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[实用新型]一种磁控溅射靶罩-CN201320172332.9有效
发明人：孟彬;孔明;刘肖肖;徐定能 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种磁控溅射靶罩，属于高真空磁控溅射镀膜领域。在磁控溅射靶上安装有可调节高度的磁控溅射靶罩，磁控溅射靶罩的上端开口，开口端对准沉积基片。磁控溅射靶和沉积基片放置在溅射室内，溅射室上有可以观察溅射情况的观察窗。磁控溅射靶罩通过螺纹与磁控溅射靶连接，磁控溅射靶罩的上端与沉积基片始终保持1～2mm的距离，以便观察溅射时能否起辉。该靶材罩能够将靶材和基片之间的空间区域封闭起来，并有效阻断沉积粒子向溅射室内壁和观察窗的沉积，降低溅射室和观察窗的污染。
一种磁控溅射

[发明专利]一种真空溅射镀膜离子激发结构及离子激发方法-CN202211416221.8在审
发明人：张德军 -专利权人：张德军
申请日： 2022-11-12 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请涉及一种真空溅射镀膜离子激发结构及离子激发方法，一种真空溅射镀膜离子激发结构，包括空心溅射靶以及阴极过滤网，空心溅射靶具有离子溅射腔，离子溅射腔至少具有一个离子溅射口，阴极过滤网正对设置于离子溅射口空心溅射靶接收离子源轰击的过程中，等离子体轰击离子溅射腔的内壁，以使得靶电子和靶原子从空心溅射靶的表面溅射出来，通过在离子溅射口设置阴极过滤网，离子溅射腔内的靶电子被限制在离子溅射腔内，进而继续对离子溅射腔的内壁进行轰击，形成雪崩效应，进而提高金属离化率；金属离化率提高之后，正离子与靶原子一起沉积在待加工的基板上，以提高溅射涂层与基体的结合力，提高溅射涂层的适用性。
一种真空溅射镀膜离子激发结构方法

[发明专利]一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法-CN201310549471.3无效
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法，包括：交流溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷，在Si3N4层上磁控溅射AZO层；直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；交流溅射硅铝旋转靶，在AZO层上磁控溅射Si3N4层。
一种红外屏蔽功能薄膜制备方法

[发明专利]溅射源、溅射装置和溅射方法-CN200410045720.6有效
发明人：佐藤重光;末代政辅;大空弘树;清田淳也;中村肇;石桥晓;太田淳 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2004-05-21 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：在本发明中，当靶(15)被溅射时，由于各个靶(15)相对基板(10)移动，溅射时基板(10)的全部区域变为都与靶(15)相对，可在基板(10)的表面上形成膜质均匀的膜。另外，在溅射时，由于不仅靶(15)相对基板(10)移动，磁场形成装置(25)也相对靶(15)移动，因此靶(15)的很宽区域被溅射。进而，如果使磁场形成装置(25)也相对基板(10)移动，则靶(15)就变为大部分被溅射的区域相对基板(10)移动，以使基板(10)上形成的膜的膜厚分布更均匀。
溅射装置方法

[发明专利]磁控溅射环、磁控溅射环装置及磁控溅射反应器-CN201410171588.7在审
发明人：姚力军;赵凯;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;吴剑波 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2014-04-25 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种磁控溅射环、磁控溅射环装置及磁控溅射反应器。其中，磁控溅射环包括内环侧壁和外环侧壁，所述内环侧壁具有凸台结构。应用本发明的磁控溅射环可以提高磁控溅射环被溅射的时间，从而减少附着在磁控溅射环装置表面的溅射材料以颗粒形式掉落至基板上，进而提高基片成膜质量。另外，本发明的磁控溅射环的使用寿命高。
磁控溅射装置反应器

[发明专利]一种薄膜溅射控制装置和方法-CN201910086197.8在审
发明人：朱爱强;夏飞;罗剑伟 -专利权人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种薄膜溅射控制装置和方法，其中，该装置包括：电源模块(1)，其正极连接至薄膜溅射腔体(7)的阳极，负极连接至薄膜溅射腔体(7)的阴极；电压监控器(2)，并联连接到电源模块(1)的正极和负极之间，用于获取薄膜溅射腔体(7)的溅射电压；电流监控器(3)，串联连接到电源模块(1)的负极和薄膜溅射腔体(7)的阴极之间，用于获取薄膜溅射腔体(7)的溅射电流；溅射控制器(4)，分别电连接到电源模块(1)、电压监控器(2)和电流监控器(3)，用于根据溅射电压和溅射电流，补偿薄膜溅射腔体(7)的溅射功率，使溅射速率恒定。从而能够自动根据靶材直径的变化对溅射速率进行调整，满足镀膜厚度的要求。
溅射腔体薄膜电源模块溅射阴极电流监控器电压监控器负极溅射电压控制装置恒定正极并联连接补偿薄膜负极连接溅射功率正极连接控制器阳极电连接靶材镀膜

[发明专利]溅射装置-CN201080038999.9无效
发明人：石川拓;小野裕司;林辉幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-08-25 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种溅射装置。该溅射装置在对自溅射空间向作为溅射处理对象的形成有有机薄膜的基板的光进行遮挡而防止有机薄膜特性劣化的状态下进行溅射处理。该溅射装置用于对配置在溅射空间的侧方的基板进行溅射处理，该溅射空间形成在相对配置的一对靶材之间，其中，该溅射装置包括用于对上述一对靶材施加电压的电源、用于向上述溅射空间中供给非活性气体的气体供给部、配置在上述溅射空间和上述基板之间的遮光机构
溅射装置

[发明专利]溅射靶、溅射仪和假体涂层方法-CN201610639742.8在审
发明人：孟德松 -专利权人：北京爱康宜诚医疗器材有限公司
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： A61L27/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种溅射靶、溅射仪和假体涂层方法，溅射靶包括：溅射板，溅射板上设置有溅射孔；遮挡板，遮挡板遮挡在溅射孔处，遮挡板可运动地设置以调整遮挡板所遮挡的溅射孔的通流面积。本发明中的溅射靶解决了现有技术中的假体结构的寿命较低的问题。
溅射涂层方法

[实用新型]溅射靶和溅射仪-CN201620847833.6有效
发明人：孟德松 -专利权人：北京爱康宜诚医疗器材有限公司
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2017-10-17 - 主分类号： A61L27/30 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种溅射靶和溅射仪，溅射靶包括：溅射板，溅射板上设置有溅射孔；遮挡板，遮挡板遮挡在溅射孔处，遮挡板可运动地设置以调整遮挡板所遮挡的溅射孔的通流面积。本实用新型中的溅射靶解决了现有技术中的假体结构的寿命较低的问题。
溅射

[发明专利]磁控溅射镀膜设备-CN201610915587.8有效
发明人：易伟华;张迅;张伯伦 -专利权人：江西沃格光电股份有限公司
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁控溅射镀膜设备，包括基板运载装置、镀膜工艺室和主控制器，所述镀膜工艺室包括依次连接的进片室、进过渡室、进缓冲室、溅射区、出缓冲室、出过渡室和出片室，所述溅射区包括至少两组溅射室，每组溅射室之间设置有缓冲区，每组溅射室包括相邻设置的两个溅射室；通过设置多组溅射区，每组溅射区包括两个溅射室，大大的增加了溅射材料的存储容量，同时可以在不同的溅射区放置不同的溅射材料实现多层膜的喷涂，并通过缓冲区实现溅射区的隔离，不同的溅射材料不会彼此渗入产生污染；可以有效的延长溅射材料的使用时间，并且可以喷涂多种材料，提高了生产效率，减少了人工操作，喷涂效果好。
磁控溅射镀膜设备

[发明专利]防溅射分子沉结构-CN201810030099.8有效
发明人：贺碧蛟;郑鸿儒;任翔 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： G01M99/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于地面电推进试验等离子空间环境模拟设备中的防溅射系统技术领域，尤其涉及一种防溅射分子沉结构。防溅射分子沉结包括圆筒形防溅射靶和底端防溅射靶；圆筒形防溅射靶包括圆筒形防溅射靶骨架主体和圆筒形防溅射靶翅片组；圆筒形防溅射靶骨架主体包括第一管、第二管和第一冷却管；圆筒形防溅射靶翅片组与第一冷却管连接；底端防溅射靶包括底端防溅射靶骨架主体和底端防溅射靶翅片组；底端防溅射靶骨架主体包括第三管、第四管和第二冷却管；底端防溅射靶翅片组与第二冷却管连接。本发明在于提供一种防溅射分子沉结构，以解决现有技术中存在的防溅射靶对溅射产物及返流污染物的降低效果不佳的技术问题。
防溅射圆筒形底端骨架主体冷却管靶翅片组环境模拟设备系统技术领域等离子空间第二管电推进返流溅射污染物试验

[发明专利]一种TSV通孔及其溅射工艺-CN201810759488.4在审
发明人：李春阳;于政;方梁洪;罗立辉 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种TSV通孔及其溅射工艺，所述溅射工艺包括种子层溅射，所述种子层溅射采用分步溅射法。本发明通过调整、优化溅射功率及沉积速率，能够使溅射的阻挡层和种子层更加的连续、致密；通过电镀后的通孔填充效果，确定了阻挡层和种子层最佳溅射厚度；同时开发了种子层分步溅射法，防止种子层连续溅射过程中温度过高对芯片造成的损伤，也避免连续溅射产生的膜层异常。
溅射种子层连续溅射溅射法阻挡层致密溅射功率通孔填充电镀膜层中温沉积损伤芯片优化开发

[发明专利]溅射装置-CN201611128345.0有效
发明人：孙尚佑;姜贤株;郑敞午 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种溅射装置。本发明一实施例的溅射装置包括：工艺腔室；溅射靶，设置于所述工艺腔室的内部；基板架，与所述溅射靶相对配置，用于支撑待沉积溅射靶物质的基板；以及溅射靶驱动部，以使所述溅射靶倾斜的方式旋转驱动所述溅射靶。
溅射装置

[实用新型]一种预溅射装置以及溅射设备-CN201820394172.5有效
发明人：彭燚 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2018-03-22 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种预溅射装置以及应用该预溅射装置的溅射设备，该预溅射装置包括第一底座和安装至所述第一底座的预溅射基板，所述预溅射基板为陶瓷基板。陶瓷基板耐压能力强，可以进行多次预溅射，多次预溅射之间无须更换，可节省用于购买预溅射基板的费用，大大降低了生产成本。
预溅射基板溅射设备陶瓷基板底座本实用新型耐压能力生产成本购买应用

[实用新型]一种磁控溅射箱密封排料机构-CN202221151755.8有效
发明人：张莎莎;冷长志;李启炎 -专利权人：浙江云度新材料科技有限公司
申请日： 2022-05-14 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种磁控溅射箱密封排料机构，属于磁控溅射技术领域，包括溅射箱底座，所述溅射箱底座的下端面圆心处开设有闭合口，所述溅射箱底座的下方设置有排料装置，所述排料装置包括支撑底座、电动伸缩杆、抬高支柱、溅射工作台和密封圈。本实用新型所述的一种磁控溅射箱密封排料机构，溅射工作台方便从溅射箱体的溅射室內移出以便对溅射工作台上的靶材进行取出工作，简化了传统磁控溅射箱中靶材的复杂取出程序，使得整个取出过程操作便捷，省时省力，通过设置的电动伸缩杆，电动伸缩杆自动驱动溅射工作台升降并改变溅射箱体的密封状态，能够降低传统取物方式时需要操作人员人工启闭溅射箱盖板的劳动强度。
一种磁控溅射密封机构