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[发明专利]介电射频溅射靶上的腐蚀轮廓控制-CN200980141150.1有效
发明人：约翰·C·福斯特;丹尼尔·J·霍夫曼;约翰·A·派披托恩;唐先民;汪荣军 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2009-09-30 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明一般包括可用于射频溅射处理的溅射靶组件。溅射靶组件可包括背板以及溅射靶。背板可成形成具有一个或多个从背板朝溅射靶延伸的鳍件。溅射靶可接合至背板的鳍件。溅射处理期间使用的射频电流将可施加至位于一个或多个鳍件位置的溅射靶。鳍件可于对应于配置在背板后的磁控管所制造的磁场的位置从背板延伸。藉由控制射频电流耦合至对准磁场的溅射靶的位置，可控制溅射靶的腐蚀。
射频溅射腐蚀轮廓控制

[发明专利]在基底上喷镀材料用的溅射装置-CN96105322.4无效
发明人：金范镇 -专利权人：大宇电子株式会社
申请日： 1996-06-04 - 公布日： 1997-01-29 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种溅射装置，包括一个由将被喷镀到其上的溅射材料制成的靶，靶有一个溅射表面，提供被喷镀到基底上的溅射材料，一个电源，用来产生基本上垂直于溅射表面的电场，磁铁组件，用来在溅射边缘区产生平行于溅射表面的磁场，以及一个用来使溅射靶旋转的马达。马达使溅射靶旋转，从而使磁场旋转，因此可使靶均匀地被侵蚀。
基底上喷镀材料溅射装置

[发明专利]多阴极磁控溅射干扰控制装置及方法-CN201610398279.2在审
发明人：王鲁南;李锺允;朴勝一;全武贤;朴翰镇;王建华;窦立峰 -专利权人：南京汇金锦元光电材料有限公司
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本技术解决了因各溅射腔内输入的气流流量不同而导致相邻溅射腔相互干扰，影响各溅射腔的沉积效果的问题，提供了一种相邻溅射腔互不干扰的多阴极磁控溅射干扰控制装置和方法，该干扰控制装置是在一个真空腔体内设置有多个磁控溅射阴极，每个磁控溅射阴极具有一个阴极屏蔽罩所形成的溅射腔体，阴极靶材位于各溅射腔内，各溅射腔体均与输入工作气体、反应气体的输入装置相通，各溅射腔均通过一个可以调节开度的阀门与真空泵相连。该控制方法，是使用该干扰控制装置，通过调节阀门的开度而调节真空泵对连接有该阀门的溅射腔的抽气速度，使得通过输入装置进入该溅射腔内的气体流量与该溅射腔内被真空泵抽出的气流流量相等。
阴极磁控溅射干扰控制装置方法

[发明专利]一种溅射挡板-CN201210120764.5有效
发明人：施玉安;李炳坤 -专利权人：上海北玻镀膜技术工业有限公司;上海北玻玻璃技术工业有限公司;洛阳北方玻璃技术股份有限公司
申请日： 2012-04-24 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开一种溅射挡板，包括一具有内腔的溅射腔体，并且所述溅射腔体内腔的底端面具有轴承座，其中，在所述溅射腔体内腔的侧端面以及内腔底端面的轴承座上分别设有若干冷却水管，所述轴承座的所述冷却水管上连接有沿横向设置的溅射板，所述内腔侧端面的所述冷却水管上连接有沿纵向设置的溅射板，并且沿纵向设置的所述溅射板靠近所述轴承座垂直弯折，同时，相对两侧端面的所述溅射板相互连接。使用本发明一种溅射挡板，由于溅射挡板与冷却水管通过软管相连接，使得每次溅射挡板拿去喷沙的时候，只需要单独把溅射挡板拆卸下来，等溅射挡板喷沙完成后，将溅射挡板安装上去即可，有效地减少了连接冷却水管和检漏的步骤
一种溅射挡板

[发明专利]一种低辐射玻璃的制作方法-CN201310718118.3无效
发明人：魏佳坤 -专利权人：揭阳市宏光镀膜玻璃有限公司
申请日： 2013-12-21 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种低辐射玻璃的制作方法,其特征在于包括以下步骤：A、交流中频电源溅射陶瓷钛靶，在玻璃基板上磁控溅射TiO₂介质层；B、直流电源溅射铬平面靶，在TiO₂介质层上磁控溅射CrNx阻挡层；C、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在TiO₂介质层上磁控溅射AZO平整层；D、直流电源溅射银平面靶，在AZO平整层上磁控溅射Ag功能层；E、直流电源溅射，在Ag功能层上磁控溅射(NiCr)xOy层；F、交流中频电源溅射锡靶，在(NiCr)xOy层上磁控溅射SnO₂保护层；G、直流电流溅射石墨靶，在步SnO₂保护层上磁控溅射
一种辐射玻璃制作方法

[实用新型]一种安全可靠的离子溅射仪-CN201821086329.4有效
发明人：张乔栋;孙健;蔡道库;王倩;袁泉 -专利权人：江苏纳沛斯半导体有限公司
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种安全可靠的离子溅射仪，包括溅射仪主体，所述溅射仪主体的顶部一侧固定设置有溅射底座，所述溅射底座的边缘处固定设置有限位凹槽，所述溅射底座的顶部固定设置有溅射室，所述溅射室的外表面罩合有保护壳，所述保护壳的内表面底部边缘处设置有限位凸起；在该溅射仪的溅射室外表面设置有一层保护壳，因为溅射室为透明的玻璃结构，在使用时火车运输过程中容易发生磕碰，有可能导致溅射室发生开裂或者破碎，通过保护壳的作用提高了了该溅射仪的使用安全性，在该溅射仪主体的底部固定设置有一个缓冲底座，在使用该仪器时，搬运过程中，放置时有可能不注意，导致用力过大，对仪器的内部线路产生影响，提高了该仪器的使用寿命。
溅射固定设置保护壳溅射室溅射仪底座离子溅射仪本实用新型使用安全性玻璃结构底部边缘缓冲底座火车运输内部线路使用寿命室外表面外表面罩边缘处内表面透明的磕碰凸起搬运破碎

[发明专利]回收溅射靶材的方法-CN201310329602.7在审
发明人：吴景晖;姚力军;李勇 -专利权人：宁波创润新材料有限公司
申请日： 2013-07-30 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种回收溅射靶材的方法，包括：提供溅射靶材，所述溅射靶材包括固定在一起的溅射面板和背板，所述溅射面板的拉应力和所述背板的拉应力均大于所述溅射面板和所述背板之间的啮合力；支撑所述背板，且对所述背板上与所述溅射面板的边缘位置对应的位置施加朝向所述溅射面板的压应力，所述压应力大于所述啮合力且小于所述溅射面板的拉应力；当所述溅射面板的边缘位置与所述背板的对应位置出现剥离时，沿朝向所述溅射面板的中心方向逐渐改变施加的压应力的位置，直至使所述溅射面板与所述背板完全分离本发明可以在不污染环境和不改变溅射面板成分的前提下，简单高效地回收其中的高纯金属，降低回收成本。
回收溅射方法

[发明专利]检测金属靶材溅射性能的方法-CN202211349580.6在审
发明人：鲍明东 -专利权人：宁波工程学院
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测金属靶材溅射性能的方法，其特征在于包括以下步骤：1)将靶材安装在磁控溅射设备的相应位置，采用恒流模式溅射；2)靶材表面污染物、氧化物等去除：开启设备，在设置好的工艺参数TP下对靶材进行T1时长的溅射刻蚀，消除靶材表面的污染物、氧化物；3)连续溅射镀膜：在上述工艺参数TP下进行T1时长的溅射刻蚀后，再进行连续溅射镀膜。对于需要检测的同一批靶材而言，只需要取一个靶材进行磁控溅射，将得到的溅射电压‑溅射时间曲线与标样曲线进行比对，用溅射靶材的溅射电压变化规律来定量评定靶材的溅射性能，可以综合反映晶粒度和表面形貌的交互影响
检测金属溅射性能方法

[发明专利]具有逆向侵蚀轮廓表面的溅射靶、溅射系统、及其使用方法-CN201210293401.1有效
发明人：阙嘉良;陈国洲;李仁铎;孟宪梁;林俊维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种溅射靶，该溅射靶包括平坦垫板和形成在该平坦垫板上方的靶材料，并且包括具有较厚部分和较薄部分的不平坦溅射表面，并且与诸如具有固定磁体装置的磁控溅射工具的溅射装置结合在一起进行配置。将不平坦表面为与由磁体装置生成的磁场结合在一起进行设计，以将较厚溅射靶部分设置在溅射靶侵蚀发生速度高的位置。还提供了一种磁控溅射系统，以及一种方法，该方法用于应用具有不平坦溅射表面的溅射靶的方法，使得使用靶的过程中将溅射靶上的厚度变得更加均匀。本发明还提供了一种具有逆向侵蚀轮廓表面的溅射靶、溅射系统、及其使用方法。
具有逆向侵蚀轮廓表面溅射系统及其使用方法

[发明专利]一种高结晶质量的氮化铪薄膜制备方法及应用-CN202110003038.4有效
发明人：魏洁;陈怀浩;杨少延;魏鸿源;高洁 -专利权人：南京佑天金属科技有限公司;中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种高结晶质量的氮化铪薄膜制备方法，包括：1、对硅衬底进行高温烘烤；2、降低硅衬底温度，通入溅射气体氩气，在第一反溅射功率下对硅衬底进行反溅射干式清洗；3、在第二溅射功率下对金属铪靶材进行射频磁控溅射预处理；4、在第三溅射功率下采用射频磁控溅射在硅衬底表面预沉积薄金属铪层；5、通入反应气体氮气与溅射气体氩气形成混合气体，在第四反溅射功率下采用反溅射形成薄氮化铪成核层；6、在第五溅射功率下采用直流磁控溅射进行氮化铪薄膜沉积生长；7、停止通入溅射气体氩气，在氮气气氛下对氮化铪薄膜高温退火；8、将硅衬底温度降至室温。
一种结晶质量氮化薄膜制备方法应用

[发明专利]一种低残余应力的铜薄膜制备方法-CN201210384082.5无效
发明人：唐武;王学慧 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：该方法应用在磁控溅射镀膜设备上，采用射频进行磁控溅射以制备铜薄膜，所述磁控溅射镀膜设备具有磁控溅射腔室，在所述磁控溅射腔室中设有磁控溅射靶；具体包括以下步骤：a.对基片进行预处理；b.将经过预处理后的基片放置在磁控溅射腔室内；c.对磁控溅射腔室进行抽真空；d.向磁控溅射腔室内通入高纯氩气；e.调节射频溅射功率和气压，对磁控溅射靶进行溅射，在基片上形成铜薄膜；f.在磁控溅射腔室冷却后，取出铜薄膜样品，进行残余应力测试。
一种残余应力薄膜制备方法

[实用新型]一种可监控薄膜晶粒生长的磁控溅射装置-CN202320023923.3有效
发明人：张晓军;朱新华;胡小波 -专利权人：深圳市矩阵多元科技有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可监控薄膜晶粒生长的磁控溅射装置，包括：壳体，具有内腔；基板组件，设于内腔且与壳体顶部连接；第一磁控溅射组件和第二磁控溅射组件，设于内腔且与壳体底部连接，平行于基板组件设置，且第一磁控溅射组件和第二磁控溅射组件位于同一水平线上，第一磁控溅射组件和第二磁控溅射组件的磁力大小相同，磁极相反；监控组件，设于内腔且与壳体侧壁连接，位于第一磁控溅射组件/第二磁控溅射组件和基板组件之间，且位于第一磁控溅射组件和第二磁控溅射组件的中心且垂直于基板组件的平面上本实用新型实施例的可监控薄膜晶粒生长的磁控溅射装置，能够在磁控溅射过程中监控薄膜晶粒生长状态，且不会改变电子轨迹，分析效率高。
一种监控薄膜晶粒生长磁控溅射装置

[实用新型]磁控溅射镀膜工艺室-CN202222989956.1有效
发明人：李茂;王豪奇;李建华 -专利权人：浙江生波智能装备有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种磁控溅射镀膜工艺室，其磁控溅射源包括第一磁控溅射源、第二磁控溅射源、第三磁控溅射源和第四磁控溅射源，其中，第一磁控溅射源和第二磁控溅射源位于磁控溅射镀膜工艺室左侧，用于在柔性PI基材背面的Cu过渡层上形成Cu功能层；第三磁控溅射源和第四磁控溅射源位于磁控溅射镀膜工艺室右侧，用于在柔性PI基材正面的Cu过渡层上形成Cu功能层。本实用新型实施例，在柔性PI基材的正反面各配置两个磁控溅射源，可双面同时一次完成镀膜，减少往复卷绕导致的良率以及效率的损失。同时，为能够制备出表面附着力符合要求的真空镀膜设备提供良好的保障。
磁控溅射镀膜工艺

[发明专利]溅射方法-CN201810401565.9有效
发明人：郭冰亮;马怀超;孙安东;张鹤南;董博宇;张璐;陈玉静 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：一种溅射方法。该溅射方法包括进行至少一次溅射工艺，各溅射工艺包括：S1：将基板移入腔室；S2：将挡板设置在靶材和基板之间；S3：利用靶材在挡板上溅射靶材金属的化合物；S4：将挡板从靶材与基板之间移开；以及S5：利用靶材在基板上沉积靶材金属的化合物，在S3之前，还包括预溅射工艺，以调节步骤S5中的溅射电压，预溅射工艺为利用靶材在挡板上预溅射靶材金属。该溅射方法可解决“靶中毒”的问题和工艺组件的阻抗变化的问题，并且还可以调节步骤S5中的溅射电压，保持溅射电压的稳定。
溅射方法

[发明专利]一种掺杂铬的晶态钨薄膜及其制备方法-CN201310627059.9无效
发明人：朱开贵;刘方舒 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：发明公开了一种掺杂铬的晶态钨薄膜及其制备方法，是利用磁控溅射设备直接连续溅射制备出掺杂铬的晶态钨薄膜，省略了后缀的退火处理。具体制备步骤为：将钨靶材放置在磁控溅射设备真空室中的直流溅射台上，把铬靶材放置在钨靶的溅射区内，基片放置在样品台上；对真空室抽真空至背底真空，向真空室充入氩气，并调节氩气流量和溅射气压，调节溅射直流和空载比；沉积溅射前预溅射一段时间后，调节基片至溅射区域，在设置的溅射沉积时间里开始制备掺杂铬的晶态钨薄膜。磁控溅射得到的掺杂铬的晶态钨薄膜无需进行后续的热处理过程。
一种掺杂晶态薄膜及其制备方法