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[发明专利]场效应晶体管及其制作方法-CN201680064400.6在审
发明人：梁晨;秦旭东;张臣雄 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：场效应晶体管包括：衬底(101)，设置在衬底(101)上的沟道层(102)，设置在沟道层(102)上且分别位于沟道层(102)两侧的源电极(103)和漏电极(104)，设置在源电极(103)、漏电极(104)和沟道层(102)上的绝缘层(105)，以及设置在绝缘层(105)上的栅极(106)，栅极(106)设置在源电极(103)和漏电极(104)之间，场效应晶体管还包括导电薄膜层(107)，导电薄膜层(107)设置在源电极(103)和漏电极(104)之间，且导电薄膜层(107)同时覆盖在栅极(106)的顶面、栅极(106)的侧面以及源电极(103)和漏电极(104)之间的绝缘层(105)上。导电薄膜(107)与栅极(106)相连且在源电极(103)和漏电极(104)之间的绝缘层(105)上延伸，相当于增加了栅极(106)长度，使栅极(106)更容易对沟道层(102)进行调制，从而减小了寄生电阻
漏电极源电极沟道层绝缘层场效应晶体管导电薄膜层衬底电子元器件效应晶体管导电薄膜寄生电阻顶面减小调制制作侧面延伸覆盖

[发明专利]一种氮化物势垒应力调制器件及其制备方法-CN202110984118.2在审
发明人：杨凌;马晓华;芦浩;邓龙格;侯斌;朱青;武玫;张濛;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物势垒应力调制器件及其制备方法，该方法包括：在衬底层上依次生长成核层、缓冲层、复合沟道层、氮化物势垒层和第一钝化层；刻蚀第一钝化层、氮化物势垒层和复合沟道层形成器件之间的隔离；在氮化物势垒层形成的源电极区域和漏电极区域上形成源电极和漏电极；在第一钝化层上生长第二钝化层；刻蚀第二钝化层、第一钝化层形成栅槽；在栅槽内和部分第二钝化层上形成T型栅电极；刻蚀第二钝化层、第一钝化层形成凹槽；在凹槽内、源电极、漏电极和T型栅电极上生长第三钝化层；刻蚀源电极、漏电极和T型栅电极上的第三钝化层，分别在源电极、漏电极和T型栅电极上沉积互联金属。
一种氮化物应力调制器件及其制备方法

[发明专利]金刚石衬底GaN HEMT与氢终端MOSFET集成结构及其制备方法-CN202210090160.4在审
发明人：武玫;马晓华;李仕明;侯斌;杨凌;张濛;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石衬底GaN HEMT与氢终端MOSFET集成结构及其制备方法，所述结构包括金刚石衬底层、外延结构、第一源电极、第一漏电极、第一栅电极、第一介质层、第二源电极、第二漏电极、第二栅电极以及第二介质层，其中，外延结构设置在金刚石衬底层上；第一源电极和第一漏电极间隔设置在金刚石衬底层的上表面，第一介质层覆盖在第一源电极与第一漏电极之间的金刚石衬底层上，第一栅电极设置在第一介质层上；第二源电极、第二漏电极和第二栅电极间隔设置在外延结构上
金刚石衬底 gan hemt 终端 mosfet 集成结构及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法和电源设备-CN201110364823.9有效
发明人：今田忠纮;常信和清 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2011-11-11 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：衬底(1)；半导体层叠结构，设置在所述衬底上方，包括电子渡越层(6)和电子供应层(7)；栅电极(3)、源电极(4)和漏电极(5)，设置在所述半导体层叠结构上方；栅极焊盘(10)、源极焊盘(11)和漏极焊盘(12)，设置在所述栅电极、所述源电极和所述漏电极上方，且分别连接至所述栅电极、所述源电极和所述漏电极；以及导电层，设置在所述栅极焊盘、所述源极焊盘和所述漏极焊盘下方，其中，所述栅极焊盘和所述源极焊盘之间的距离小于所述栅极焊盘和所述漏极焊盘之间的距离
半导体器件及其制造方法电源设备

[发明专利]液晶显示器-CN200710137186.5有效
发明人：安顺一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-07-30 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：一种具有增强的透光率和改进的侧向可见度的LCD包括：形成在第一绝缘基板上的栅极线和存储电极线；与所述栅极线绝缘并与其交叉的数据线；第一源电极，部分地与第n栅极线交迭并且连接到所述数据线；第一漏电极和第二漏电极，部分地与第n栅极线交迭并与第一源电极相分离；第一子像素电极，电连接到第一漏电极；第二子像素电极，电连接到第二漏电极；第二源电极，部分地与第(n+1)栅极线交迭并且电连接到所述第二子像素电极；和第三漏电极，部分地与第(n+1)栅极线交迭并且与第二源电极相分离，并可操作以升高第一子像素电极的充电电压和降低第二子像素电极的充电电压。
液晶显示器

[发明专利]同质外延氮化镓晶体管器件结构-CN201910906108.X在审
发明人：王元刚;冯志红;吕元杰;宋旭波;谭鑫;周幸叶;房玉龙;顾国栋;敦少博 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供了一种同质外延氮化镓晶体管器件结构，包括：衬底、位于衬底上的沟道层、位于沟道层上的势垒层及位于势垒层上的电极，所述电极包括源电极、漏电极和栅电极；所述源电极和所述漏电极分别位于所述势垒层上表面的两侧，所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间的所述势垒层上；所述沟道层厚度范围满足1nm≤d
势垒层沟道层漏电极源电极电极栅电极主沟道衬底半导体技术领域氮化镓晶体管异质结界面器件结构同质外延泄露电流副沟道可控的上表面申请

[发明专利]分子传感器及相关方法-CN202111366888.7在审
发明人： B·L·梅里曼;P·W·莫拉;C·崔 -专利权人：罗斯韦尔生物技术股份有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G01N33/487 文献下载
摘要：一种传感器可包括通过传感器间隙隔开的源电极和漏电极；栅电极，其中源电极，漏电极和栅电极配合形成电极电路；和跨越所述传感器间隙桥接，连接源电极和漏电极的桥分子；和耦合到桥分子的探针，其中通过监测电极电路的参数能检测探针与核酸的相互作用
分子传感器相关方法

[发明专利]分子传感器及相关方法-CN201680083636.4有效
发明人： B·L·梅里曼;P·W·莫拉;C·崔 -专利权人：罗斯韦尔生物技术股份有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：一种传感器可包括通过传感器间隙隔开的源电极和漏电极；栅电极，其中源电极，漏电极和栅电极配合形成电极电路；和跨越所述传感器间隙桥接，连接源电极和漏电极的桥分子；和耦合到桥分子的探针，其中通过监测电极电路的参数能检测探针与核酸的相互作用
分子传感器相关方法

[发明专利]具有抑制特性偏移的结构的薄膜晶体管面板及其制造方法-CN201110028213.1有效
发明人：石井裕满 -专利权人：卡西欧计算机株式会社
申请日： 2006-10-20 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管面板包括：基板(1)；薄膜晶体管(3)，形成在基板(1)上，具有栅电极(6)、栅绝缘膜(7)、半导体薄膜(8)、在半导体薄膜(8)上形成的一对欧姆接触层(10、11)、以及在各欧姆接触层(10、11)上形成的源电极(12)和漏电极(13)，半导体薄膜(8)在源电极(12)和漏电极(13)之间具有沟道区域；像素电极(2)，与薄膜晶体管(3)的源电极(12)连接；以及第一和第二导电性被覆膜(14、15)，设置在源电极(12)侧和漏电极(13)侧的上部，由与像素电极(2)相同的材料形成；第一导电性被覆膜(14)的宽度比源电极(12)的宽度宽，第二导电性被覆膜(15)的宽度比漏电极(13)的宽度宽
具有抑制特性偏移结构薄膜晶体管面板及其制造方法

[发明专利]具有抑制特性偏移的结构的薄膜晶体管面板及其制造方法-CN200910168653.X有效
发明人：石井裕满 -专利权人：卡西欧计算机株式会社
申请日： 2006-10-20 - 公布日： 2010-04-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管面板包括：基板(1)；薄膜晶体管(3)，形成在基板(1)上，具有栅电极(6)、栅绝缘膜(7)、半导体薄膜(8)、在半导体薄膜(8)上形成的一对欧姆接触层(10、11)、以及在各欧姆接触层(10、11)上形成的源电极(12)和漏电极(13)，半导体薄膜(8)在源电极(12)和漏电极(13)之间具有沟道区域；像素电极(2)，与薄膜晶体管(3)的源电极(12)连接；以及第一和第二导电性被覆膜(14、15)，设置在源电极(12)侧和漏电极(13)侧的上部，由与像素电极(2)相同的材料形成；第一导电性被覆膜(14)的宽度比源电极(12)的宽度宽，第二导电性被覆膜(15)的宽度比漏电极(13)的宽度宽
具有抑制特性偏移结构薄膜晶体管面板及其制造方法

[发明专利]具有抑制特性偏移的结构的薄膜晶体管面板及其制造方法-CN200810212566.5有效
发明人：石井裕满 -专利权人：卡西欧计算机株式会社
申请日： 2006-10-20 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管面板包括：基板(1)；薄膜晶体管(3)，形成在基板(1)上，具有栅电极(6)、栅绝缘膜(7)、半导体薄膜(8)、在半导体薄膜(8)上形成的一对欧姆接触层(10、11)、以及在各欧姆接触层(10、11)上形成的源电极(12)和漏电极(13)，半导体薄膜(8)在源电极(12)和漏电极(13)之间具有沟道区域；像素电极(2)，与薄膜晶体管(3)的源电极(12)连接；以及第一和第二导电性被覆膜(14、15)，设置在源电极(12)侧和漏电极(13)侧的上部，由与像素电极(2)相同的材料形成；第一导电性被覆膜(14)的宽度比源电极(12)的宽度宽，第二导电性被覆膜(15)的宽度比漏电极(13)的宽度宽
具有抑制特性偏移结构薄膜晶体管面板及其制造方法

[发明专利]具有抑制特性偏移的结构的薄膜晶体管面板及其制造方法-CN200610171869.8有效
发明人：石井裕满 -专利权人：卡西欧计算机株式会社
申请日： 2006-10-20 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管面板包括：基板(1)；薄膜晶体管(3)，形成在基板(1)上，具有栅电极(6)、栅绝缘膜(7)、半导体薄膜(8)、在半导体薄膜(8)上形成的一对欧姆接触层(10、11)、以及在各欧姆接触层(10、11)上形成的源电极(12)和漏电极(13)，半导体薄膜(8)在源电极(12)和漏电极(13)之间具有沟道区域；像素电极(2)，与薄膜晶体管(3)的源电极(12)连接；以及第一和第二导电性被覆膜(14、15)，设置在源电极(12)侧和漏电极(13)侧的上部，由与像素电极(2)相同的材料形成；第一导电性被覆膜(14)的宽度比源电极(12)的宽度宽，第二导电性被覆膜(15)的宽度比漏电极(13)的宽度宽
具有抑制特性偏移结构薄膜晶体管面板及其制造方法

[发明专利]金刚石器件及其制备方法-CN201811045165.5有效
发明人：郭建超;蔚翠;冯志红;房玉龙;何泽召;王晶晶;刘庆彬;周闯杰;高学栋 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：所述制备方法包括：在金刚石的源电极区和漏电极区沉积石墨烯催化层；将沉积石墨烯催化层的金刚石进行退火处理，在所述金刚石中的源电极区和漏电极区形成石墨烯层；在所述石墨烯层与源电极区对应区域的上表面沉积金属层形成欧姆接触源电极，在所述石墨烯层与漏电极区对应区域的上表面沉积金属层形成欧姆接触漏电极。本发明能够降低金刚石器件的源极和漏极的欧姆接触电阻，提高金刚石器件的频率性能，进而也提高了金刚石器件的性能。
金刚石器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件-CN200710100953.5有效
发明人：广濑笃志 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-04-28 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H03F3/343 文献下载
摘要：每个所述薄膜晶体管包括：具有沟道形成区域、源区或漏区的岛状半导体膜；栅极绝缘膜；栅电极；以及源电极或漏电极，并且所述补偿电阻补偿所述栅电极、源电极、以及漏电极中任何一个的寄生电阻。此外，补偿电阻分别具有包含与栅电极、源电极或漏电极、或者源区或漏区相同的材料的导电层。
半导体器件

[发明专利]一种二硫化钼光电探测器及其制备方法-CN202110419181.1在审
发明人：李浩文;夏国强 -专利权人：深圳网联光仪科技有限公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种二硫化钼光电探测器及其制备方法，其中，所述二硫化钼光电探测器包括自下而上设置的金属反射层，绝缘介质层，二硫化钼层，以及彼此间隔设置在所述二硫化钼层上的源电极和漏电极，所述漏电极包括电极部和光栅部本发明的二硫化钼光电探测器由于采用了金属发射层作为底层，并且在漏电极上集成有光栅，这样光电探测器漏电极和源电极两端会形成明显的光吸收差异，打破了漏电极和源电极两端光电流大小的对称性，增强了光电探测器的光响应
一种二硫化钼光电探测器及其制备方法