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[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201210222544.3在审
发明人：李镕守;姜闰浩;柳世桓;姜秀馨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、栅绝缘层、源电极、漏电极和石墨烯层。半导体层与栅电极交叠。栅绝缘层设置在栅电极与半导体层之间。源电极与半导体层交叠。漏电极与半导体层交叠。漏电极与源电极间隔开。石墨烯图案设置在半导体层与源电极和漏电极中至少之一之间。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]一种垂直结构的微晶硅薄膜晶体管及其制备方法-CN201110397460.9无效
发明人：陈科;刘畅 -专利权人：上海广电电子股份有限公司
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直结构的微晶硅薄膜晶体管，包括玻璃基板，栅电极，绝缘层，有源层，源电极，漏电极，源电极在玻璃基板上，源电极上面是有源层，有源层上面是漏电极，漏电极上面是绝缘层，漏电极通过绝缘层上设有的通孔延伸至绝缘层的上面，栅电极在绝源层的侧面。即由于源电极、漏电极是上下夹着沟道有源层，沟道电流方向是上下方向垂直于玻璃基板，使沟道电流沿着微晶硅的晶向流动，从而可以减弱微晶硅的晶界影响薄膜晶体管性能。
一种垂直结构微晶硅薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]半导体装置-CN201610025894.9有效
发明人：山崎舜平;小山润;加藤清 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：提供：第一晶体管，包含沟道形成区域、第一栅极绝缘层、第一栅电极、以及第一源电极和第一漏电极；第二晶体管，包含氧化物半导体层、第二源电极和第二漏电极、第二栅极绝缘层、以及第二栅电极；以及电容器，包含第二源电极和第二漏电极中的一个、第二栅极绝缘层、以及提供为在第二栅极绝缘层之上与第二源电极和第二漏电极中的一个重叠的电极。第一栅电极以及第二源电极和第二漏电极中的一个彼此电连接。
半导体装置

[发明专利]石墨烯量子电容测试器件及其制备方法-CN201210331552.1有效
发明人：肖柯;吴华强;吕宏鸣;钱鹤;伍晓明 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：该方法包括：在衬底上形成栅电极引线图形、源电极引线图形和漏电极引线图形；在衬底上形成栅电极图形、源电极图形和漏电极图形，分别与该栅电极引线图形、源电极引线图形和漏电极引线图形接触；在栅电极图形上形成栅介质层图形；在栅介质层图形、源电极图形和漏电极图形上形成石墨烯层图形；以及在石墨烯层图形上对应源电极图形和漏电极图形分别形成欧姆接触层图形。
石墨量子电容测试器件及其制备方法

[发明专利]半导体装置-CN201080057685.3有效
发明人：山崎舜平;小山润;加藤清 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：提供：第一晶体管，包含沟道形成区域、第一栅极绝缘层、第一栅电极、以及第一源电极和第一漏电极；第二晶体管，包含氧化物半导体层、第二源电极和第二漏电极、第二栅极绝缘层、以及第二栅电极；以及电容器，包含第二源电极和第二漏电极中的一个、第二栅极绝缘层、以及提供为在第二栅极绝缘层之上与第二源电极和第二漏电极中的一个重叠的电极。第一栅电极以及第二源电极和第二漏电极中的一个彼此电连接。
半导体装置

[发明专利]有机发光显示设备-CN201510661328.2有效
发明人：柳春基;金大宇;朴钟贤;李炚瑾 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：提供一种有机发光显示(OLED)设备，所述OLED设备包括：基底；TFT，位于基底上并且包括有源层、栅电极、源电极和漏电极；第一层间绝缘层，位于栅电极与源电极之间以及栅电极与漏电极之间，并且包括无机材料；第二层间绝缘层，位于第一层间绝缘层与源电极之间以及第一层间绝缘层与漏电极之间，并且包括有机材料；第一有机层，覆盖源电极和漏电极；第二有机层，位于第一有机层上；电容器，包括第一电极和第二电极，第一电极包括与栅电极相同的材料，第二电极包括与源电极和漏电极相同的材料；像素电极，位于在不与TFT和电容器叠置的区域中形成的开口中，并与源电极和漏电极中的一个接触；发射层，位于像素电极上；对电极，位于发射层上。
有机发光显示设备

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置-CN201510593922.2在审
发明人：胡伟;刘信;杨妮 -专利权人：重庆京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，包括栅电极、源电极、漏电极以及漏电极引线，所述源电极由N个第一弯曲结构连接形成，所述漏电极由N-1个第二弯曲结构连接形成，所述源电极与所述漏电极对合设置，所述漏电极引线连接在所述漏电极上，所述漏电极引线的数量为(1～N-1)条。该薄膜晶体管采用N个弯曲结构连接成一整体作为漏电极，因此可以只采用(1～N-1)条漏电极引线与漏电极相连，减少了漏电极引线和引线凹槽的数量、减小了引线凹槽总宽度，既保证了较大的充电电流，又达到了减少TFT的光漏电的效果。
薄膜晶体管及其制备方法阵列显示装置

[发明专利]显示设备-CN201811093112.0在审
发明人：禹和成 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：一种显示设备包括栅极线、数据线、分压基准线、两个子像素电极和三个晶体管(每个晶体管包括连接到栅极线的栅电极)。第一晶体管包括第一源电极(连接到数据线)和第一漏电极。第二晶体管包括第二源电极(连接到数据线)和第二漏电极。第二漏电极在方向上延伸。第三晶体管包括半导体构件、第三源电极(连接到分压基准线)和第三漏电极(连接到第二漏电极)。第一子像素电极和第二子像素电极分别连接到第一漏电极和第二漏电极。第三漏电极和半导体构件在该方向上的最大重叠长度不等于第三源电极和半导体构件在该方向上的最大重叠长度。
漏电极晶体管源电极半导体构件数据线子像素电极显示设备基准线栅极线分压像素电极栅电极延伸

[发明专利]薄膜晶体管装置及其制造方法-CN201180001792.9无效
发明人：永井久雄;堀田定吉;河内玄士朗 -专利权人：松下电器产业株式会社;松下液晶显示器株式会社
申请日： 2011-03-17 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：将源电极(110)或漏电极(120)与硅层(130)及(140)层叠而成的膜厚是与将第1沟道层(150)和第2沟道层(160)层叠而成的膜厚相同的相同值或相同值的邻域值的范围内的膜厚，将第1沟道层(150)和第2沟道层(160)层叠而成的膜厚在源电极(110)及漏电极(120)之间的区域、以及源电极(110)及漏电极(120)的上方是相同膜厚，第1沟道层(150)和第2沟道层(160)沿着源电极(110)及漏电极(120)之间的形状在源电极(110)及漏电极(120)之间的区域凹陷，栅电极(180)具有与源电极(110)及漏电极(120)重叠的区域。
薄膜晶体管装置及其制造方法

[发明专利]功率半导体器件-CN201210265563.4无效
发明人：许承培;李宪福;金基世 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该功率半导体器件包括设置在器件有源区并在朝向第一侧的方向上变宽的源电极、与源电极交替布置在器件有源区并在朝向面对第一侧的第二侧的方向上变宽的漏电极、设置在源电极和漏电极上并被配置为包括接触源电极和漏电极的多个通路接触的绝缘层、设置在绝缘层上第一区内与源电极接触的源电极垫以及设置在绝缘层上与第一区隔开的第二区内并与接触漏电极的多个通路接触相接触的漏电极垫。
功率半导体器件

[发明专利]一种碳基多端仿生突触器件及其制备方法-CN202111528367.7在审
发明人：张国和;宫晨蓉;刘佳;俞宙;陈琳 -专利权人：西安交通大学;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明一种碳基多端仿生突触器件及其制备方法，该仿生突触器件从下至上包括衬底、导电层及电介质层，所述电介质层的上表面分别设有第一栅电极、第二栅电极、源电极及漏电极，源电极和漏电极通过半导体沟道相连接，所述导电层包括从下至上设置的金属导电层和半导体导电层该制备方法包括：在衬底的一表面沉积金属导电层；在得到的金属导电层上形成半导体导电层；在得到的基底上形成电介质层；在得到的电介质层上显影出栅电极、源电极和漏电极图案，将电极金属材料沉积在栅电极、源电极和漏电极图案上形成栅电极、源电极和漏电极；在得到的源电极和漏电极之间形成半导体沟道，得到碳基多端仿生突触器件。
一种基多仿生突触器件及其制备方法

[发明专利]显示装置-CN201110155448.7有效
发明人：神尾知巳 -专利权人：卡西欧计算机株式会社
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：提供显示装置，具备：第一扫描线及第二扫描线；第一信号线及第二信号线；第一薄膜晶体管，栅电极与第二扫描线连接，而源漏电极中的一个与第一信号线连接；第一像素电极，与第一薄膜晶体管中的源漏电极中的另一个连接；第二薄膜晶体管，栅电极与第一扫描线连接，而源漏电极中的一个与第一像素电极连接；第二像素电极，与第二薄膜晶体管中的源漏电极中的另一个连接；第三薄膜晶体管，栅电极与第一扫描线连接，而源漏电极中的一个与第二像素电极连接；第三像素电极，与第三薄膜晶体管中的源漏电极中的另一个连接；及第四薄膜晶体管，栅电极与第二扫描线连接，而源漏电极中的一个与第三像素电极连接，源漏电极中的另一个与第二信号线连接。
显示装置

[发明专利]一种金属半导体场效应晶体管-CN201811549415.9在审
发明人：陶临钢;韩丹惠 -专利权人：西安智盛锐芯半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属半导体场效应晶体管，包括：衬底层；第一缓冲层，第二缓冲层，外延层，沟道层，第三缓冲层，电极层；电极层包括源电极层、栅电极层和漏电极层；源电极层包括源电极和源极帽层，栅电极层包括栅电极和第三缓冲层，漏电极层包括漏电极和漏极帽层；栅电极层和源电极层、漏电极层之间设置有凹槽。本发明在不引入额外的栅漏电容的情况下提高了器件的输出电流，且本发明在不增加制造工艺难度的情况下改善器件的直流和交流特性。通过采用多层缓冲层结构，提升外延层的结构质量。
一种金属半导体场效应晶体管

[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置-CN201710224259.8有效
发明人：崔承镇 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：制备方法包括：在基底上依次沉积有源层薄膜、源漏金属薄膜和钝化层薄膜，通过构图工艺形成有源层、源漏电极和第一钝化层图案，第一钝化层的图案与源漏电极的图案相同。阵列基板包括基底，有源层、源漏电极和第一钝化层设置在所述基底上，所述第一钝化层的图案与源漏电极的图案相同。本发明通过在源漏电极上设置第一钝化层，在形成有源层和源漏电极图案的构图工艺中，避免了刻蚀过度甚至光刻胶剥落的缺陷，增加了图案准确性，提高了TFT性能的可靠性。
阵列及其制造方法显示面板显示装置

[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置-CN201711460896.1在审
发明人：周志超;夏慧;陈梦 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板，包括形成于衬底基板上的像素结构，所述像素结构设置有晶体管区和像素区，所述像素结构包括：透明电极层，其包括数据线、源电极、漏电极和像素电极，所述源电极和漏电极位于晶体管区中并相互绝缘，所述数据线电性连接到漏电极，所述像素电极位于像素区中并电性连接到源电极；铜金属层，沉积在所述数据线和漏电极上；半导体有源层，形成在所述源电极和漏电极之间并分别连接所述源电极和漏电极；栅极绝缘层，覆设于所述透明电极层、铜金属层以及半导体有源层上；相互电性连接的栅极线和栅电极，形成于所述栅极绝缘层上。
漏电极源电极阵列基板像素结构半导体有源层透明电极层栅极绝缘层电性连接晶体管区铜金属层显示装置像素电极数据线像素区制备衬底基板数据线电栅电极栅极线沉积绝缘