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[发明专利]一种防溅射蹲便器-CN202010905166.3在审
发明人：郑超 -专利权人：郑超
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： E03D11/04 文献下载
摘要：本发明提出了一种防溅射蹲便器，涉及卫生洁具技术领域。一种防溅射蹲便器，包括槽体，槽体前下方设置有与槽体连接的缓冲槽，缓冲槽主要对污物进行缓冲，防止脏水溅射。目前，蹲便器存在溅水问题，使用蹲便器时经常会出现污物入水溅射出污水，导致用户被溅射到的情况发生。泡沫聚集在缓冲槽内，在使用者使用蹲便器时，能够防止尿液等落入缓冲槽后发生溅射。其中，泡沫加注管主要用于对缓冲槽加入泡沫，达到防溅射的目的。因此，该防溅射蹲便器能够防止用户在使用时出现脏水飞溅问题发生，从而防止脏水溅射到用户身上或到处溅射，造成卫生安全问题。
一种溅射蹲便器

[发明专利]一种异质结太阳能电池前电极及其制备方法-CN202110098442.4在审
发明人：王正安;来华杭;郭峰;俞峰;周海龙 -专利权人：浙江上方电子装备有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请提供了一种异质结太阳能电池前电极及其制备方法，其中制备方法包括：采用磁控溅射方法依次在异质结太阳能电池的PN结上沉积组成前电极的种子层和主层；种子层的磁控溅射工艺为：采用包含两个靶材的双极磁控溅射系统进行磁控溅射，两个靶材的溅射粒子流相互碰撞散射后沉积在异质结太阳能电池的PN结上；主层的磁控溅射工艺为：采用至少包含一个靶材的磁控溅射系统进行磁控溅射，各靶材的溅射粒子流以垂直于种子层的方向沉积在种子层上。本申请提供的异质结太阳能电池的前电极制备方法，对现有磁控溅射工艺进行改进，改善前电极的光电转化效率。
一种异质结太阳能电池电极及其制备方法

[发明专利]利用磁控溅射在硅衬底上制备的金属铪薄膜、方法和应用-CN202110841158.1在审
发明人：魏鸿源;杨少延;魏洁;陈怀浩 -专利权人：中国科学院半导体研究所;南京佑天金属科技有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种利用磁控溅射在硅衬底上制备的金属铪薄膜、方法和应用。利用磁控溅射在硅衬底上制备金属铪薄膜方法，包括：将硅衬底和金属铪靶材装入磁控溅射设备生长室，对硅衬底进行超高真空高温烘烤处理；利用磁控溅射反溅射干式清洗工艺对硅衬底进行表面溅射处理；利用磁控溅射沉积工艺在硅衬底上制备氮化铪阻挡层；利用磁控溅射溅射沉积工艺在氮化铪阻挡层上制备金属铪薄膜；对金属铪薄膜进行原位真空高温退火处理，降温至室温完成金属铪薄膜制备。本发明利用磁控溅射工艺在硅衬底上实现金属铪薄膜单一择优取向高结晶质量制备。所制备的金属铪薄膜可应用于欧姆接触金属电极材料或硅衬底氮化镓材料异质外延制备中的导电缓冲层材料。
利用磁控溅射衬底制备金属薄膜方法应用

[发明专利]一种磁控溅射蒸发双面镀膜装置及方法-CN202310351044.8在审
发明人：贲素东;唐睿;松田光也;陈贤生;张雨 -专利权人：洪田科技有限公司;洪田科技（江苏）有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜加工技术领域，提供了本发明提供磁控溅射蒸发双面镀膜装置及方法，该磁控溅射蒸发双面镀膜装置，至少包括：镀膜室，沿加工基材的输送方向至少串联设置两个镀膜室，每个镀膜室内均设置有镀膜导向辊、第一溅射镀膜组件、第二溅射镀膜组件以及蒸发镀膜组件；基材在镀膜导向辊的引导下先后通过第一溅射镀膜组件、蒸发镀膜组件以及第二溅射镀膜组件，以在基材的同一面先后完成第一次溅射镀膜、蒸发镀膜以及第二次溅射镀膜。本发明提供的磁控溅射蒸发双面镀膜装置，在一个镀膜室内实现基材单面的两道磁控溅射成膜工艺以及在两者之间增加一道蒸发镀膜成膜工艺，相较于现有技术而言，无需进行水平电镀，工序更简单、环保。
一种磁控溅射蒸发双面镀膜装置方法

[发明专利]ITO薄膜溅射工艺方法及ITO薄膜溅射设备-CN201310045824.6有效
发明人：耿波;叶华;文利辉;杨玉杰;夏威;王厚工;丁培军 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-02-05 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种ITO薄膜溅射工艺方法及ITO薄膜溅射设备。所述方法包括以下步骤：在向反应腔内通入工艺气体之前，控制直流溅射电源的输出电压为预定电压，并通过直流溅射电源对靶材施加预定功率；在预定时间之后向反应腔内通入工艺气体，以使工艺气体在反应腔内启辉；在启辉之后，通过直流溅射电源对靶材施加溅射功率以进行溅射，溅射功率大于等于所述预定功率且小于等于所述溅射电源的额定功率。本发明的ITO薄膜溅射工艺方法，能够大幅减小启辉电压，减小启辉瞬间粒子能量过高对GaN层的轰击，有效的减小对GaN层的损伤。
ito 薄膜溅射工艺方法设备

[发明专利]一种用于表面防护的离子束辅助磁控溅射沉积装置及方法-CN200810120013.7有效
发明人：宋振纶;李金龙;孙科沸;冒守栋 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2008-07-21 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及用于表面防护的离子束辅助磁控溅射沉积装置及方法，该装置包括真空室、磁控溅射源、工件托架和离子源，其特征在于：所述磁控溅射源安装在真空室的顶部呈密封连接结构，磁控溅射靶通过连接轴与磁控溅射源相连，磁控溅射靶伸入真空室内，且磁控溅射靶与连接轴之间为可转动连接，所述离子源也安装在真空室的顶部呈密封连接结构，离子源的发射头也伸入真空室内，所述工件托架安装在真空室内的底部。与现有技术相比，本发明的优点在于：磁控溅射靶能根据工件的大小和位置调整溅射方向，以达到最佳的溅射的范围；本发明提供的方法，不需要采用高能离子源，而是采用低能、大束流离子束对薄膜进行辅助沉积，可增加膜基结合力和薄膜致密度
一种用于表面防护离子束辅助磁控溅射沉积装置方法

[发明专利]一种多层透明导电膜及其制备方法-CN201810269246.7有效
发明人：李兴鳌;张杰;胡瑞媛;毛巍威;陈爱诗 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种多层透明导电膜及其制备方法，在室温下采用磁控溅射方法制备，包括溅射准备、靶材预溅射、底层靶材射频溅射、中间Ag层直流溅射、顶层靶材射频溅射步骤，其中底层和底层采用射频磁控溅射方法制备，中间Ag层采用直流磁控溅射方法制备，且在溅射中间Ag层时，在溅射气体氩气中通入适量的氧气作为反应气体，并通过流量计控制氧气与氩气的流量比例，通入的氧气有效地改善了Ag纳米颗粒的生长过程，使得生长在底层上的Ag
一种多层透明导电及其制备方法

[发明专利]一种钛基底着多重及图案化颜色的方法-CN201811389566.2有效
发明人：杨峰;米雅民·萨尔曼·卡齐姆;孙柏;赵勇 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开一种钛基底着多重及图案化颜色的方法，在腔室真空度为预设的高压环境下，通过磁控溅射仪向钛基底上采用ZnO进行第一层溅射，溅射时长为t1，溅射厚度为h1，完成第一层着色；在第一层着色的基础上，再采用MoS2进行第二层溅射，溅射时长为t2，溅射厚度为h2，颜色转变为目标色；通过控制溅射时长t1和t2，溅射厚度h1和h2，以及溅射的区域，实现不同颜色的图案化。
一种基底多重图案颜色方法

[发明专利]一种纳米复合ZnO-ZnSb相变存储薄膜材料及其制备方法-CN201711173404.0有效
发明人：王国祥;李超;聂秋华;沈祥;吕业刚;张亚文 -专利权人：宁波大学
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：特点是其材料化学结构式为(ZnSb)100‑x(ZnO)x，0x20，其制备方法步骤如下：将ZnO陶瓷靶材安装在磁控直流溅射靶上，将ZnSb合金靶材安装在磁控射频溅射靶上，将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空，然后通入高纯氩气直至溅射腔室内气压达到溅射所需起辉气压0.30Pa，然后固定ZnSb射频靶溅射功率为35 W，调控ZnO直流靶溅射功率为3‑21 W，在室温下双靶共溅射镀膜，溅射厚度达180 nm后，即得到相变存储薄膜材料，优点是结晶温度高、晶化速度快、非晶态/晶态电阻比高和可实现非晶态直接向稳态晶相转变。
一种纳米复合 zno znsb 相变存储薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种磁控溅射装置-CN201910232219.7有效
发明人：张瑞锋;高锦成;汪涛;刘泽旭;胡威威 -专利权人：合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及显示技术领域，公开了一种磁控溅射装置，该磁控溅射装置包括溅射腔室；设置于溅射腔室内的支架；设置于溅射腔室内为靶材提供磁场的磁控装置，磁控装置包括：环形载带组件，环形载带组件包括驱动部和从动部、绕设于驱动部和从动部外侧的环形载带；驱动部的轴心线和从动部的轴心线相互平行、且与环形载带的移动方向垂直，且驱动部的轴心线与从动部的轴心线所在的平面与待溅射基板平行；安装于环形载带的外表面、且沿环形载带的移动方向排列的多个导电线体；设置于溅射腔室内的电源组件。该磁控溅射装置可以在溅射区域提供均匀且可控的磁场，可以溅射不同的膜层，且可以有效提高靶材利用率，提高成膜均一性。
一种磁控溅射装置

[发明专利]一种具有防火花溅射的铝型材智能切割设备-CN202011284044.3有效
发明人：黄雪梅;何冰强;邓汝荣 -专利权人：广州科技职业技术大学
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： B23Q3/08 文献下载
摘要：本发明涉及铝型材加工技术领域，公开了一种具有防火花溅射的铝型材智能切割设备，包括工作台、吊装台和控制器，所述吊装台内部设置有横向移动机构，所述横向移动机构下方设置有纵向移动机构，所述纵向移动机构内部设置有切割机，所述纵向移动机构两侧对称设置有防溅射机构，所述防溅射机构包括导向柱、防溅射挡板和防溅射挡板驱动液压杆。通过设置防溅射机构，随着切割盘的不断下移，控制器控制防溅射挡板驱动液压杆伸长，使得防溅射挡板与水平面之间的夹角缩小，使得防溅射挡板能够在不阻挡切割盘的情况下继续向下运动，将切割产生的火花阻挡在两个防溅射挡板之间
一种具有火花溅射铝型材智能切割设备

[发明专利]一种高能量脉冲式磁控溅射方法及磁控溅射装置-CN201310024628.0无效
发明人：卢伟贤;谢贯尧;张忠祥;易敏龙;刘耀鸿 -专利权人：香港生产力促进局;香港表面处理学会有限公司
申请日： 2013-01-23 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种高能量脉冲式磁控溅射方法及磁控溅射装置，该磁控溅射方法包括：将样品清洗置入真空腔中，对真空腔抽真空；通入氩气对样品进行等离子体清洗；通入氩气作为溅射气体，在样品的表面进行直流溅射或者脉冲溅射，形成过渡层；通入反应气体，在过渡层的表面进行脉冲溅射，形成涂层；关闭溅射阴极及电源，停止通入的反应气体，取出表面溅射有涂层的样品。本发明相比传统磁控溅射技术，参与反应的气体和靶材粒子离化率大大提高，从而成膜的密度、均匀度等特性都大大改善，并消除了制造厚涂层过程的热效应，减少成膜的内部应力。
一种高能量脉冲磁控溅射方法装置

[发明专利]磁约束磁控溅射方法及利用该方法制备的磁控溅射装置-CN200810150947.5无效
发明人：弥谦;杭凌侠;郭忠达;梁海峰;徐均琪;孙国斌;惠迎雪 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2008-09-12 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁约束磁控溅射方法及利用该方法制备的磁控溅射装置。由于目前采用平衡磁控溅射和非平衡磁控溅射方式，即使采用永磁铁移动或多组电磁线圈变换，靶材利用率也只能提高到20％～35％，并且存在结构复杂，加工成本高的问题。本发明的一种磁约束磁控溅射方法，是在溅射靶的表面上方空间形成一个总体方向平行于靶面的磁约束磁场，利用该方法所制造磁控溅射装置，包括磁体、导磁体、基片和溅射靶，所述磁体的相反磁极相对固定设置在溅射靶的侧面，磁体产生的磁约束磁场位于基片和溅射靶之间并且两磁极连线平行于靶面。
约束磁控溅射方法利用制备装置

[发明专利]用于大面积衬底的低压溅射-CN200610090281.X无效
发明人：细川明广;海民和·H·勒 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2006-07-11 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明的实施例一般来说涉及材料的溅射。具体地，本发明涉及用在大面积衬底的物理气相沉积中的溅射电压，以防止电弧。本发明的一个实施例描述了一种以小于400伏的电压在矩形衬底上溅射材料的设备，其包括：溅射靶，其中，在将材料溅射在所述矩形衬底上的过程中，用小于400伏的电压对所述靶施加偏压；围绕所述溅射靶的接地屏蔽，其中，所述接地屏蔽和所述溅射靶之间的最短距离小于等离子体暗区厚度；位于所述溅射靶的后部的磁控管，其中所述磁控管的边缘不与所述接地屏蔽重叠；和布置在所述溅射靶和所述衬底之间的天线结构，其中，在溅射过程中所述天线结构接地
用于大面积衬底低压溅射

[实用新型]等离子溅射致冷件晶板镀膜装置-CN201620388280.2有效
发明人：陈磊;陈建民;赵丽萍;钱俊友;张文涛;蔡水占;张会超;王东胜 -专利权人：河南鸿昌电子有限公司
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型涉及致冷件生产技术领域的设备和方法，名称是等离子溅射致冷件晶板镀膜装置，等离子溅射致冷件晶板镀膜装置，包括机架，在机架上具有传送装置，在传送装置上面安装溅射装置，所述的传送装置上具有晶板的放置盘，所述的溅射装置具有溅射喷头，传送装置运行，放置盘在溅射喷头下面运行的时间是2—3 S；将晶板放置在溅射装置下面进行溅射，溅射的耗材是镍、钯或银，可以形成一层镀膜的半导体晶板。这样的致冷件晶板镀膜装置可以生产出节省耗材、减少浪费、环保性好、镀膜和晶板结合力量好的致冷件晶板镀膜；这样的等离子溅射致冷件晶板镀膜方法具有节省耗材、减少浪费、环保性好、镍和晶板结合力量好的优点。
等离子溅射致冷件晶板镀膜装置