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[发明专利]触摸屏、显示装置及触摸屏制作方法-CN201510741385.1有效
发明人：颜京龙;高吉磊 -专利权人：重庆京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-11-04 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：所述触摸屏包括栅极层、绝缘层、源漏电极层、第一ITO层、保护层和第二ITO层，绝缘层覆盖在栅极层上，源漏电极层覆盖在绝缘层上，第一ITO层覆盖在源漏电极层上，保护层覆盖在第一ITO层上，第二ITO层覆盖在保护层上；触摸驱动电极位于所述栅极层，触摸感应电极走线位于所述源漏电极层，触摸感应电极图案位于所述第二ITO层。通过在栅极层上设置触摸驱动电极，源漏电极层上设置触摸感应电极走线，第二ITO层上设置触摸感应电极图案，可将连续间隔的栅极扫描信号转化为触摸驱动脉冲信号，在显示的同时实现了触摸功能，提高了触摸屏的报点率。
触摸屏显示装置制作方法

[发明专利]一种薄膜晶体管液晶显示器件的阵列结构-CN200610066419.2有效
发明人：崔祥彦;严太镕;周爽 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2006-03-30 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器件的阵列结构，包括：玻璃基板，形成于玻璃基板上的栅线，栅电极，源、漏电极，数据线以及像素电极，其中源、漏电极与栅电极存在交叠部分，其特征在于：漏电极在栅电极上可变交叠区的平均宽度小于必然交叠区的平均宽度当源漏电极和栅电极发生相对漂移的时候，本发明会减小交叠面积的变化，所引发的跳变电压偏差也相对较小，显示画面上的不均匀情况也就不那么明显，从而改善了显示画面的均匀性。
一种薄膜晶体管液晶显示器件阵列结构

[发明专利]薄膜晶体管-CN201110245101.1无效
发明人：金正晥;金起弘;张龙在;金正贤 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-08-25 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，包括：基板；位于所述基板上的栅电极；覆盖所述栅电极的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上并且彼此隔开的与所述栅电极重叠的第一半导体层和第二半导体层；位于所述第一半导体层上并且位于所述栅电极的相对侧上的第一源电极和第一漏电极；以及位于所述第二半导体层上并且位于所述栅电极的相对侧上的第二源电极和第二漏电极；其中所述第一源电极通过与所述栅电极重叠的源接线联结至所述第二源电极，并且所述第一漏电极联结至所述第二漏电极，使得可以恒定地维持薄膜晶体管的导通电流特性和截止电流特性
薄膜晶体管

[发明专利]湿法刻蚀型氧化物薄膜晶体管的制备方法及所制备的薄膜晶体管-CN201510705040.0在审
发明人：兰林锋;肖鹏;彭俊彪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：一种湿法刻蚀型氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括栅极、栅绝缘层、有源层及源漏电极的制备，在栅极绝缘层上制备有源层，对有源层采用湿法刻蚀图形化后，对图形化的有源层进行退火处理，然后再在退火处理后的有源层上直接制备源漏电极薄膜层，并对源漏电极薄膜层采用湿法刻蚀图形化形成源漏电极。本发明的制备方法解决了源漏电极刻蚀对有源层造成的损伤，且不需要像现有技术中那样制备刻蚀阻挡层增加特殊的光刻工艺，具有制备工艺简单，所制备的薄膜晶体管性能良好。
湿法刻蚀氧化物薄膜晶体管制备方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置-CN201510335120.1有效
发明人：黄维;赵家庆;唐伟;冯林润;郭小军 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;上海交通大学
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，该薄膜晶体管包括有机半导体层和源漏电极层，还包括金属氧化物绝缘层，所述金属氧化物绝缘层设置在所述有机半导体层和所述源漏电极层之间，功函高于所述源漏电极层的功函本发明提供的薄膜晶体管中，功函较高的金属氧化物绝缘层能够产生界面偶极势垒以降低源漏电极中的载流子进入到有机半导体层中的难度，从而能够减小源漏电极层与半导体层之间的接触电阻，提高薄膜晶体管的电学性能。
薄膜晶体管及其制作方法阵列显示装置

[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置-CN201910143050.8有效
发明人：张伟琦 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：阵列基板包括衬底基板、有源层、栅极绝缘层、电介质层、第一过孔以及源漏电极。所述第一过孔贯穿所述电介质层、所述栅极绝缘层以及所述栅极线层，暴露出所述有源层的源漏电极接触部分，所述源漏电极通过所述第一过孔，与所述源漏电极接触部分相接触。通过贯穿电介质层、栅极绝缘层以及栅极线层的第一过孔，利用源漏电极将栅极线层与有源层相连通，在实现与桥式连接结构相同功能的基础上，既简化了栅极线层与有源层之间连接结构，又减小了栅极线层与有源层之间连接结构所占据的空间
阵列及其制作方法显示装置

[发明专利]全透明薄膜晶体管器件及其制备方法-CN202210928806.1在审
发明人：张磊;王欢;李东旭;于军胜 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提供了全透明薄膜晶体管器件及其制备方法，涉及电子器件技术领域，该薄膜晶体管自下而上包括衬底、栅极、栅绝缘层、金属氧化物半导体有源层、三明治结构源漏电极，其中三明治结构源电极自下而上依次是第一层金属氧化物半导体源电极、第二层金属源电极、第三层金属氧化物半导体源电极；同时，三明治结构漏电极自下而上依次是第一层金属氧化物半导体漏电极、第二层金属漏电极、第三层金属氧化物半导体漏电极，其中金属氧化物半导体与有源层所用材料相同；本发明中源漏电极具有较低的电阻率并且与有源层的接触特性更好，有利于载流子的传输，从而提升了薄膜晶体管器件的电学性能，并且所制备的器件具有较好的透明度，可用于全透明显示。
透明薄膜晶体管器件及其制备方法

[实用新型]一种具有三层有源层结构的薄膜晶体管-CN202122053064.6有效
发明人：刘川;郭敏;陈国苇 -专利权人：中山大学
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有三层有源层结构的薄膜晶体管，包括衬底、有源层、绝缘层、栅电极、第一源漏电极和第二源漏电极，有源层包括具有阻光性的第一子层、用于提供载流子的第二子层和具有氢离子阻隔性的第三子层，栅电极与有源层被绝缘层阻隔开，第一源漏电极和第二源漏电极分别与有源层的一侧连接，第一源漏电极与栅电极、第二源漏电极与栅电极被绝缘层阻隔开。
一种具有三层有源结构薄膜晶体管

[实用新型]一种薄膜晶体管及阵列基板-CN202220606023.7有效
发明人：王佳琳 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请提供一种薄膜晶体管及阵列基板，其包括：基板；栅电极，形成于所述基板上；栅极绝缘层，覆设于所述栅电极上；有源层，形成于所述栅极绝缘层上；源漏金属层，形成于所述有源层上，所述源漏金属层包括源电极和漏电极；所述源电极和漏电极之间相互间隔并且分别具有部分搭接在所述有源层上，所述有源层对应于所述源电极和漏电极相互间隔的区域形成沟道区；防护层，形成于所述沟道区的表面；以及钝化层，覆设于所述源漏金属层及所述防护层的表面
一种薄膜晶体管阵列

[发明专利]掩模、显示装置以及制造显示装置的方法-CN201610446982.6有效
发明人：朴仁浩;柳世桓;金京准;孙智贤 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种掩模，包括基底基板，以及在基底基板上的包括透光部和遮光部的遮光图案，其中，遮光部包括第三源电极部、与第三源电极部间隔开并且包括平行于第三源电极部的至少一部分的第三漏电极部、在第三源电极部的面向第三漏电极部的端部处的第一辅助遮光部、以及在第三漏电极部的面向第三源电极部的端部处的第二辅助遮光部。
掩模显示装置以及制造方法

[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置-CN201310701255.6有效
发明人：姜春生;刘威 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述薄膜晶体管的制备方法包括：通过一次构图工艺形成包括源电极、漏电极和有源层的图形，其中，所述源电极、漏电极和有源层同层设置，所述有源层位于所述源电极、所述漏电极之间。
薄膜晶体管阵列及其制备方法显示装置

[发明专利]阵列基板及其制作方法、液晶显示面板和显示装置-CN201210450894.5有效
发明人：张春芳;金熙哲;魏燕;徐超 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：其中，所述阵列基板的源电极和漏电极位于不同层。该阵列基板的制作方法中，通过两次构图工艺分别形成位于不同层的源电极和漏电极。本发明的技术方案能够尽可能地减小源电极和漏电极之间的沟道长度，进而极大的提高了TFT的开启电流Ion。
阵列及其制作方法液晶显示面板显示装置

[发明专利]晶体管、显示装置和电子设备-CN201210470044.1有效
发明人：牛仓信一;野元章裕;安田亮一;汤本昭;米屋伸英;辻川真平 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-11-19 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：晶体管包括栅电极；面对栅电极的半导体层，绝缘层位于半导体层和栅电极之间；一对源漏电极，其电连接到半导体层；和接触层，其设置在一对源漏电极中的每一者与半导体层之间的载流子移动路径中，接触层的端表面被源漏电极覆盖
晶体管显示装置电子设备

[发明专利]有机发光显示器及其制造方法-CN200510054183.6有效
发明人：李宪贞;朴商一 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-02-08 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： H05B33/12 文献下载
摘要：每个TFT具有半导体层、栅电极、源电极和漏电极。像素电极电连接到像素TFT的源和漏电极中的一个。至少一个氮化硅层布置在源和漏电极与基板之间，且在整个像素区域中开口。
有机发光显示器及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410331005.2有效
发明人：徐在禹;丁健钰;金珉修;韩相信;姜主贤;赵郁来 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：该半导体器件包括：第一源电极，其配置为将第一功率轨连接至第一杂质区，所述第一功率轨结合至第一电压源；第二源电极，其配置为将第二功率轨连接至第二杂质区，所述第二功率轨结合至第二电压源，第一电压源和第二电压源不同；栅电极，其位于第一杂质区和第二杂质区上；第一漏电极，其位于第一杂质区上；第二漏电极，其位于第二杂质区上；以及互连线，其连接至第一漏电极和第二漏电极，所述互连线形成至少一个闭环。
杂质区半导体器件电压源功率轨漏电极互连线源电极闭环栅电极配置制造