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[发明专利]溅射用靶、溅射装置及溅射方法-CN200310114708.1无效
发明人：赵宽英;朴大烨;孙相好 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-12-26 - 公布日： 2004-07-21 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了溅射用靶、溅射装置及溅射方法，溅射导体靶包括：中心部分；围绕中心部分并且比中心部分厚的边缘部分；以及位于中心部分和边缘部分之间的倾斜部分，倾斜部分与垂直于边缘部分顶表面的方向形成大约30°－
溅射装置方法

[发明专利]一种磁控溅射设备-CN202010101325.4在审
发明人：张诚 -专利权人：三河市衡岳真空设备有限公司
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁控溅射设备，该磁控溅射设备包括溅射室、位于该溅射室内相对设置的用于承载基片的基片台和溅射阴极、溅射电源以及设置在溅射室内的电子偏转磁场生成装置，该电子偏转磁场生成装置包括极性相反的第一磁极和第二磁极，该第一磁极和第二磁极在所述基片和所述溅射阴极之间形成水平方向的电子偏转磁场，该电子偏转磁场用于使溅射过程中朝向基片运动的电子发生偏转。本发明所提供的磁控溅射设备可以使溅射过程中朝向基片运动的电子发生偏转，从而降低到达基片的电子数量，进而降低电子对基片所形成的损伤。
一种磁控溅射设备

[实用新型]磁控溅射靶材及磁控溅射装置-CN201420207868.4有效
发明人：李晨光 -专利权人：南昌欧菲光科技有限公司;深圳欧菲光科技股份有限公司;苏州欧菲光科技有限公司
申请日： 2014-04-25 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本公开提供了一种磁控溅射靶材及磁控溅射装置。该磁控溅射靶材的厚度与其所在磁场的磁场强度正相关。在本公开所提供的磁控溅射靶材以及磁控溅射装置中，使磁控溅射靶材的厚度从中部到两侧逐渐减小，这样则可以使得磁控溅射靶材各区域的厚度与其所在磁场的磁场强度正相关；因此，磁控溅射靶材的各个区域刻蚀尽所用的时间相对一致，避免出现由于部分区域的靶材未利用而导致磁控溅射靶材利用率降低。因此，通过本公开，可以避免磁控溅射靶材的浪费，提高磁控溅射靶材的利用率。
磁控溅射装置

[实用新型]磁控溅射设备-CN201220193104.5有效
发明人：贺凡;刘壮;张军;冯叶 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种磁控溅射设备，包括溅射室，安装于溅射室内的靶材，以及开口于溅射室、并与磁控溅射设备附属的真空系统之间真空相连的抽气口。还包括用于将气体送入溅射室内带有出气孔的进气管和设置于进气管与抽气口之间的挡板。进气管与挡板安装于溅射室内。上述磁控溅射设备，由于挡板的隔离作用，减弱了抽气力对溅射室内气体浓度的影响，从而使溅射室内气体浓度较均匀。另外，气体从进气管通过出气孔进入溅射室，气体分子与挡板发生碰撞，会有一部分气体分子在一定的距离内向抽气口相反的方向运动，使靶材表面区域的气体分子分布比较均匀。
磁控溅射设备

[实用新型]一种磁控溅射镀膜装置-CN202122766732.X有效
发明人：周斌;刘建伟;秦亲亲;吕启蒙 -专利权人：光驰科技（上海）有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及薄膜制备技术领域，尤其是一种磁控溅射镀膜装置，该镀膜装置具有磁控溅射单元，所述溅射单元具有靶材和磁铁，该镀膜装置具有至少两个溅射单元，所述溅射单元的溅射方向呈汇聚状，每个所述溅射单元的溅射方向与所述靶材之中心和所述工件之中心的连线之间的夹角小于等于本实用新型的优点是：能够实现在工件周围同时使用多个靶材进行溅射，并且可以将溅射方向聚焦到工件表面，最大程度地将工件表面进行覆盖沉积镀膜，最大程度地将靶材溅射出来的膜料沉积到工件上，提高了膜层对工件的覆盖性和沉积速率
一种磁控溅射镀膜装置

[实用新型]一种磁控溅射镀膜机的散热结构-CN202320075230.9有效
发明人：王爱民;凌大新;郑必福;徐文明;罗睿睿;陈建平 -专利权人：夜视丽新材料股份有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种磁控溅射镀膜机的散热结构，属于镀膜机技术领域。它解决了现有的磁控溅射镀膜机对磁控溅射靶的散热降温效果有限的问题。本磁控溅射镀膜机的散热结构，包括机壳和在机壳内沿机壳的周向间隔设置的若干个磁控溅射靶组件，磁控溅射靶组件包括设置在机壳上的定位座和固定在定位座上的溅射靶，溅射靶具有中空腔，本散热结构包括冷却液管，每个中空腔内均设置有所述的冷却液管本磁控溅射镀膜机的散热结构实现对溅射靶的内部进行直接散热降温，显著提高对溅射靶的散热降温效果。
一种磁控溅射镀膜散热结构

[发明专利]溅射方法-CN201010149872.6有效
发明人：大石祐一;清田淳也;新井真;石桥哲;小林大士 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-04-19 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种反应性溅射方法，可不受靶的边缘区域上形成的绝缘膜的影响而维持高速率成膜。在向溅射室(11)内导入反应气体的同时，向该溅射室内与处理基板S相对设置的导电性靶(41)施加电力，在溅射室内形成等离子体气氛，对各个靶进行溅射，通过反应性溅射在所述处理基板表面形成规定的薄膜。在上述溅射方法中，通过向所述靶施加电力的溅射电源E监视累计投入电力，当该累计值达到规定值时，停止反应气体的导入，仅导入溅射气体对靶进行规定时间的溅射。
溅射方法

[发明专利]具有背部冷却槽的溅射靶材-CN201810646078.9有效
发明人：布赖恩·T·韦斯特;迈克尔·S·考克斯;吴正勋 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-08-14 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本揭示案的实施方式涉及用于溅射腔室的溅射靶材，该溅射腔室用于处理基板。在一个实施方式中，提供用于溅射腔室的溅射靶材。溅射靶材包含具有背部表面的溅射板及安装至溅射板的环形背板，该背部表面具有径向内部、中间及外部区域。该背部表面具有多个圆形槽，这些圆形槽彼此间隔开；及至少一个弓状通道，该弓状通道切割穿过这些圆形槽，且从该溅射板的径向内部区域延伸至该径向外部区域。环形背板界定暴露该溅射板的背部表面的开口环。
具有背部冷却溅射

[发明专利]气流溅射装置、气流溅射用靶以及溅射靶原料的制造方法-CN201780078345.0有效
发明人：小庄孝志;高见英生;中村祐一郎;武智幹雄;三上智广 -专利权人： JX金属株式会社
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种适合长时间稳定地以高溅射率制造溅射靶原料的气流溅射装置。气流溅射装置具备：溅射室，其内部能够成为真空；一对平板靶，其隔着间隔以彼此的溅射面对置的方式配置在所述溅射室内；一个或两个以上的气体排出口，其用于在所述一对平板靶之间供应溅射气体；用于排出溅射气体的排气口；堆积溅射粒子的部件，其以面向气体排出口的方式隔着一对平板靶之间的空间部配置成位于气体排出口的相反侧；间隔调节机构，其能够调节所述一对平板靶的间隔。
气流溅射装置以及原料制造方法

[发明专利]具有背部冷却槽的溅射靶材-CN201480042023.7有效
发明人：布赖恩·T·韦斯特;迈克尔·S·考克斯;吴正勋 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-08-14 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本揭示案的实施方式涉及用于溅射腔室的溅射靶材，该溅射腔室用于处理基板。在一个实施方式中，提供用于溅射腔室的溅射靶材。溅射靶材包含具有背部表面的溅射板及安装至溅射板的环形背板，该背部表面具有径向内部、中间及外部区域。该背部表面具有多个圆形槽，这些圆形槽彼此间隔开；及至少一个弓状通道，该弓状通道切割穿过这些圆形槽，且从该溅射板的径向内部区域延伸至该径向外部区域。环形背板界定暴露该溅射板的背部表面的开口环。
背部表面溅射靶材溅射板溅射腔室圆形槽环形背板弓状径向内部区域径向外部区域处理基板径向内部通道切割外部区域开口环冷却槽界定穿过暴露延伸

[发明专利]磁控溅射镀膜系统-CN201410057887.8有效
发明人：张迅;阳威;欧阳小园;易伟华 -专利权人：江西沃格光电股份有限公司
申请日： 2014-02-20 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁控溅射镀膜系统，包括成直线式排列的进片室、第一缓冲室、第一过渡室、溅射镀膜室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室，溅射镀膜腔室包括依次连接的第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室和第四直流溅射室，第一直流溅射室与第一过渡室连接，第四直流溅射室与第二过渡室连接，第一直流溅射室中设置有两个第一阴极靶，第二直流溅射室中设置有两个第二阴极靶，第三直流溅射室中设置有两个第三阴极靶，第四直流溅射室中设置有两个第四阴极靶使用该磁控溅射镀膜系统进行镀膜，能够有效降低破片率并有利于镀制方阻较低的薄膜，满足on-cell镀膜工艺要求，提高生产良率。
磁控溅射镀膜系统

[发明专利]一种制备MnO₂/C复合薄膜电极材料的方法-CN201110081440.0无效
发明人：黎阳;谢华清;王继芬 -专利权人：上海第二工业大学
申请日： 2011-03-31 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：一种制备MnO2/C复合薄膜电极材料的方法，采用磁控溅射方法制备，通过控制溅射电源功率、溅射气氛、溅射偏压、溅射压强和溅射温度得到MnO2/C复合薄膜，具体步骤为：选直径2英寸的金属Mn靶和石墨靶为靶材；Mn靶采用射频电源，射频电源功率在50～150W之间；石墨靶采用直流电源，直流电源功率30～60W之间；溅射气氛为高纯Ar和高纯O2的混合气；溅射前的基底真空小于5×10-4Pa；在溅射过程中对基底施加0～-100V溅射偏压；并将溅射压强控制在0.5～1.0Pa之间内；溅射时对溅射室温度控制在室温～300℃之间。溅射气氛流量比Ar∶O2＝1∶1。本发明操作流程简单，制备的MnO2/C复合薄膜电极材料比电容高、循环稳定性好，可应用在需要高稳定性、高功率密度微型电源的场合。
一种制备 mno sub 复合薄膜电极材料方法

[发明专利]一种防辐射薄膜的制备方法-CN201310549332.0无效
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种防辐射薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A、交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射TiO2层；B、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在TiO2层上磁控溅射AZO层；C、直流电源溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；D、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；E、直流电源溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；F、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；G、交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。
一种防辐射薄膜制备方法

[发明专利]一种飞机窗玻璃的制作方法-CN201310718185.5无效
发明人：魏佳坤 -专利权人：揭阳市宏光镀膜玻璃有限公司
申请日： 2013-12-21 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种飞机窗玻璃的制作方法，其特征在于包括以下步骤：将基片清洗后放入样品托，然后送入磁控溅射设备；往磁控溅射设备中通入氩气和氧气，直流电源溅射铟锡靶，在基片上磁控溅射一ITO透明导电膜层；往磁控溅射设备中通入氩气，直流电源溅射钨靶，在ITO透明导电膜层上磁控溅射一W₂O₅层；往磁控溅射设备中通入氩气和氧气，用射频电源溅射LiAlO₂靶材，在W₂O₅层上磁控溅射LiAlO₂薄膜层；直流电源溅射Ni靶，在LiAlO₂薄膜层上磁控溅射NixO层；往磁控溅射设备中通入氩气和氧气，交流电源溅射铟锡靶，在NixO层上ITO透明导电膜层。
一种飞机窗玻璃制作方法

[发明专利]一种玻璃镀膜设备之溅射腔体-CN202010925092.X在审
发明人：李军;周文谦;牛建国;谭光仁;张林嵩;高华;向淑君 -专利权人：湖北亿钧耀能新材股份公司
申请日： 2020-09-06 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开玻璃镀膜设备之溅射腔体，具有溅射腔室，溅射腔室之底部通过轴承支架设置传动辊，传动辊之间通过锁固支架设置第一冷却水管，溅射腔室之平行于传动辊的两侧内壁设置溅射档板，并在溅射档板与溅射腔室内壁呈面向一侧设置第二冷却水管，在位于溅射腔室内之溅射档板的下侧设置具有间隔开口槽的溅射底板，传动辊之传送轮分别设置在开口槽内，且传送轮形成的上平面高于溅射底板之上平面，溅射底板通过螺栓与固定设置在锁固支架上具有螺纹的独立锁固垫块连接本发明采用沉孔式螺栓将溅射底板与锁固垫块进行连接，在出现螺栓扭曲、丝口变形等缺陷时不仅无需将锁固支架整体吊离，极大的降低了工作强度，而且操作方便，更加高效。
一种玻璃镀膜设备溅射