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[发明专利]溅射靶及其制造方法-CN201980061530.8在审
发明人：正能大起;村田周平;冈部岳夫 -专利权人： JX金属株式会社
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本申请提供一种溅射靶，其为金属材料的圆筒形溅射靶且使颗粒减少。溅射靶为圆筒形溅射靶，且溅射靶至少具备靶材，靶材包含一种或多种金属元素，晶体粒径为10μm以下。
溅射及其制造方法

[发明专利]一种溅射靶材工艺及溅射工艺-CN201210225797.6有效
发明人：胡彬彬;陈建维;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-07-03 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种溅射靶材工艺及溅射工艺。本发明提出一种溅射靶材工艺及溅射工艺，通过对传统平板靶材进行预变形处理，有效的解决了传统平板靶材在溅射工艺中由于受力变形而造成对溅射的均一性及填孔性的影响，进而提供产品的良率。
一种溅射工艺

[发明专利]一种用于溅射成膜工艺的掩膜板及溅射装置-CN201710059099.6有效
发明人：田忠朋;陈一民;高雪伟;武捷;肖磊 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种用于溅射成膜工艺的掩膜板及溅射装置，涉及溅射镀膜技术领域，在溅射镀膜过程中，可减少粉尘飘落到待镀膜基板上。该掩膜板包括掩膜板本体，所述掩膜板本体具有镂空区域，所述掩膜板本体的溅射面上设置有多个微凸起。用于溅射设备中。
一种用于溅射工艺掩膜板装置

[发明专利]在半导体器件上形成金属层的溅射系统和方法-CN201880058303.5有效
发明人：斯泰西·乔伊·肯纳利;维克多·托里斯;戴维·利林菲尔德;罗伯特·德韦恩·戈斯曼;格雷戈里·基思·杜多夫 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：提出了一种在半导体器件的表面上溅射铝层的方法。该方法包括三个用于沉积铝层的溅射步骤，其中，每个溅射步骤包括与另一个溅射步骤的相应溅射参数不同的至少一个溅射参数。
半导体器件形成金属溅射系统方法

[发明专利]用于溅射淀积的双源单腔的方法和设备-CN02819133.1无效
发明人： R·奇斯特亚科夫 -专利权人：纳幕尔杜邦公司
申请日： 2002-09-27 - 公布日： 2005-01-05 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及用于外层和高质量薄膜的外延溅射淀积的双源单腔方法和设备。实施该方法的该设备包括用于在衬底(6)上溅射外延薄膜的第一溅射源(2)。第二溅射源(4)用于溅射活性材料，以便在低温遮挡件(8)上形成吸气剂。该第一溅射源(2)和衬底(6)由该低温遮挡件(8)包围。
用于溅射双源单腔方法设备

[发明专利]一种连续式磁控溅射装置及连续式磁控溅射的方法-CN201711267226.8在审
发明人：毛华云;梁礼渭 -专利权人：江西金力永磁科技股份有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种连续式磁控溅射装置，包括含有真空腔室、磁控溅射腔室和冷却腔室的磁控溅射炉；所述真空腔室设置在所述磁控溅射腔室的一侧，所述真空腔室和磁控溅射腔室之间用第一可活动装置隔开；所述冷却腔室设置在所述磁控溅射腔室的另一侧，所述冷却腔室和磁控溅射腔室之间用第二可活动装置隔开；所述真空腔室设置于所述磁控溅射炉的入口处，所述冷却腔室设置于述磁控溅射炉的出口处。本发明提供了一种连续式磁控溅射装置，具有连续的三个腔室，按工作顺序分别为真空腔室、磁控溅射腔室、冷却腔室。
一种连续磁控溅射装置方法

[发明专利]一种磁控溅射制备合金纳米薄膜的方法-CN201910914853.9在审
发明人：王明;纪红;卢硕;赵秀红;孙爱斌;苏乐;张玉彪 -专利权人：国合通用测试评价认证股份公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了属于磁控溅射技术领域的一种磁控溅射制备合金纳米薄膜的方法，包括：将溅射用金属加工成形状规格相同的金属薄片，清洗干燥；将金属靶材安装在溅射靶枪上，调整靶枪角度，采用预溅射或划刻增大表面的摩擦力；将金属薄片放置在靶材上，根据合金纳米薄膜中金属元素的比例初步计算金属薄片的数量；按照磁控溅射仪的单靶溅射步骤在硅基片上沉积合金纳米薄膜并进行成分分析测试，对比实际与理论元素成分，调节金属薄片的数量。本发明采用单个金属靶材溅射的方法避免磁控共溅射中多靶共溅射过程中互相干扰，产生靶材灭弧现象，以及单靶合金靶材溅射过程中原子间碰撞拥挤，制备的合金纳米薄膜成分均匀、稳定，并且节约成本，效率大幅提高。
合金纳米金属薄片薄膜溅射磁控溅射金属靶材靶材制备磁控溅射技术磁控共溅射成分分析单靶溅射合金靶材互相干扰金属加工金属元素清洗干燥共溅射硅基片溅射靶预溅射单靶多靶划刻灭弧沉积拥挤测试节约

[发明专利]一种Mg原位掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法-CN202110186779.0在审
发明人：陈占国;刘晓航;陈曦;赵纪红;刘秀环;侯丽新;高延军 -专利权人：吉林大学
申请日： 2021-02-18 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：采用射频磁控溅射技术，首先在衬底上进行第一层hBN薄层的溅射生长，然后再接着进行第一层Mg杂质源的溅射生长，每个溅射周期得到的膜厚为20～60nm，最后再溅射一层hBN薄层，避免Mg与外界环境直接接触。每个溅射周期的膜厚可由hBN靶的溅射时间、溅射功率、工作气压和靶距进行调节；Mg的掺杂浓度可由Mg靶的溅射时间、溅射功率、工作气压和靶距进行调节；然后按照所需要的膜厚和掺杂浓度多次重复上述溅射周期，从而获得空穴浓度很高的
一种 mg 原位掺杂型六方氮化薄膜及其制备方法

[发明专利]一种电触头材料表面快速沉积银镀膜方法-CN202110275952.4在审
发明人：王君 -专利权人：宁波赉晟新材料科技有限责任公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种电触头材料表面快速沉积银镀膜方法，将电触头基体放置在管状溅射源中部的溅射腔内，所述溅射腔内壁具有银靶材层，将所述溅射腔进行抽真空，然后通入工艺气体到到预设反溅清洗气压值，并进行反溅清洗；调整工艺气体到溅射镀膜气压值，通过对管状溅射源和电触头基体之间施加溅射电压，并对电触头基体和溅射源上下盖之间施加偏压，同时驱动电触头基体旋转，进行偏压溅射镀膜；通过将电触头基体放在筒状溅射源内，使得电触头基体位于在等离子体放电区内，提高沉积速率和靶材利用率，同时溅射时对电触头基体施加负偏压，有效引导等离子放电区内离子轰击电触头基体和银镀层，达到有效提高镀层致密性和镀层结合力的目的。
一种电触头材料表面快速沉积镀膜方法

[发明专利]基于PEEK柔性衬底的Sb相变薄膜材料及其制备方法与应用-CN202210564563.8在审
发明人：胡益丰;高士伟;曹丽雯;朱小芹 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种基于PEEK柔性衬底的Sb相变薄膜材料及其制备方法与应用；所述的相变薄膜材料是以锑作为靶材通过磁控溅射到PEEK柔性衬底上获得。制备：(1)PEEK柔性衬底准备：将PEEK柔性衬底清洗，烘干，作为待溅射的基片，待用；(2)磁控溅射准备：将Sb靶材安装于磁控溅射靶中，并将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空，以高纯氩气作为溅射气体；(3)靶材清洁：将空的基托转到Sb靶位，开启Sb靶上的射频电源，对Sb靶材表面进行溅射，去除Sb靶材表面杂质；(4)磁控溅射制备基于PEEK柔性衬底的Sb相变薄膜：将待溅射的基片置于基托上，将基托转到Sb靶位，溅射生成基于PEEK柔性衬底的Sb相变薄膜材料。
基于 peek 柔性衬底 sb 相变薄膜材料及其制备方法应用

[发明专利]一种金属氧化物溅射靶材的表面处理方法-CN202210792537.0在审
发明人：唐安泰;唐智勇 -专利权人：株洲火炬安泰新材料有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种金属氧化物溅射靶材的表面处理方法，涉及溅射靶材表面处理技术领域，包括如下具体步骤：S1、取一块溅射靶材，并进行初步擦拭；S2、对溅射靶材进行超声处理，同步使用含碳氢基团的有机溶剂；S3、使用Ⅰ号洗液将溅射靶材煮至沸腾即可；S4、使用Ⅱ号洗液对溅射靶材进行浸泡处理；S5、使用Ⅲ号洗液对溅射靶材煮沸，直至颜色变淡；S6、烘干处理；S7、真空封装；其技术要点为，依次使用三种洗液完成对溅射靶材的表面处理，实现了去油、去离子以及去原子的清洁处理，保证处理完成后溅射靶材表面的洁净性，保证溅射靶材后续能够进行正常使用，与传统对溅射靶材表面清洗处理的步骤相比，本方案中清洗效果大大增强。
一种金属氧化物溅射表面处理方法

[发明专利]一种新型磁控轴瓦溅镀机-CN201410296566.3有效
发明人：木俭朴 -专利权人：山东大丰轴瓦有限公司
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型磁控轴瓦溅镀机，涉及溅渡装置技术领域，包括溅渡壳体，溅渡壳体内设有溅渡腔，溅渡腔设有溅射靶支撑架和轴瓦支撑架，溅渡壳体底部设有底座，溅射靶支撑架和轴瓦支撑架设置在溅渡壳体底部底座上，溅射靶支撑架中间设有溅射靶架轴，溅射靶架轴底部设有旋转环，旋转环通过连接杆与溅射靶架轴一侧的溅射靶支撑架边缘连接,溅渡壳体最下方设有电机，旋转环与电机输出轴相连接，溅射靶架轴两侧的溅射靶支撑架各活动设有一块溅射靶，溅射靶的双面设有凹槽，正面凹槽的底面为镍靶、背面凹槽的底面合金靶，通过两面靶，解决以往受降温以及更换靶材等步骤制约，增加了工作产量、提高了效率。
一种新型轴瓦溅镀机

[发明专利]MgZnO薄膜叠靶射频磁控溅射制备方法-CN201310293559.3有效
发明人：蒋大勇;赵曼;秦杰明;梁庆成;赵建勋;高尚;侯建华 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：MgZnO薄膜叠靶射频磁控溅射制备方法属于半导体光电技术领域。现有技术在MgxZn1–xO薄膜晶体的生长过程中出现Zn原子流失。本发明在射频磁控溅射仪的真空室中进行，将由MgxZn1–xO陶瓷靶材制作的圆片状溅射靶放置在真空室内的溅射靶台上；衬底与溅射靶相对并位于溅射靶上方，真空室抽真空后通入溅射气体；衬底升温，提供溅射功率；其特征在于，在所述溅射靶台上增设一个Zn环靶，Zn环靶的内径等于所述溅射靶的外径，由溅射靶和Zn环靶构成叠靶。
mgzno 薄膜射频磁控溅射制备方法

[发明专利]一种磁控溅射镀膜装置、纳米多层膜及其制备方法-CN201210151152.2有效
发明人：金攻;涂江平;李玲玲;王刚;王美娜 -专利权人：北京中奥汇成生物材料科技有限公司
申请日： 2012-05-15 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种磁控溅射镀膜装置，其特征在于，至少包括真空镀膜室、溅射靶、真空镀膜室底座上的转架台和转架台上的工件架，以及驱动转架台绕转架台的中心轴转动的第一转动系统；所述溅射靶设置在转架台周围并与转架台垂直，所述溅射靶包括两个第一溅射靶及一个第二溅射靶，所述溅射靶位于与转架台同心的圆周上，两个所述第一溅射靶之间的圆弧为180-240度，所述第二溅射靶等分两个第一溅射靶之间的圆弧；所述转架台上固定设置有穿过转架台表面的隔板，在垂直于转架台方向上，所述隔板的两端均超出所述溅射靶的两端
一种磁控溅射镀膜装置纳米多层及其制备方法

[发明专利]一种高迁移率透明导电氧化物薄膜及其制备方法-CN202111156884.6有效
发明人：黄仕华;李林华;郝亚非 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种高迁移率透明导电氧化物薄膜及其制备方法，TCO薄膜生长采用反应射频磁控溅射法，在室温下生长碲与钪共掺杂的氧化铟TCO薄膜；溅射用靶材为铟靶、碲靶、钪靶，溅射工作气体为氩气，反应气体为氧气；在TCO薄膜生长之前，溅射室只通入氩气，对三靶进行15‑30分钟的预溅射，去除靶材表面吸附的杂质以及表面氧化物，当TCO薄膜开始生长时，氩气和氧气经过混气室充分混合以后进入溅射室，氩气与氧气的流量之比为50:1~20:1，溅射气压为0.1~0.4 Pa；铟靶溅射功率200 W，碲靶溅射功率为20~30 W，钪靶溅射功率为1~2 W；基底沉积温度为室温，溅射时间为10~20分钟。
一种迁移率透明导电氧化物薄膜及其制备方法