[发明专利]具有螺旋交互源漏电极结构的液晶显示装置-CN200710119559.6有效
发明人：郝昭慧 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2007-07-26 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有螺旋交互源漏电极结构的液晶显示装置，包括基板主体、位于所述基板主体上的源电极和漏电极、以及由源电极和漏电极所形成的沟道，所述源电极包括第一源线和第二源线，所述第二源线为带有开口的环形源线，所述第一源线连接在所述第二源线的中部；所述漏电极为带有开口的环形漏线；所述第二源线的一端位于所述环形漏线之内，所述环形漏线的一端位于所述第二源线之内。
具有螺旋交互漏电结构液晶显示装置

[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置-CN201310682769.1无效
发明人：刘圣烈;宋泳锡;金熙哲;崔承镇 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：其中，所述阵列基板的像素电极位于源电极和漏电极之下，且所述像素电极与所述源电极、漏电极为通过一次构图工艺形成，所述阵列基板的栅电极和源电极、漏电极位于有源层的同一侧。
阵列及其制作方法显示装置

[发明专利]一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法-CN201510114652.2有效
发明人：卢马才 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-03-16 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括步骤A)利用第一带条纹的光罩定义出N沟道的源电极的重掺杂区(316a)和轻掺杂区(316b)、N沟道的漏电极的重掺杂区(317a)和轻掺杂区(317b)；B)利用第二带条纹的光罩定义出P沟道的源电极的掺杂区(318)和漏电极的掺杂区(319)；C)利用第三带条纹的光罩定义出像素区、N沟道的漏电极的重掺杂区(317a)和源电极的重掺杂区(316a)处的接触孔区、P沟道的源电极的掺杂区(318)和漏电极的掺杂区(319)处的接触孔区；D)利用第四带条纹的光罩定义出N沟道的漏电极的重掺杂区(317a)和源电极的重掺杂区(316a)处的金属电极区、P沟道的源电极的掺杂区(318)和漏电极的掺杂区(319)处的金属电极区。
一种低温多晶薄膜晶体管阵列制作方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210330511.0有效
发明人：田中圣康 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：该半导体器件包括：栅电极；源电极，其与栅电极隔开；漏电极，在平面图中，其相对于栅电极与源电极相对地定位，并且与栅电极隔开；至少一个场板电极，在平面图中，其位于栅电极和漏电极之间，通过绝缘膜设置在半导体衬底上方，并且与栅电极、源电极和漏电极隔开；以及至少一个场板接触，其设置在绝缘膜中，将场板电极耦合到半导体衬底。在平面图中，场板电极从场板接触至少向着源电极或向着漏电极延伸。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法-CN201210154992.4有效
发明人：金广海;崔宰凡;郑宽旭;李俊雨 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2012-05-17 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种有机发光显示装置，包括：位于衬底上的栅电极、源电极、以及漏电极；连接至所述栅电极的栅极互连线；连接至所述源电极和所述漏电极的源极漏极互连线；电连接至所述源极漏极互连线的第一测试焊盘；以及电连接至所述栅极互连线的第二测试焊盘所述第二测试焊盘与所述第一测试焊盘位于相同水平高度处，所述栅电极位于与所述源电极和所述漏电极不同的层上。
有机发光显示装置及其制造方法

[发明专利]共平面栅极氧化物薄膜晶体管生物传感器及制备方法-CN201911128092.0在审
发明人：裴艳丽;杨彭;李亚 -专利权人：中山大学
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：本发明公开了共平面栅极氧化物薄膜晶体管生物传感器，包括衬底、绝缘层、源电极、漏电极、栅电极、源漏电极绝缘保护层和表面生物修饰的金属氧化物半导体有源层；所述源电极、漏电极和栅电极的材料相同，且三个电极共平面其中加入的栅介质层为液态电解质，液态电解质覆盖半导体有源层和部分栅电极，栅电极露出液态电解质的部分供电路连接。本发明栅电极与源电极、漏电极共平面，同材料，可通过一步工艺完成源漏电极和栅电极的沉积，与半导体实现欧姆接触的同时具有工艺简单、可集成化、成本低等优势；同时液态电解质直接与半导体有源层和栅电极接触，其中液态电解质的双电层效应使得器件具有低工作电压和低功耗
平面栅极氧化物薄膜晶体管生物传感器制备方法

[发明专利]液晶显示装置-CN201110294275.7有效
发明人：安生健二;大谷智彦 -专利权人：株式会社日立显示器;松下液晶显示器株式会社
申请日： 2011-09-27 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：栅电极形成在TFT基板之上，覆盖该栅电极地形成栅极绝缘膜，在其上形成半导体层。漏电极和源电极配置在半导体层上。平面形状的像素电极形成在栅极绝缘膜之上。在形成漏电极、源电极、视频信号线等之前先形成像素电极，其后形成源电极等。由此在对ITO形成图案时，能够防止在ITO上存在气孔等时因经由显影液的电池作用而使视频信号线、漏电极、源电极等受侵蚀而引起断线。根据本发明，能够在减少层数的IPS方式的液晶显示装置中，防止视频信号线、漏电极、源电极的断线，提高制造成品率并提高可靠性。
液晶显示装置

[发明专利]阵列基板及其制作方法-CN201910141227.0在审
发明人：吴伟 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：所述阵列基板包括栅极绝缘层、有源层、源漏电极、第一保护层以及第二保护层。所述有源层和所述源漏电极均设于所述栅极绝缘层上，所述源漏电极连接至所述有源层。所述第一保护层设于所述栅极绝缘层和所述有源层上。所述第二保护层设于所述源漏电极和所述第一保护层上。
源漏电极源层第一保护层栅极绝缘层阵列基板第二保护层制作

[发明专利]一种垂直沟道的柔性有机发光场效应晶体管及其制备方法-CN201610527363.X在审
发明人：唐莹;张璇;韦一;彭应全;丁思晗;钱宏昌;杨玉环 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供的一种垂直沟道的柔性有机发光场效应晶体管，包括漏电极(1)、漏电极修饰层(2)、发光层(3)、场效应半导体层(4)、空穴传输层(5)、源电极(6)、绝缘层(7)、栅电极(8)、柔性衬底(9)；其中：柔性衬底、栅电极、绝缘层、源电极、空穴传输层、场效应半导体层、发光层、漏电极修饰层和漏电极依次叠加组成；构成栅电极的材料为ITO，构成漏电极的材料为银纳米线，构成漏电极修饰层的材料为LiF，构成发光层的材料为Alq3，构成场效应半导体层的材料为酞箐铜，构成空穴传输层的材料为NPB，构成源电极为网状金属金，构成绝缘层的材料为PVA，构成衬底的材料为PI或者PET。
一种垂直沟道柔性有机发光场效应晶体管及其制备方法

[实用新型]一种垂直沟道的柔性有机发光场效应晶体管-CN201620706248.4有效
发明人：唐莹;张璇;韦一;彭应全;丁思晗;钱宏昌;杨玉环 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种垂直沟道的柔性有机发光场效应晶体管，包括漏电极(1)、漏电极修饰层(2)、发光层(3)、场效应半导体层(4)、空穴传输层(5)、源电极(6)、绝缘层(7)、栅电极(8)、柔性衬底(9)；其中柔性衬底、栅电极、绝缘层、源电极、空穴传输层、场效应半导体层、发光层、漏电极修饰层和漏电极依次叠加组成；构成栅电极的材料为ITO，构成漏电极的材料为银纳米线，构成漏电极修饰层的材料为LiF，构成发光层的材料为Alq3，构成场效应半导体层的材料为酞箐铜，构成空穴传输层的材料为NPB，构成源电极为网状金属金，构成绝缘层的材料为PVA，构成衬底的材料为PI或者PET。
一种垂直沟道柔性有机发光场效应晶体管

[实用新型]薄膜晶体管、阵列基板及显示装置-CN201320840230.X有效
发明人：姜春生;刘威 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述薄膜晶体管包括栅电极、栅极绝缘层、有源层、源电极和漏电极，其中，所述有源层与所述源电极、所述漏电极同层设置且位于所述源电极、所述漏电极之间。本实用新型的薄膜晶体管、阵列基板的制备工艺流程简单。
薄膜晶体管阵列显示装置

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