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[发明专利]薄膜晶体管、有源矩阵基板和摄像装置-CN200910167039.1有效
发明人：今井真二 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2009-08-17 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜晶体管，其包括：源电极和漏电极；接触所述源电极和漏电极并含有氧化物半导体的有源层；控制在所述源电极和漏电极之间经由所述有源层流动的电流的栅电极；将所述栅电极与所述源电极和漏电极和所述有源层分隔开的第一绝缘膜；偏压电极，其设置在所述有源层对着所述栅电极的相反侧并具有独立于所述栅电极而固定的电位；和将所述偏压电极与所述源电极和漏电极和所述有源层分隔开的第二绝缘膜。
薄膜晶体管有源矩阵摄像装置

[实用新型]一种阵列基板及液晶显示装置-CN201320044760.3有效
发明人：徐传祥;姚琪;齐永莲;陆金波 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-01-28 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本实用新型公开了阵列基板及液晶显示装置，阵列基板包括一基板，基板上的每个像素单元包括TFT开关和像素电极，TFT开关包括栅电极、源电极、漏电极和半导体层；像素电极、栅电极线、数据线、源电极和漏电极同步形成于基板上；源电极与数据线连接；漏电极的部分区域形成于像素电极之上，该区域与像素电极连接；半导体层形成于源电极和漏电极之间，并与源电极和漏电极连接；半导体层上方形成有栅极绝缘层，栅极绝缘层覆盖基板；栅电极形成于栅极绝缘层之上，栅电极通过过孔与栅电极线连接。该阵列基板具有同步形成的TFT的数据线、栅电极线、源电极和漏电极以及一次沉积和刻蚀形成的绝缘层，工艺可控性和良品率高。
一种阵列液晶显示装置

[发明专利]氧化物薄膜晶体管的制备方法-CN201510415622.5在审
发明人：姚琪;张锋;曹占锋;何晓龙;张斌;李正亮 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：该氧化物薄膜晶体管的制备方法包括：形成栅极、栅绝缘层、有源层、源电极和漏电极。形成所述有源层、所述源电极和所述漏电极包括：在衬底基板上依次形成氧化物半导体薄膜和源漏电极金属薄膜，所述氧化物半导体薄膜的整个表面与所述源漏电极金属薄膜直接接触；以及采用双色调掩模板图案化所述氧化物半导体薄膜和所述源漏电极金属薄膜以通过一次构图工艺形成所述有源层、所述源电极和所述漏电极。
氧化物薄膜晶体管制备方法

[发明专利]自对准栅结构纳米场效应晶体管及其制备方法-CN200810223905.X有效
发明人：彭练矛;张志勇;王胜;梁学磊;陈清 -专利权人：北京大学
申请日： 2008-10-09 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种自对准栅结构纳米场效应晶体管及其制备方法，以一维半导体纳米材料作为导电通道，其两端分别是源、漏电极；用原子层沉积方式生长栅介质层，覆盖在源、漏电极之间，以及源、漏电极相对面的侧壁和部分源、漏电极上；在栅介质层上再通过蒸发或溅射方法生长栅电极层，栅介质层和栅电极层的厚度之和小于源、漏电极的厚度，源漏电极之间导电通道上的栅电极通过栅介质侧墙与源、漏电极实现电学隔离。本发明的自对准结构制作工艺简单、稳定，自由度高，源漏之间的导电通道基本被栅电极覆盖，大大提高了栅对导电通道的控制能力，而且，对于栅介质层和栅电极层的材料无限制，从而可以自由调节器件的阈值电压，满足规模集成电路设计的需要
对准结构纳米场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]薄膜晶体管和使用该薄膜晶体管的显示装置-CN201410438512.6在审
发明人：赵承奂;姜秀馨;姜闰浩;申永基;车明根 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：公开了一种能够降低薄膜晶体管的源电极与漏电极之间的电压的薄膜晶体管和使用该薄膜晶体管的显示装置。一个具有创造性的方面包括栅电极、半导体图案、源电极和漏电极。源电极和漏电极形成在半导体图案上并且彼此间隔开。源电极和漏电极中的至少一个不与栅电极重叠。
薄膜晶体管使用显示装置

[发明专利]一种薄膜晶体管结构及其制备方法-CN200710100342.0有效
发明人：薛建设;林承武;梁珂 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2007-06-08 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管结构，包括：基板，形成在所述基板上的栅极、栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层、源漏电极、钝化层和像素电极，其中像素电极同源漏电极的漏极端相连接，其中在掺杂半导体层上部及所述源漏电极的下方设置有8－15nm的SiNx或者SiOxNy层；源漏电极的材料为铝合金，包括两元铝合金和多元铝合金。本发明同时公开了该薄膜晶体管的制造方法，包括：在掺杂半导体层上部和源漏电极的下方形成8－15nm的SiNx或者SiOxNy层。本发明通过变更源漏电极的结构及其制造方法，克服源漏电极断线缺陷，并同时提高产能，降低生产成本。
一种薄膜晶体管结构及其制备方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板-CN201710130992.3在审
发明人：杨清斗;王质武 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管，包括形成在衬底基板上的有源层、栅电极、源电极和漏电极，其中，所述源电极和漏电极相互间隔设置，所述源电极与所述有源层之间以及所述漏电极与所述有源层之间分别设置有导电碳膜，所述源电极和所述漏电极通过所述导电碳膜分别电性连接至所述有源层，所述源电极和所述漏电极的材料为金属铜。
薄膜晶体管及其制备方法阵列

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板-CN201810862119.8有效
发明人：刘军;周斌;苏同上;宋威;李伟;罗标;郝朝威 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：该薄膜晶体管包括衬底以及位于所述衬底上的有源层、源电极、漏电极、栅电极和遮光部，源电极和漏电极分别与所述有源层电连接，栅电极和遮光部位于所述有源层的远离所述衬底的一侧，在所述源电极至所述漏电极的方向上，所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间，所述遮光部位于所述栅电极和所述源电极之间和/或所述漏电极之间。
薄膜晶体管及其制造方法阵列

[发明专利]薄膜晶体管、TFT阵列基板及其制造方法和显示装置-CN201310746662.9无效
发明人：王东方;刘威;陈海晶 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明实施例提供的薄膜晶体管TFT，该TFT的源电极包括第一源电极部，该TFT的漏电极包括第一漏电极部，其中，第一源电极部和第一漏电极部与该TFT的有源层同层设置且分别位于该有源层的两侧，且该第一源电极部和该第一漏电极部分别与该有源层直接接触由于第一源电极部和第一漏电极部与栅电极之间不重叠或重叠区域很小，一般不会形成电容，因此，避免了由于源/漏电极上的电压过大，或者源/漏电极上的静电电荷聚集过多，而导致的栅极绝缘层被击穿的现象。
薄膜晶体管 tft 阵列及其制造方法显示装置

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN202210271918.4在审
发明人：渡边整;野濑幸则 -专利权人：住友电工光电子器件创新株式会社
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本公开的课题在于提供能抑制源极场板与漏电极之间的保护膜的绝缘击穿的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：源电极和漏电极，沿着与基板的第一主面平行的第一方向排列；栅电极，位于所述源电极与所述漏电极之间；第一保护膜，覆盖所述源电极、所述漏电极以及所述栅电极；源极场板，形成于所述第一保护膜上，电连接于所述源电极，在从与所述第一主面垂直的方向的俯视观察时位于所述栅电极与所述漏电极之间；以及绝缘击穿抑制部，具备在从与所述第一主面平行并且与所述第一方向垂直的第二方向的剖视观察时位于所述源极场板的所述漏电极侧的端与所述漏电极的所述源极场板侧的端之间的部分
半导体装置以及制造方法

[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置-CN201410504930.0在审
发明人：胡伟;朱亚文;莫再隆;代科;楼钰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，该方法包括：源漏电极线图形和像素电极图形，形成在源漏电极线图形和像素电极图形之上的第一绝缘层，形成在第一绝缘层之上的公共电极图形；其中，第一绝缘层在位于所述源漏电极线图形与所述像素电极图形之间的部分形成有沿源漏电极线方向的条状开口，公共电极图形包括位于漏电极线图形和像素电极图形上方的主体部分，以及覆盖在所述条状开口的至少一个长侧壁上的延伸部分，所述延伸部分与所述主体部分连接形成一体结构。本发明提供的阵列基板中，公共电极的一部分填充到源漏电极线图形与像素电极图形之间形成屏蔽层，大大减小了源漏电极线与像素电极形成的耦合电容。
阵列及其制作方法显示装置

[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、显示面板-CN201210333280.9有效
发明人：周伯柱;白明基;操彬彬;赵娜;王文龙;王一军 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
申请日： 2012-09-10 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述阵列基板包括形成在栅绝缘层上的源电极、漏电极和像素电极，所述源电极和漏电极包括至少两层导电层，所述像素电极与所述漏电极直接连接。所述阵列基板的制作方法包括在栅绝缘层上依次沉积至少两层导电层，对所述至少两层导电层进行构图，形成源电极、漏电极和像素电极。本发明的技术方案由于不需要在像素区域形成过孔，从而提高了阵列基板的开口率，进一步地，通过采用透明电极层和金属层形成的叠合层作源电极和漏电极，可以很容易形成源漏电极和栅电极位于有源层同侧的结构，使源漏电极直接与电流通道相连
一种阵列及其制造方法显示面板

[发明专利]有机电致发光装置及其制造方法-CN200510125478.8有效
发明人：徐旼彻;具在本;金慧东 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-11-17 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： H05B33/14 文献下载
摘要：EL装置包括：第一有机发光晶体管和第二有机发光晶体管，其中第一有机发光晶体管包括：第一源电极；与第一源电极面对的第一漏电极；包括至少一层发射层的第一中间层，该发射层位于第一源电极和第一漏电极之间；和与第一源电极、第一漏电极、和第一中间层绝缘的第一栅电极，第一栅电极包围第一中间层；并且第二有机发光晶体管包括：第二源电极；与第二源电极面对的第二漏电极；包括至少一层发射层的第二中间层，该发射层位于第二源电极和第二漏电极之间；和与第二源电极、第二漏电极、和第二中间层绝缘的第二栅电极，第二栅电极包围第二中间层并连接到第一漏电极。
有机电致发光装置及其制造方法

[发明专利]阵列基板及其制造方法和液晶显示器-CN201110103069.3无效
发明人：朴相镇 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2011-04-22 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：该阵列基板包括衬底基板，衬底基板上形成横纵交叉的数据线和栅线，围设形成矩阵形式排列的多个像素单元，每个像素单元中设置有开关元件，每个开关元件包括栅电极、有源层、源电极和漏电极，源电极和漏电极的端部对置；源电极或漏电极至少部分图案的上方和/或下方还形成有扩展导电部，扩展导电部的图案超出自身所接触的源电极或漏电极的范围，向沟道方向延伸且与有源层接触。本发明通过独立于源漏电极而额外形成的扩展导电部来缩小开关元件的沟道。扩展导电部是独立于源漏电极而形成的，所以不会受到构图工艺的参数限制，能够进一步超出所在源漏电极的范围向沟道方向延伸，减小沟道的长度。
阵列及其制造方法液晶显示器

[发明专利]一种基于HEMT器件的开关结构-CN201811002463.6有效
发明人：郑雪峰;王士辉;陈轶昕;陈管君;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于HEMT器件的开关结构，包括衬底层、缓冲层、势垒层、漏电极、源电极、栅电极以及悬臂电极，其中，所述衬底层、所述缓冲层和所述势垒层自下而上依次设置；所述漏电极和所述源电极均设置在所述缓冲层上，所述势垒层设置在所述缓冲层上未被所述漏电极和所述源电极覆盖的区域；所述栅电极设置在所述势垒层上且位于所述漏电极与所述源电极之间；所述悬臂电极的固定端设置在所述势垒层上，悬臂端位于所述漏电极和源电极上方，并且能够与所述漏电极或源电极接触。
一种基于 hemt 器件开关结构