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[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法-CN201710119971.1有效
发明人：杨维 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法，该氧化物薄膜晶体管的制作方法包括：形成氧化物半导体层的图形和保护层的中间图形，保护层的中间图形至少覆盖氧化物半导体层的处于源电极和漏电极之间的区域；形成源电极和漏电极的图形，在形成源电极和漏电极的图形时，采用干刻工艺对源漏金属层进行刻蚀；采用一刻蚀溶液对未被源电极和漏电极的图形覆盖的保护层进行湿刻，保护层采用的材料在该刻蚀溶液中的刻蚀速率大于源电极、漏电极及氧化物半导体层采用的材料在该刻蚀溶液中的刻蚀速率由于氧化物半导体层的沟道区域有保护层保护，在采用干刻工艺对源漏金属层进行刻蚀时，干刻工艺中的等离子体不会对氧化物半导体层造成损害。
一种氧化物薄膜晶体管阵列制作方法

[发明专利]用于液晶显示器的阵列基板及其制造方法-CN200310113473.4有效
发明人：张允琼;赵兴烈;柳洵城 -专利权人： LG.飞利浦LCD有限公司
申请日： 2003-11-11 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： G02F1/1345 文献下载
摘要：一种制造用于液晶显示器的阵列基板的方法，包括：通过第一掩模工艺在基板上形成选通线、选通焊盘和栅电极；通过第二掩模工艺在包括选通线、选通焊盘和栅电极的基板上形成数据线、数据焊盘、源电极、漏电极和有源层，其中数据线与选通线交叉以限定像素区域，源电极从数据线延伸，漏电极与源电极隔离开，且有源层设置在栅电极与源和漏电极之间；通过第三掩模工艺在包括数据线、源电极和漏电极的基板的整个表面上形成钝化层，蚀刻钝化层以暴露像素区域中的基板、部分漏电极、选通焊盘和数据焊盘；以及通过在包括钝化层的基板的整个表面上淀积透明导电材料来形成像素电极、选通焊盘端子和数据焊盘端子，像素电极直接接触漏电极的暴露部分，选通焊盘端子直接接触选通焊盘，而数据焊盘端子直接接触数据焊盘
用于液晶显示器阵列及其制造方法

[发明专利]一种源漏电极和有机场效应晶体管器件及其制备方法-CN202111233964.7在审
发明人：董桂芳;荣欣;田心语;韩江丽 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10K10/82 文献下载
摘要：本发明属于有机半导体器件领域，具体涉及一种源漏电极和有机场效应晶体管器件及其制备方法。本发明提供的有机场效应晶体管器件用源漏电极表面设置有原子修饰层，源漏电极材料为ITO，原子修饰层材料为卤素原子。本发明提供的有机场效应晶体管器件用源漏电极可调制ITO表面的功函数，降低电极和半导体之间的接触势垒，大幅度提升OFETs器件的电学性能。
一种漏电有机场效应晶体管器件及其制备方法

[发明专利]一种可集成的二维光电突触器件阵列及其制备方法-CN202010966037.5有效
发明人：刘富才;曹桂铭;刘海石;陈建钢;卞仁吉;蒙鹏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种可集成的二维光电突触器件阵列及其制备方法，突触器件阵列，包括若干突触器件单元，突触器件单元包括衬底，衬底上设置有背栅电极，背栅电极上设置有绝缘介质层，绝缘介质层上中部设置有二维材料导电沟道，二维材料导电沟道两侧分别设置有源漏电极一和源漏电极二，二维材料导电沟道与源漏电极一和源漏电极二之间形成欧姆接触，二维材料导电沟道、源漏电极一和源漏电极二上部设置有透明封装层。
一种集成二维光电突触器件阵列及其制备方法

[发明专利]高低肖特基势垒无掺杂XNOR逻辑数字芯片及制造方法-CN202110800171.2在审
发明人：刘溪;赵春荣 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：高低肖特基势垒无掺杂XNOR逻辑数字芯片及使用和制造方法，对近源栅电极、近漏栅电极和漏电极同时正向偏置，低肖特基势垒源区、无掺杂半导体层和低肖特基势垒漏区形成通路，该数字芯片处于导通、低阻状态，对源电极输出逻辑1；对近源栅电极、近漏栅电极同时反向偏置，对漏电极正向偏置，高肖特基势垒源区、无掺杂半导体层和高肖特基势垒漏区形成通路，该数字芯片处于导通、低阻状态，对源电极输出逻辑1；对近源栅电极、近漏栅电极其中一个施加正向偏置，另一个施加反向偏置，对漏电极施加正向偏置，该数字芯片处于关断、高阻状态，对源电极输出逻辑0。
高低肖特基势垒无掺杂 xnor 逻辑数字芯片制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置-CN201210181618.3有效
发明人：刘翔;李禹奉 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-06-04 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：其中，该薄膜晶体管阵列基板包括：由第一金属氧化物层形成的有源层；由第二金属氧化物层形成的过渡层，过渡层的导电率比有源层的导电率大，过渡层包括源电极过渡层和漏电极过渡层；由源漏金属层形成的源电极、漏电极；其中，源电极过渡层位于所述有源层和所述源电极之间，所述漏电极过渡层位于所述有源层和所述漏电极之间。
薄膜晶体管阵列及其制造方法显示面板显示装置

[实用新型]薄膜晶体管阵列基板、显示面板、显示装置-CN201220261684.7有效
发明人：刘翔;李禹奉 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-06-04 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：其中，该薄膜晶体管阵列基板包括：由第一金属氧化物层形成的有源层；由第二金属氧化物层形成的过渡层，过渡层的导电率比有源层的导电率大，过渡层包括源电极过渡层和漏电极过渡层；由源漏金属层形成的源电极、漏电极；其中，源电极过渡层位于所述有源层和所述源电极之间，所述漏电极过渡层位于所述有源层和所述漏电极之间。
薄膜晶体管阵列显示面板显示装置

[发明专利]阵列基板及显示面板-CN202210873004.5在审
发明人：王建兵;李毕荣;柴立 -专利权人：苏州华星光电技术有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板及显示面板，所述阵列基板，具有多个像素单元，包括：衬底基板、设置于所述衬底基板的一侧的栅极、设置于所述栅极背离所述衬底基板的一侧的源/漏电极、设置于所述源/漏电极背离所述栅极的一侧的辅助电极层、以及设置于所述辅助电极层背离所述源/漏电极的一侧的像素电极，所述像素电极分别与所述源/漏电极和所述辅助电极层电连接；其中所述辅助电极层对应所述像素电极的位置设置有第一开孔。在所述阵列基板产生点位不良需要进行修复时，由于所述像素电极对应位置并没有所述辅助电极层，因而也就避免了所述像素电极与所述辅助电极层之间发生短路。
阵列显示面板

[发明专利]电子设备、显示模组及其显示面板-CN202010761514.4有效
发明人：李明阳 -专利权人： OPPO广东移动通信有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：、显示模组及其显示面板，显示面板包括阵列基板和多个子像素，每一子像素至少对应一开关薄膜晶体管、一驱动薄膜晶体管和一存储电容，阵列基板包括有源层、第一金属层和第二金属层，第一金属层构成开关薄膜晶体管的栅电极和驱动薄膜晶体管的栅电极，第二金属层构成开关薄膜晶体管的源/漏电极和驱动薄膜晶体管的源/漏电极；其中，在显示面板的厚度方向上，驱动薄膜晶体管的源/漏电极的厚度大于开关薄膜晶体管的源/漏电极的厚度。本申请提供的显示面板通过增加驱动薄膜晶体管的源/漏电极的厚度，可以降低驱动薄膜晶体管的源/漏电极的阻抗，使得显示面板上的压降能够得以削弱，进而提高显示面板发光的均匀性。
电子设备显示模组及其面板

[发明专利]薄膜晶体管基底和制造薄膜晶体管基底的方法-CN201610013502.7有效
发明人：柳明官;金亿洙;孙暻锡;崔昇夏;金昭娟;金贤;朴恩惠;朱炳焕 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述薄膜晶体管基底包括：栅电极；沟道层，与栅电极叠置；源电极，与沟道层叠置；漏电极，与沟道层和源电极叠置；以及间隔件，设置在源电极和漏电极之间。
薄膜晶体管基底制造方法

[发明专利]具有场板结构的HEMT器件及其制备方法-CN201911359911.2在审
发明人：王黎明;肖霞;何雍春 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种具有场板结构的HEMT器件及其制备方法，该结构包括：HEMT器件及设置于栅电极与漏电极之间的源场板及浮空场板，且源场板靠近栅电极，浮空场板靠近漏电极，源场板与源极互连金属结构等电位电连接。通过设置源场板及浮空场板组成HEMT器件栅电极与漏电极之间的复合场板结构，将原本位于栅电极边缘和漏电极边缘的电场集中点转移至源场板及浮空场板之间的绝缘层中，优化了整个HEMT器件内部的电场分布，使电场变化梯度更舒缓另外还避免了源场板直接延伸覆盖栅电极引入额外的寄生电容。最后，源极互连金属层、漏极互连金属层、源场板及浮空场板同时形成，不需要增加额外工艺步骤。
具有板结 hemt 器件及其制备方法

[实用新型]一种非晶氧化物薄膜晶体管-CN201720690728.0有效
发明人：宁洪龙;刘贤哲;姚日晖;李晓庆;张啸尘;徐苗;王磊;彭俊彪;王晓峰;张紫辰 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述非晶氧化物薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、AlNd薄膜栅极、AlOxNd栅极绝缘层、氧化物半导体薄膜有源层和源/漏电极构成，其中源/漏电极与有源层位于同一层，源/漏电极分布在有源层两端。本实用新型源漏电极与有源层之间接触面积小，寄生电容小，减小阻容延迟。
一种氧化物薄膜晶体管

[发明专利]只读存储器单元及其制造方法-CN97117663.9无效
发明人：金大柄 -专利权人： LG半导体株式会社
申请日： 1997-08-12 - 公布日： 1998-04-15 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种ROM单元及其制造方法,该ROM单元包括以规则间隔在第一导电类型衬底上形成的第二导电类型的第一源电极和第一漏电极;形成在第一源电极和第一漏电极之间的第一沟道上的第一栅极绝缘层;形成在第一栅极绝缘层上的栅电极;形成在上部栅电极上的第二栅极绝缘层;形成在第二栅极绝缘层上的第一导电类型半导体材料层;在与位于第一导电类型半导体材料层中的栅电极两侧的第一源电极和第一漏电极对应的位置形成的第二源电极和一个第二漏电极。
只读存储器单元及其制造方法

[发明专利]场效应晶体管制备方法及场效应晶体管-CN201910336882.1在审
发明人：卢年端;揣喜臣;杨冠华;李泠;耿玓;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述场效应晶体管制备方法包括：在衬底上制备栅电极；在所述衬底和栅电极表面制备栅介质层；将二维半导体沟道层转移至栅介质层上；在所述二维半导体沟道层的表面制备同心圆形状的源电极和漏电极；其中，外圆为所述漏电极，内圆为所述源电极。本发明利用同心圆形状的源、漏电极之间形状的不同，使得源、漏电极之间更容易产生高场区域，从而使晶体管在比较低的源漏电压下就实现饱和特性，使晶体管的工作过程中降低操作电压和功耗。
场效应晶体管漏电极制备二维半导体同心圆形状表面制备栅介质层沟道层源电极晶体管衬底制备栅电极饱和特性操作电压源漏电压栅电极高场功耗内圆外圆制造

[发明专利]基于p型掺杂金刚石散热层的GaN HEMT及制备方法-CN202011384359.5在审
发明人：马晓华;程可;武玫;朱青;张濛;侯斌;杨凌;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于p型掺杂金刚石散热层的GaN HEMT及制备方法；该GaN HEMT包括自下而上设置的衬底、GaN材质的缓冲层、势垒层、介质层以及顶部散热层，还包括：源电极、漏电极以及栅电极；其中，在水平方向上，所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间，所述顶部散热层位于所述栅电极和所述漏电极之间并与所述栅电极相接触；所述源电极、所述漏电极以及所述栅电极分别穿过所述介质层与所述势垒层相接触；所述栅电极的上端向所述漏电极的方向延伸
基于掺杂金刚石散热 gan hemt 制备方法