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[发明专利]用于擦拭溅射靶材的转盘及擦拭溅射靶材的方法-CN201610402363.7在审
发明人：姚力军;潘杰;相原俊夫;大岩一彦;王学泽;宋召东 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： B08B1/02 文献下载
摘要：一种用于擦拭溅射靶材的转盘及擦拭溅射靶材的方法，包括相对设置的底盘和托盘，所述底盘的盘面和所述托盘的盘面相对，所述托盘和所述底盘可转动连接，使所述托盘能够在所述底盘上方自转；所述托盘的顶面为平面；弹性垫当需要擦拭溅射靶材时，将溅射靶材放置在第一净化布上。旋转托盘带动溅射靶材旋转，并控制另一个第二净化布与溅射靶材的顶面相贴，利用第二净化布与溅射靶材的相对转动擦拭溅射靶材的顶面。在溅射靶材加工成型的过程中，其表面的刀纹路径是旋转的；因此，在溅射靶材旋转的过程中，能够更容易的顺着溅射靶材的刀纹路径擦拭其表面，不易擦花溅射靶材的表面。
用于擦拭溅射转盘方法

[发明专利]一种通过磁控溅射镀膜机提高不同金属膜间结合力的方法-CN202011502529.5在审
发明人：周东平 -专利权人：镇江晶鼎光电科技有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种通过磁控溅射镀膜机提高不同金属膜间结合力的方法，属于磁控溅射镀膜技术领域，包括如下加工步骤：（1）将基材表面清洗干净，烘干，置于磁控溅射镀膜机内；（2）设定好磁控溅射镀膜机的真空度、功率，以满功率状态在基材上对金属A溅射到所需厚度；（3）再采用满功率的50%状态对金属A溅射t1时间，对金属B溅射t2时间；（4）再用满功率的30%对金属A溅射t3时间，采用满功率的70%对金属B溅射t4时间；（5）再用满功率状态对金属B溅射到所需厚度；（6）溅射结束后自然冷却到室温，即可取出产品。该种方法通过磁控溅射镀膜机在两种金属膜层之间增加多层过渡层，可提高金属膜层之间的结合力。
一种通过磁控溅射镀膜提高不同金属膜结合方法

[发明专利]一种磁控溅射镀膜机-CN202211366586.4在审
发明人：周征华;李龙哲;朱显君;夏伟;李花;张亚芹 -专利权人：上海哈呐技术装备有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明属于镀膜设备领域，公开了一种磁控溅射镀膜机，蒸发镀膜室、溅射镀膜室和设置于蒸发镀膜室与溅射镀膜室之间可启闭地的翻板阀，翻板阀开启时蒸发镀膜室与溅射镀膜室连通，翻板阀关闭时将蒸发镀膜室与溅射镀膜室分隔为两个独立的腔室；蒸发镀膜室上设有可启闭的腔室门，蒸发镀膜室内设有前处理机构、AF蒸发机构和移载机构，溅射镀膜室内设有溅射机构；移载机构沿所述蒸发镀膜室至溅射镀膜室的方向可往复移动，用于将放置有待处理产品的工装板放入溅射镀膜室并从溅射镀膜室内拾取放置有已处理产品的工装板本发明溅射镀膜室可始终保持真空状态，无需重新抽真空，可实现产品的连续性不间断溅射镀膜，大大提高生产效率。
一种磁控溅射镀膜

[发明专利]基于PEN衬底的柔性氧化镓紫外探测器的制备方法及探测器-CN202310750715.8在审
发明人：丁悦;付玉好;左清源;皇甫倩倩;马晓凡;陈飞雨 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：制备方法包括如下步骤：(1)PEN衬底的裁剪和清洗；(2)利用磁控溅射工艺在所述PEN衬底上溅射氧化镓薄膜；(3)利用磁控溅射工艺在所述氧化镓薄膜上沉积制备ITO电极，形成紫外探测器；所述ITO电极沉积过程中使用掩膜板，溅射靶材为ITO，靶基距为80mm，具体的溅射参数如下：打靶时，氩气气流量为30sccm，溅射气压为8mTorr，溅射功率为80W，溅射时间为10min；正式生长时，氩气气流量为53sccm，溅射气压为8mTorr，溅射功率为80W，送样预设角度为276度，预溅射时间为60s，溅射时间为40min。
基于 pen 衬底柔性氧化紫外探测器制备方法

[发明专利]用于薄膜太阳能电池制造的低成本溅射机及溅射方法-CN200910149351.8有效
发明人：张一熙;李家娴;李冠颉 -专利权人：亚洲太阳科技有限公司
申请日： 2009-06-18 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种用于薄膜太阳能电池制造的低成本溅射机及溅射方法，所述溅射机包括一腔体，具有一溅射空间；一载具，设于腔体的溅射空间内；一基板，被承载于载具上，载具用以输送基板；至少一传动装置，设于载具的侧边，并且位于腔体的溅射空间内；以及一靶材，连接传动装置；靶材与传动装置产生相对移动，致使靶材可在基板表面上水平移动。本发明用于薄膜太阳能电池制造的低成本溅射机的优点在于：利用上述的低成本溅射机及溅射方法，可有效率地于基板表面上形成镀膜，而此种溅射机并不需要体积庞大及冗长行程的载具以输送基板供靶材溅射，这有助于溅射机的体积小型化以及降低生产成本
用于薄膜太阳能电池制造低成本溅射方法

[发明专利]ITO薄膜溅射工艺方法及ITO薄膜溅射设备-CN201310023126.6有效
发明人：耿波;叶华;文利辉;杨玉杰;夏威;王厚工;丁培军 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-01-22 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种ITO薄膜溅射工艺方法和ITO薄膜溅射设备。其中ITO薄膜溅射工艺包括以下步骤：1）将直流溅射电源的输出电压限制到所述直流溅射电源的额定电压以下，且通过所述直流溅射电源对靶材施加预定功率；2）向反应腔内通入工艺气体，所述反应腔内的工艺气体压力设定为所述反应腔内的所述工艺气体能够启辉的预定压力，以使所述工艺气体在所述反应腔内启辉；和3）将所述反应腔内的工艺气体压力降低到所述预定压力以下且通过所述直流溅射电源对所述靶材施加溅射功率以进行溅射，所述溅射功率大于等于所述预定功率且小于等于所述溅射电源的额定功率本发明的ITO薄膜溅射工艺可降低启辉时的电压峰值。
ito 薄膜溅射工艺方法设备

[发明专利]一种高透薄膜的制备方法-CN201310548946.7有效
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种高透薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A、直流电源溅射Nb平面靶，在透明耐热玻璃基板上磁控溅射Nb2O5层；B、交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在Nb2O5层上磁控溅射TiO2层；C、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶旋转靶，在TiO2层上磁控溅射AZO层；D、直流电源溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；E、直流电源溅射NiCr合金平面靶，在Ag层上磁控溅射NiCr层；F、交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在NiCr层上磁控溅射TiO2层。
一种薄膜制备方法

[发明专利]背金溅射方法-CN201110229846.9有效
发明人：周军 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-08-11 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种背金溅射方法，包括：获取晶片的厚度与分步作业次数间的第一对应关系；获取晶片的厚度与溅射设备工作功率间的第二对应关系；根据所述第一对应关系，按照与产品晶片的厚度相对应的作业次数，将整个溅射过程划分为几个溅射步骤；根据所述第二对应关系以及对溅射步骤的划分，选取与产品晶片的厚度相对应的工作功率，对所述产品晶片进行背金的溅射，在选择的工作功率下，溅射过程出现金属聚集状缺陷的个数在工艺允许范围内；在完成一个溅射步骤后，停止溅射过程，采用冷却水对溅射设备进行降温，直至完成整个溅射过程。本发明实施例减少了在较薄的器件背面，采用溅射方式淀积背金时的金属原子聚集状缺陷。
溅射方法

[发明专利]一种溅射阳极罩及溅射装置-CN201110250464.4无效
发明人：武伟;周志锋;陈龙豪 -专利权人：安徽鑫昊等离子显示器件有限公司
申请日： 2011-08-29 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种溅射阳极罩包括阳极罩外壳，该阳极罩外壳具有溅射孔和与该溅射孔垂直的轨道腔；挡板，该挡板设置在所述轨道腔内，并可沿所述垂直所述溅射孔的方向移动；及驱动机构，所述驱动机构设置在所述溅射孔底部当采用溅射工艺加工ITO、BUS的电极时，将基板设置在真空腔体内部，且位于挡板的正前方。溅射过程中在驱动装置的驱动作用下推动挡板运动从而控制溅射孔的大小，从而改变了基板溅射的开口面积，达到控制基板的溅射面积、改变金属原子沉积角度的作用，从而可以应对真空腔体内随时可能出现的影响膜厚不均匀的现象本发明还公开了一种具有上述溅射阳极罩的溅射装置。
一种溅射阳极装置

[发明专利]一种场发射阴极的处理方法-CN201210583231.0无效
发明人：任知良;王明刚;王雪梅 -专利权人：青岛润鑫伟业科贸有限公司
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种场发射阴极的处理方法，包括：通过磁控溅射仪上预留的电极接口引出溅射室；样品作为磁控溅射的基片，用直流溅射方式在其表面上溅射不同厚度的超薄纳米纯锆膜。
一种发射阴极处理方法

[发明专利]一种场发射阴极的处理方法-CN201210576479.4无效
发明人：于正友;肖太升;刘雷 -专利权人：青岛盛嘉信息科技有限公司
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种场发射阴极的处理方法，包括：通过磁控溅射仪上预留的电极接口引出溅射室;样品作为磁控溅射的基片，用直流溅射方式在其表面上溅射不同厚度的超薄纳米纯钛膜。
一种发射阴极处理方法

[发明专利]一种场发射阴极的处理方法-CN201210576470.3无效
发明人：于正友;肖太升;刘雷 -专利权人：青岛盛嘉信息科技有限公司
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种场发射阴极的处理方法，包括：通过磁控溅射仪上预留的电极接口引出溅射室;样品作为磁控溅射的基片，用直流溅射方式在其表面上溅射不同厚度的超薄纳米纯镍膜。
一种发射阴极处理方法

[发明专利]制造溅射靶的方法及制造有机发光显示设备的方法-CN201410390721.8在审
发明人：丁善英;申尚煜;李壹相;金东镇;朴镇宇 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造溅射靶的方法及制造有机发光显示设备的方法。制造溅射靶的方法包括下述步骤：准备包括低温粘度转变(LVT)无机材料的溅射靶材料；在低于大气压强的工作压强下熔化溅射靶材料；以及对熔化的溅射靶材料进行处理，从而形成溅射靶。
制造溅射方法有机发光显示设备

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN97180533.4无效
发明人：久野丰彦;喜多村谦一;田中健 -专利权人：旭化成工业株式会社
申请日： 1997-12-12 - 公布日： 1999-12-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，具有在300℃以下溅射铝材料(铝或者以铝为主要成分的合金)的低温溅射工序和在300℃以上溅射的高温溅射工序，从低温溅射工序得到的膜厚度(A)比从高温溅射工序得到的膜厚度(B)大，并且，设置成在高温溅射时的淀积速度在不损坏对位精度测定标记的形状的速度下，最好在200nm/分以下形成铝材料布线的方法。
半导体装置制造方法

[发明专利]具有改进表面结构的溅射靶材-CN200410083416.0无效
发明人：史蒂文·罗格·凯奈迪;程远达;菲利普·D·科尔诺;弗朗索瓦·达里 -专利权人：黑罗伊斯有限公司
申请日： 2004-10-08 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：通过将溅射靶材的非溅射区域在宏观上进行粗糙化从而减少溅射重沉积物的影响。宏观上的粗糙化是通过在溅射靶材的非溅射区域中形成宏观槽形图案而获得。很多图案都可以用作槽形图案。除了宏观上将溅射靶材的非溅射区域粗糙化之外，还可以利用常规的喷丸、喷珠或喷砂技术对槽形图案进行微观粗糙化。
具有改进表面结构溅射