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[发明专利]碲硒化合物薄膜、红外光电二极管及红外光电探测器-CN202310932889.6在审
发明人：林乾乾;李睿明 -专利权人：武汉大学
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本申请涉及一种碲硒化合物薄膜、红外光电二极管及红外光电探测器，该碲硒化合物薄膜用于红外光电二极管，制备方法包括如下步骤：对硒单质和碲单质加热，以得到碲硒化合物晶体，并研磨成碲硒化合物粉末；对所述碲硒化合物粉末进行蒸发，以得到碲硒化合物薄膜半成品；对所述碲硒化合物薄膜半成品进行退火处理，以得到碲硒化合物薄膜，所述退火处理包括：将所述碲硒化合物薄膜半成品从室温升温到50℃～225℃并保持1～10min。本申请可以解决相关技术中碲硒化合物薄膜的光电探测器暗电流高，严重影响器件的光性能的问题。
化合物薄膜红外光电二极管光电探测器

[发明专利]用于薄膜沉积设备的内部材料及其制造方法-CN201910443242.0有效
发明人：张成水;高贤哲;张敬翼;崔成真 -专利权人：高美科株式会社
申请日： 2015-06-04 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：一种用于薄膜沉积设备的内部材料，包括：用于薄膜沉积设备的腔室结构，其具有位于其中的反应空间；和涂层结构。该腔室结构包括其上放置对象的对象支撑单元、和用于支撑靶材的靶材支撑单元，该靶材包括用于对该对象进行薄膜沉积的第一金属物质。在该腔室结构的、暴露于反应空间的内表面上，用第二金属物质涂布该涂层结构，该第二金属物质具有构成该第一金属物质的金属元素中的至少一种金属物质。
用于薄膜沉积设备内部材料及其制造方法

[发明专利]用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备-CN201780014454.6有效
发明人：晓东·王;李靖珠;张富宏;马丁·李·瑞克;基思·A·米勒;威廉·弗鲁赫特曼;汪荣军;阿道夫·米勒·艾伦;守印·张;唐先明 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：公开用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备。在一些实施方式中，用于处理具有给定直径的基板的处理腔室包括：内部容积和待溅射靶材，内部容积包括中心部分和周边部分；可旋转磁控管，处于靶材上方以在周边部分中形成环形等离子体；基板支撑件，设置在内部容积中以支撑具有给定直径的基板；第一组磁体，围绕主体设置以在周边部分中形成实质上竖直的磁场线；第二组磁体，围绕主体设置且处于基板支撑件上方以形成指向支撑表面的中心的磁场线；第一电源，用于电偏置靶材；和第二电源，用于电偏置基板支撑件。
用于物理沉积工艺控制离子分数方法设备

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质-CN202211477027.0在审
发明人：柴田仁;高畑觉;布村一朗;铺田严 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质，能够避免在将基板从基板保持件卸下时，由于所形成的膜而将基板与基板保持件固定连接，导致无法将基板从基板保持件剥离的问题。基板处理装置具有：基板保持件，其设置有载置基板的基板载置部；基板移载机构，其相对于基板载置部装填或卸下基板；处理容器，其容纳保持有基板的基板保持件；成膜气体供给系统，其对处理容器内的基板供给成膜气体；以及控制部，其能够控制基板移载机构和成膜气体供给系统，使得在从开始对基板供给成膜气体的成膜处理起至在基板上形成所需的厚度的膜为止的期间，至少一次将成膜处理的实施中断，并进行基板载置部上载置的基板的剥离处理。
处理装置半导体制造方法存储介质

[发明专利]氮化镓薄膜的制造方法-CN201980002104.7有效
发明人：白井雅纪;山本拓司;高泽悟 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：边导入形成结晶性好的氮化镓薄膜的溅射气体和氮气边将氮化镓的靶33进行反应性溅射，同时边从自由基枪部40朝向基板22释放氮自由基48边在基板22的表面形成薄膜。在靶33侧和基板22侧这两侧被氮化，形成结晶性好的氮化镓薄膜。
氮化薄膜制造方法

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN202180055657.6在审
发明人：松中繁树;藤田笃史 -专利权人：芝浦机械电子装置株式会社
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明提供一种能够以高生产率形成GaN膜的成膜装置及成膜方法。实施方式的成膜装置1包括：腔室20，能够使内部为真空；旋转台31，设置于腔室20内，保持工件10，以圆周的轨迹循环搬送工件10；GaN成膜处理部40A，具有包含含有GaN的成膜材料的靶、及将导入至所述靶与所述旋转台之间的溅射气体G1等离子体化的等离子体产生器，通过溅射使含有GaN及Ga的成膜材料的粒子堆积于由旋转台31循环搬送的工件10；以及氮化处理部50，使在GaN成膜处理部40A中堆积的成膜材料的粒子在由旋转台31循环搬送的工件10氮化。
装置方法

[发明专利]用于钨膜的低电阻率物理气相沉积的系统和方法-CN201680059853.X有效
发明人：乔斯林甘·罗摩林甘;清·X·源;王志勇;雷建新;唐先民 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：在此公开用于将耐火金属层溅射到设置在基板上的阻挡层上的系统和方法。在一或多个实施方式中，在集成电路中溅射沉积钨结构的方法包括以下步骤：将基板移动到等离子体处理腔室中，且移动到与溅射靶材组件相对的基板支撑件上，溅射靶材组件包含具有不超过10ppm的碳和不超过10ppm的氧作为杂质存在的钨靶材；将氪气流入等离子体处理腔室；和将氪气激发成等离子体，以通过溅射而在由基板支撑件所支撑的基板的材料层上沉积钨膜层。在一些实施方式中，靶材组件进一步包括钛背板和设置在钛背板与钨靶材之间的铝粘合层。
用于电阻率物理沉积系统方法

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN202210226125.0在审
发明人：林晨弘;邱雅琴;林明贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：一种半导体元件的制造方法，实施例是针对一种优化沉积在半导体处理腔室中的半导体基板上的目标材料膜的厚度的方法，其中半导体处理腔室包含位于半导体处理腔室上的磁性组件，磁性组件包含在磁性组件内的多个磁柱。方法包含：操作半导体处理腔室以在位于半导体处理腔室内的半导体基板上沉积目标材料膜；量测沉积膜的均匀性；调整一个或多个磁柱在磁性组件中的位置；及在调整一个或多个磁柱的位置之后，操作半导体处理腔室以沉积目标材料的膜。
半导体元件制造方法

[发明专利]用于减少基板附近的电场影响的单件式处理配件屏蔽件-CN201680052197.0有效
发明人：威廉·约翰森;希兰库玛·萨万戴亚 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明提供处理配件屏蔽件和包含所述处理配件屏蔽件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，经配置于处理腔室中使用的单件式处理配件屏蔽件用于处理具有给定直径的基板，所述单件式处理配件屏蔽件包括：具有上部和下部的圆柱体；设置在所述上部内的环形传热沟道；和盖环部，所述盖环部从所述下部径向向内延伸且具有从所述盖环部的底表面延伸的环形腿部，其中所述环形腿部经配置而与沉积环界面连接以在所述底表面和所述沉积环之间形成迂曲路径。
用于减少附近电场影响单件式处理配件屏蔽

[发明专利]外延GeSi量子点的方法-CN201910307554.9有效
发明人：陈弘;徐然;邓震;贾海强;王文新;王森;李欣欣 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明提供一种外延GeSi量子点的方法，包括如下步骤：步骤1)在硅衬底上采用光刻结合湿法腐蚀技术制备截顶倒置金字塔图形，得到图形衬底；所述截顶倒置金字塔的四个侧面的晶面为(111)面；步骤2)去除所述图形衬底上湿法腐蚀的掩膜并清洗所述图形衬底；步骤3)将所述图形衬底置于外延生长装置中，在所述截顶倒置金字塔图形衬底上直接异质外延GeSi量子点；步骤4)在所述GeSi量子点上外延硅盖层。本发明提供的方法同时规避了干法刻蚀会损伤衬底表面以及湿法腐蚀制备图形衬底的特征尺寸过大导致生长的量子点特征尺寸过大的缺点。采用本发明提供的方法所生长的量子点大小一致，同时量子点的位置高度对称，实现了量子点生长的四倍频。
外延 gesi 量子方法

[发明专利]硒掺杂黑硅材料及其制备方法-CN202210696880.5在审
发明人：杜玲艳;殷杰;伊浩;肖贵坚;王志鹏 -专利权人：四川轻化工大学;重庆大学
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明提供了一种硒掺杂黑硅材料及其制备方法，目的是解决现有飞秒激光辐射晶体硅时会在其表面产生尖锥陈列及晶格缺陷的问题，该方法包括：取硅片，用RCA标准清洗法清洗，氮气吹干；将硅片置于真空镀膜机内，取Se粉作为蒸发源，蒸镀一层厚度为100‑200nm的Se膜；将硅片置于高真空磁控溅射装置中，溅射一层厚度为150nm的Si膜；进行皮秒激光脉冲扫描处理，激光脉冲中心波长为1064nm，频率为2000KHz，脉宽为8.7ps，作用于硅片上的单点平均激光脉冲数目为33‑400个；加工后的硅片依次放入丙酮中超声清洗、放入HF溶液中浸泡，用去离子水漂洗，最后经高纯氮气吹干，即得。制得的黑硅表面产生微米级沟道和大量纳米级颗粒，原有硅片的晶相未被破坏。
掺杂材料及其制备方法

[发明专利]一种采用退火方法制备图案化有序双金属纳米粒子阵列的方法-CN201810851530.5有效
发明人：王作斌;王璐;于化东;许金凯;董莉彤;李理;翁占坤 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2018-07-30 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用退火方法制备图案化有序双金属纳米粒子阵列的方法，利用激光干涉烧蚀和金属薄膜退火两步处理法，首先利用激光干涉在硅片上烧蚀出周期性跨尺度的微/纳米结构图案，并在硅衬底上溅射沉积特定厚度的双层金属膜，退火过程中利用在图案化硅衬底表面的金属膜反润湿特性，实现金属纳米粒子模版化的自组装，得到与激光干涉图案一致的有序双金属纳米粒子阵列。本发明可获得大面积图案化有序的双金属纳米粒子阵列，制备方法简单无需图案转移及化学合成，具有粒子尺寸和成份可控，图案可控，重复性好，稳定性高等优点。
一种采用退火方法制备图案有序双金属纳米粒子阵列

[发明专利]一种半导体疏水性化学材料高密度均质混合方法及装置-CN202111680525.0在审
发明人：黄锦星;谢明勋 -专利权人：福建雄驰科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体疏(厌)水性化学材料高密度均质混合方法，包括以下步骤：首先将水经过微纳米气泡产生器释放出气泡与氢气氧气分子液气共融，再通过氢气过滤器产生高活性抗氧化的氢气分子H2，MOCVD(金属有机化学气相沉积)或PVD(物理气相沉积)加工之前先用上述方式获得的氢气分子H2前处理，以范德华力分子作用力的诱导力跟取向力实现分子距离最小的贴合作用实现轻薄短小化减少尺寸跟重量。本发明使用微纳米气泡产生器(装置)加气体吸收过滤器，在疏水性化学材料物理或化学加工的过程体现均匀质量的纳米效益，氢分子抗氧化与高活性会剥离异物与均匀混合一致性，不需要太多工序，实现高纯化与更均匀质量的加工诉求。
一种半导体疏水化学材料高密度混合方法装置

[发明专利]一种少子寿命控制方法-CN202011005223.9在审
发明人：刘勇强;史波;马颖江;曾丹;林志龙 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本申请公开了一种少子寿命控制方法，应用于第一硅晶片，第一硅晶片属于RC‑IGBT，方法包括：向第一硅晶片注入第一离子，得到P型半导体；在P型半导体上淀积阻隔层；从阻隔层上刻蚀出第一区域，并将第一区域作为续流二极管区域，第一区域不具有阻隔层；向第一区域注入第二离子，以在第一区域上形成N型半导体；对形成N型半导体的第一区域进行重金属溅射；采用第一热处理方式，对包含经过重金属溅射的第一区域的所述第一硅晶片进行热处理，以使重金属在第一硅晶片中形成复合中心。由于复合中心可以改变第一硅晶片中少子的复合方式，将少子的复合方式由直接复合变为间接复合，因此，可以有效地减少少子的复合时间从而降低续流二极管的反向恢复时间。
一种少子寿命控制方法

[发明专利]铜铟镓硒薄膜的制备方法、光电器件的制备方法-CN202111244638.6在审
发明人：赵晨晨;李伟民;祁同庆;王伟;张琛;周鸿飞;冯叶;李文杰;马明;杨春雷 -专利权人：深圳先进技术研究院;中国科学院深圳理工大学（筹）
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜铟镓硒薄膜的制备方法，包括步骤：S10、将基底加热至第一温度，在基底上共蒸铟、镓和硒；S20、提高基底的温度至第二温度，在基底上共蒸铜和硒；S30、保持基底的温度为第二温度，在基底上共蒸铟、镓和硒，获得铜铟镓硒薄膜；其中，步骤S10中硒的蒸气压为步骤S30中硒的蒸气压的4～8倍，步骤S20中硒的蒸气压为步骤S10中硒的蒸气压的2～8倍；步骤S10中铟和镓的蒸气压为步骤S30中铟和镓的蒸气压的4～8倍。本发明在三步共蒸发法制备铜铟镓硒薄膜的过程中，通过调控各个共蒸步骤的硒的蒸气压，可以使得共蒸设备的反应腔室的薄膜生长环境更加稳定从而有利于高质量薄膜的生长，并且还可以避免硒源的浪费从而能够更加准确地控制固态硒源的耗尽时间。
铜铟镓硒薄膜制备方法光电器件

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