专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]腔室盖组件、工艺腔室和半导体处理设备-CN201711008343.2有效
  • 张军;郑波;马振国;吴鑫;文莉辉;胡云龙;张鹤南;储芾坪 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2017-10-25 - 2022-06-17 - C23C16/455
  • 本发明公开了一种腔室盖组件、工艺腔室和半导体处理设备。腔室盖组件包括腔室盖和进气组件,进气组件与腔室盖密闭连通,用于将至少两种反应气体从腔室的外侧引入到腔室的内侧,进气组件包括:至少两个相互独立的进气管道,其分别与各自的反应气源连通;第一进气件,其与腔室盖连接,第一进气件设置有至少两个进气通道,分别与其所对应的进气管道连通;防腐进气转接件,位于第一进气件和腔室盖之间,其一端与腔室密闭连通,另一端与全部进气通道密闭连通,至少两种反应气体进入到防腐进气转接件内混合反应。将多种反应气体送入到防腐进气转接件内发生混合反应,可以避免反应气体的提前混合,从而避免反应气体对腔室盖以及第一进气件的腐蚀。
  • 腔室盖组件工艺半导体处理设备
  • [发明专利]气相刻蚀装置及设备-CN201610879076.5有效
  • 张军;马振国;吴鑫;文莉辉;胡云龙;张鹤南;储芾坪 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2016-10-08 - 2021-01-29 - H01L21/67
  • 公开了一种气相刻蚀装置及设备。该装置包括:反应腔主体,其内形成有反应腔室;基座,处于反应腔室内部,用于承载晶片;进气件,连接到反应腔主体,向反应腔室内部通入刻蚀剂;以及压力组件,连接到反应腔主体,控制反应腔室的压力。该装置还包括:第一温度控制器,连接到反应腔主体,控制反应腔室的温度为第一温度,使反应腔室不被刻蚀剂腐蚀;以及第二温度控制器,连接到基座,控制基座的温度为第二温度,使晶片能够直接进行下一步工艺。根据本发明的装置通过分别控制反应腔室和放置晶片的基座的温度,使得去除二氧化硅后的晶片无需冷却,无需在刻蚀腔室中集成退火功能或独立的退火腔室,更无需配置单独的冷却腔室。
  • 刻蚀装置设备
  • [发明专利]溅射方法-CN201810401565.9有效
  • 郭冰亮;马怀超;孙安东;张鹤南;董博宇;张璐;陈玉静 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2018-04-28 - 2021-01-08 - C23C14/54
  • 一种溅射方法。该溅射方法包括进行至少一次溅射工艺,各溅射工艺包括:S1:将基板移入腔室;S2:将挡板设置在靶材和基板之间;S3:利用靶材在挡板上溅射靶材金属的化合物;S4:将挡板从靶材与基板之间移开;以及S5:利用靶材在基板上沉积靶材金属的化合物,在S3之前,还包括预溅射工艺,以调节步骤S5中的溅射电压,预溅射工艺为利用靶材在挡板上预溅射靶材金属。该溅射方法可解决“靶中毒”的问题和工艺组件的阻抗变化的问题,并且还可以调节步骤S5中的溅射电压,保持溅射电压的稳定。
  • 溅射方法
  • [发明专利]装卸手-CN201510778736.6有效
  • 郭冰亮;董博宇;张军;武学伟;马怀超;徐宝岗;刘绍辉;张鹤南;崔亚欣 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2015-11-13 - 2020-06-19 - H01L21/677
  • 本发明提供一种装卸手,其包括承托件、压紧件和手柄,其中,承托件包括用于承载托盘的承载面;压紧件包括用于压住托盘的压紧面;手柄包括第一握持部和第二握持部,二者通过转动副连接,第一握持部与承托件连接,第二握持部与压紧件连接,并且承托件和压紧件位于转动副的一侧,而第一握持部和第二握持部位于转动副的另一侧;通过开合第一握持部和第二握持部,使压紧件与承托件相互分离,或者使压紧件与承托件夹持托盘;在压紧件上设置有弹性组件,用于在压紧件与承托件夹持托盘时,向托盘施加将其压紧在承托件上的弹力。本发明提供的装卸手,其可以夹持不同厚度的托盘,从而可以扩大应用范围,满足设备对不同厚度的托盘进行取放的需求。
  • 装卸
  • [发明专利]沉积设备以及物理气相沉积腔室-CN201610407585.8有效
  • 张军;董博宇;赵晋荣;武学伟;郭冰亮;徐宝岗;张鹤南;王桐;刘绍辉;王军 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2016-06-12 - 2019-11-29 - C23C14/34
  • 本发明提供一种沉积设备,包括第一腔室、第二腔室以及第三腔室。第一腔室经配置用以载入基板。第二腔室配置用以提供高温环境,以使得基板于第二腔室内进行排气工艺以及溅射工艺。第三腔室设置于第一腔室以及第二腔室之间。第三腔室经配置用以将基板由第一腔室通过第三腔室直接传输至第二腔室。本发明还提供一种物理气相沉积腔室,包括腔室本体、靶材、承载底座以及热源;承载底座设置于腔室本体内,用以承载基板;热源设置于腔室本体内,热源经配置用以将腔室本体加热至高温环境,以对基板进行排气工艺以及溅射工艺。本发明提供的沉积设备以及物理气相沉积腔室,可省去额外的预热/排气腔室并进而达到减少设备体积与成本的效果。
  • 沉积设备及物理气

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