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[发明专利]一种油浸绝缘纸复合绝缘介质的制备方法-CN201911244566.8在审
发明人：杜伯学;姜金鹏 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开一种油浸绝缘纸复合绝缘介质的制备方法，包括以下步骤：(1)在磁控溅射平台中进行磁控溅射，将ZnO靶材安装在磁控溅射平台的靶位，将绝缘纸放置在靶材正下方；关闭真空室；对溅射室抽真空；真空室真空度达到≤5×10‑3Pa时开始溅射过程；(2)向溅射室中通入溅射气体，在气体环境中进行磁控溅射；在磁控溅射过程中，控制通入气体的气压和流量以及溅射过程的溅射功率和溅射时间；(3)溅射结束后，绝缘纸表面形成一层ZnO膜层，得到改性绝缘纸，经真空脱水脱气和浸油处理后，得到油浸绝缘纸复合绝缘介质。
一种绝缘纸复合绝缘介质制备方法

[发明专利]地面电推进试验用的带筒体双层防溅射分子沉和冷却方法-CN201810030071.4有效
发明人：蔡国飙;苏杨;贺碧蛟;凌桂龙;翁惠焱 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： B64G7/00 文献下载
摘要：本发明提供了地面电推进试验用的带筒体双层防溅射分子沉，双层防溅射分子沉结构的制冷方法，涉及等离子体空间环境模拟试验设备技术领域。其中，带筒体双层防溅射分子沉，包括双层防溅射分子沉筒体骨架、筒体冷却管板，次端防溅射分子沉和端部防溅射分子沉，双层防溅射分子沉筒体骨架、与筒体骨架连接在一起的筒体冷却管板共同形成筒体，筒体冷却管板围成筒体的内壁，端部防溅射分子沉和次端防溅射分子沉沿筒体轴向排列，端部防溅射分子沉安装在筒体的底端，次端防溅射分子沉安装在筒体的内部。该发明能够解决现有技术中存在的地面电推进试验的防溅射结构的防溅射能力差的技术问题。
防溅射筒体电推进冷却管带筒沉筒试验等离子体空间环境模拟试验设备技术领域骨架连接筒体轴向板围成筒底端内壁制冷冷却

[实用新型]一种长寿命磁控溅射靶材-CN201420452183.6有效
发明人：罗俊锋;刘书芹;万小勇;董亭义;何金江;于海洋;刘冬青;吕保国 -专利权人：有研亿金新材料有限公司
申请日： 2014-08-12 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种长寿命溅射靶材，包括溅射面和冷却面，所述溅射面的溅射区域在靶材原溅射区的基础上增厚2mm以内，增厚的部分小于靶材原溅射区域，且增厚部分的边缘与靶材原溅射区域之间呈台阶状或斜坡状。所述靶材原溅射区的厚度为5.8～6.2mm。本实用新型通过增加溅射区域厚度提高靶材使用寿命，未参与溅射的边缘保持原尺寸，这样可以避免影响靶材安装及整体的溅射性能。在靶材边缘为台阶结构或斜坡结构，其作用是防止在靶材溅射过程产生的反溅物质与机台阴极保护框接触而导致短路。本实用新型的有益效果是通过所述靶材的设计解决了溅射靶材使用寿命比较短、使用效率比较低与原材料浪费等问题，降低了生产成本。
一种寿命磁控溅射

[实用新型]一种具有三套溅射源的磁控溅射镀膜生产线-CN201921265470.5有效
发明人：刘林兴 -专利权人：苏盛纳米涂层科技（苏州）有限公司
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有三套溅射源的磁控溅射镀膜生产线，包括底板，所述底板顶部的左侧固定连接有真空预抽箱，所述底板的顶部且位于真空预抽箱的右侧固定连接有真空镀膜箱，真空镀膜箱的内部从左至右分别设置有第一溅射源、第二溅射源和第三溅射源。本实用新型所述的一种具有三套溅射源的磁控溅射镀膜生产线，设有U型框、螺纹杆与挤压板，能够对第一溅射源、第二溅射源和第三溅射源进行拆卸维修，操作简单实用，降低了维护成本，有利于广泛推广使用，并能对第一溅射源、第二溅射源和第三溅射源进行挤压，保证了其使用时的稳定性，还可以通过安装块和安装孔可将装置安装在指定位置，带来更好的使用前景。
一种具有溅射磁控溅射镀膜生产线

[发明专利]溅射装置、薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法-CN200980140711.6无效
发明人：仓田敬臣;清田淳也;新井真;赤松泰彦;石桥晓;斋藤一也 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够降低衬底层受到的损伤的溅射装置、薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法。溅射装置(100)具有传送机构、第1溅射靶(Tc1)、第2溅射靶(Tc2～Tc5)、溅射机构。第1溅射靶(Tc1)对着传送面且与之相隔第1间隔。第2溅射靶配置在第1溅射靶的基板的传送方向的下游侧，对着传送面且与之相隔比第1间隔小的第2间隔。溅射机构使所述第1溅射靶(Tc1)与第2溅射靶(Tc2～Tc5)产生溅射。采用这样的溅射装置(110)，对衬底层的损伤小，能够制造出成膜特性良好的薄膜。
溅射装置薄膜形成方法以及场效应晶体管制造

[发明专利]一种曲面基材磁控溅射镀膜装置-CN202210656579.1有效
发明人：陶利松 -专利权人：浙江合特光电有限公司
申请日： 2022-06-11 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请涉及一种曲面基材磁控溅射镀膜装置，包括水平设置的机架、设置于机架的输送带和设置于机架的溅射靶材，溅射靶材与所述机架之间设置有用于改变镀膜粒子溅射方向的调节装置，将曲面玻璃沿输送带输送方向放置于输送带上，启动溅射靶材，朝向曲面玻璃进行镀膜溅射，同时启动调节装置，根据曲面玻璃的波峰波谷变化改变粒子溅射方向，使粒子溅射方向尽可能与镀膜面保持垂直，从而使粒子溅射更加均匀。
一种曲面基材磁控溅射镀膜装置

[发明专利]非晶态钨薄膜的制备方法-CN201110121213.6无效
发明人：王雯;张勇;刘方舒;朱开贵 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2011-05-11 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁控溅射法制备非晶态钨薄膜的方法，包括以下步骤：(1)靶材选取，选取99.95％的块状钨作为磁控溅射的靶材，将把才放入磁控溅射室；(2)衬底处理，对衬底依次用丙酮、酒精和去离子水超声清洗后放入磁控溅射室；(3)制备非晶态钨薄膜，磁控溅射室的真空度小于等于2×10-5Pa，工作气体是氩气，调节溅射气压、溅射电流、溅射时间和靶材到衬底的距离，经过一顶时间溅射制备薄膜。
晶态薄膜制备方法

[发明专利]溅射靶及其制造方法-CN200880000553.X无效
发明人：高桥诚一郎;清远纯一 -专利权人：三井金属矿业株式会社
申请日： 2008-04-25 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供初期稳定性显著提高、同时除低溅射中期和后期的打弧、而且能够以低的成本制造的溅射靶和其制造方法以及溅射方法。该溅射靶供给溅射、向非腐蚀部堆积堆积物，该堆积物至少直至界面附近的层结晶性良好地进行堆积。另外，该溅射靶供给溅射、投入50Wh/cm²以上的能量后的向非腐蚀部的堆积物与溅射面之间基本上不存在空隙而进行堆积，另外，在靶的溅射面上具有水吸附层。
溅射及其制造方法

[发明专利]高频溅射装置及高频溅射方法-CN201811256655.X在审
发明人：徐继伟;郑亮;余晓荣 -专利权人：江苏特丽亮镀膜科技有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频溅射装置及高频溅射方法。该装置包括溅射室、靶材、高频电极、高频振荡器、直流电源、衬底、衬底支座和充气系统；溅射室用于提供真空环境，靶材设置在溅射室内的上部，靶材背面与高频电极可导电地固定连接，高频电极通过绝缘材料安装在溅射室的上端；高频振荡器为可调式振荡器，输入端连接直流电源，输出端连接高频电极；衬底设置在溅射室内的下部，衬底固定安装在衬底支座上，衬底支座可转动地安装在溅射室的下端；充气系统与溅射室连通。本发明的高频溅射装置及高频溅射方法，能够对绝缘体靶材进行溅射，从而在衬底上沉积所需的绝缘体薄膜，且能保证获得的绝缘体薄膜厚度的均匀性，结构简单，制造成本低，操作方便。
衬底溅射室高频电极高频溅射装置高频溅射靶材溅射高频振荡器绝缘体薄膜充气系统直流电源绝缘体可调式振荡器室内输出端连接输入端连接靶材背面绝缘材料真空环境制造成本导电地均匀性可转动上端下端沉积连通保证

[发明专利]成膜装置、成膜系统以及成膜方法-CN201910733755.5在审
发明人：品田正人;户岛宏至 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种能够以倾斜成膜为基础而进行自由度较高的溅射成膜的成膜装置、成膜系统以及成膜方法。成膜装置具备：处理腔室；第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部，其分别具有在处理腔室的处理空间沿着互不相同的倾斜方向释放溅射粒子的靶；溅射粒子遮蔽板，其具有供溅射粒子穿过的穿过孔；基板支承部，其支承基板控制部以使基板直线地移动的方式进行控制，同时控制来自第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部的溅射粒子的释放，从第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部释放出来的溅射粒子在穿过孔穿过，并向基板上堆积。
装置系统以及方法

[发明专利]成膜系统和成膜方法-CN202111498049.0在审
发明人：品田正人;户岛宏至 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜系统和成膜方法，能够以倾斜成膜为基础而进行自由度较高的溅射成膜。成膜系统的成膜装置具备：处理腔室；第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部，其分别具有在处理腔室的处理空间沿着互不相同的倾斜方向释放溅射粒子的靶；溅射粒子遮蔽板，其具有供溅射粒子穿过的穿过孔；基板支承部，控制部以使基板直线地移动的方式进行控制，同时控制来自第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部的溅射粒子的释放，从第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部释放出来的溅射粒子在穿过孔穿过，并向基板上堆积。
系统方法

[发明专利]成膜系统和成膜方法-CN202111499892.0在审
发明人：品田正人;户岛宏至 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜系统和成膜方法，能够以倾斜成膜为基础而进行自由度较高的溅射成膜。成膜系统的成膜装置具备：处理腔室；第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部，其分别具有在处理腔室的处理空间沿着互不相同的倾斜方向释放溅射粒子的靶；溅射粒子遮蔽板，其具有供溅射粒子穿过的穿过孔；基板支承部，控制部以使基板直线地移动的方式进行控制，同时控制来自第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部的溅射粒子的释放，从第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部释放出来的溅射粒子在穿过孔穿过，并向基板上堆积。
系统方法

[发明专利]直流溅射方法及直流溅射装置-CN202210795406.8在审
发明人：周张琪;李志华 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明提供一种直流溅射方法及直流溅射装置，包括：对置于直流溅射装置中的板执行直流溅射工艺，执行直流溅射工艺时通过监测溅射电流是否大于设定电流以判定直流溅射工艺是否发生电弧放电，设定电流大于直流溅射工艺的标准电流；若发生电弧放电则发出异常信号，并响应于异常信号而切断直流电源以进行熄弧处理，并于预定时间后再继续执行直流溅射工艺。本发明中，通过在直流溅射工艺中监测溅射电流是否大于设定电流以判定该直流溅射工艺是否发生电弧放电，若发生电弧放电即切断直流电源进行熄弧处理，从而减少电弧放电对靶材或基板等的危害，进而减少基板上因电弧放电引起的缺陷
直流溅射方法装置

[发明专利]一种用于深孔PVD的金属自离子化装置及镀膜方法-CN202210242955.2在审
发明人：佘鹏程;程文进;范江华;黄也;罗超 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请提供了一种用于深孔PVD的金属自离子化装置及镀膜方法，包括溅射腔体、基片台、溅射组件、绝缘环、适配板和离子化线圈组件，适配板位于溅射腔体上部，溅射组件位于溅射腔体顶部，溅射组件通过绝缘环与适配板绝缘密封布置，基片台位于溅射腔体内，离子化线圈组件位于溅射腔体内，位于基片台和溅射组件之间，离子化线圈组件包括离子化线圈，溅射组件包括溅射靶材，溅射靶材的材质与离子化线圈相同；基片台与第一射频电源连接；离子化线圈与第二射频电源连接
一种用于 pvd 金属离子化装置镀膜方法

[发明专利]一种耐腐蚀薄膜的制备方法-CN201310552861.6有效
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐腐蚀薄膜的制备方法，包括：A、直流电源溅射Bi平面靶，在透明耐热基板上磁控溅射Bi2O3层；B、交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在Bi2O3层上磁控溅射TiOx层；C、直流电源溅射铬平面靶，在TiOx层上磁控溅射CrNx层；D、直流电源溅射铜平面靶，在CrNx层上磁控溅射Cu层；E、直流电源溅射NiCr合金平面靶，在Cu层上磁控溅射NiCr层；F、交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层。
一种腐蚀薄膜制备方法