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[外观设计]用于显示屏幕面板的订单支付图形用户界面-CN202130094412.7有效
发明人：石瑞 -专利权人：北京三快在线科技有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： 14-04 文献下载
摘要：设计3主视图为订单支付浮层，当用户点击浮层中的“确认支付”控件后，浮层切换为支付密码浮层，呈现出主视图至界面变化状态图1的界面变化。设计4主视图为订单支付浮层，当用户点击浮层中的“确认支付”控件后，浮层切换为支付密码浮层，呈现出主视图至界面变化状态图1的界面变化。设计5主视图为订单支付浮层，当用户点击浮层中的“确认支付”控件后，浮层切换为指纹支付浮层，呈现出主视图至界面变化状态图1的界面变化。设计6主视图为订单支付浮层，当用户点击浮层中的“确认支付”控件后，浮层切换为指纹支付浮层，呈现出主视图至界面变化状态图1的界面变化。设计7主视图为订单支付浮层，当用户点击浮层中的“确认支付”控件后，浮层切换为指纹支付浮层，呈现出主视图至界面变化状态图1的界面变化。
用于显示屏幕面板订单支付图形用户界面

[发明专利]闪存浮栅的制作方法-CN202310476323.7在审
发明人：高毅;左睿昊;马开阳;周婧涵 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明提供一种闪存浮栅的制作方法，包括：提供一具有存储区和外围区的衬底，刻蚀部分厚度的衬底形成沟槽并定义出有源区，有源区位于沟槽两侧的衬底中；采用HARP工艺形成隔离介质，隔离介质填充沟槽且包括高出衬底的隔离凸起部；形成浮栅层，在存储区浮栅层覆盖衬底和隔离凸起部的上表面和侧面，浮栅层还覆盖位于外围区的衬底；形成保护层，保护层填充浮栅层的位于有源区的凹陷区域；以保护层为掩膜，刻蚀去除在存储区内浮栅层覆盖隔离凸起部的部分，并去除浮栅层位于外围区的部分；去除保护层，剩余的浮栅层构成浮栅。本发明实现了浮栅层在有源区后形成，形成STI结构中的隔离介质采用HARP工艺，保证了与逻辑工艺较好地兼容。
闪存制作方法

[发明专利]一种漂浮式基础和海上风电系统-CN202310185375.9在审
发明人：周昳鸣;李卫东;沈正华;段周朝;庞胜林;苏人奇;刘瑞超;雷宇;胡合文;冯雪娇 -专利权人：中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司;华能（浙江）能源开发有限公司清洁能源分公司;华能海上风电科学技术研究有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： B63B35/44 文献下载
摘要：漂浮式基础包括中央浮式立柱；多层级支撑结构，多层级支撑结构包括N层浮式支杆，N层浮式支杆沿中央浮式立柱的轴向自上而下依次设置，且在中央浮式立柱的轴向上，各层浮式支杆的数量自上而下依次递增，第一层的浮式支杆倾斜设置于中央浮式立柱的外壁，第M层的浮式支杆倾斜设置在与其相邻的上一层的浮式立柱的末端，其中，N≥2，M≥2；以及多个浮筒，设置于第N层的浮式支杆的下方，每一个位于第N层的浮式支杆均连接一个浮筒。上述多层级支撑结构和中央浮式立柱形成了层级“树根状”结构，同时该漂浮式基础将浮筒所需浮力化整为零，提高了该漂浮式基础的稳定性，提升了海上风电系统的稳定性。
一种漂浮基础海上系统

[发明专利]浮栅存储器及其制备方法-CN202111349510.6在审
发明人：朱宝;尹睿;张卫 -专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供了一种浮栅存储器，包括衬底、绝缘介质层、栅极、阻挡层、栅极接触材料层、浮栅层、隧穿层、沟道层、隔离绝缘介质层、源极和漏极，在所述沟道层背向所述隧穿层的一面的部分形成隔离绝缘介质层，避免了所述沟道层被空气氧化，进而提升了所述浮栅存储器的可靠性，所述阻挡层、所述浮栅层、所述隧穿层、所述沟道层和所述隔离绝缘介质层的材料为二维材料，能够利用二维材料无悬挂键的优势，减小界面缺陷，降低了所述浮栅存储器的阈值电压，进而降低所述浮栅存储器的功耗，所述沟道层的材料为二维材料有助于所述沟道层中的电荷被所述浮栅层所俘获，进而提升了所述浮栅存储器的擦写速度。本发明还提供了所述浮栅失存储器的制备方法。
存储器及其制备方法

[发明专利]浮栅存储器的制备方法及浮栅存储器-CN202111535142.4在审
发明人：朱宝;尹睿;张卫 -专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供了一种浮栅存储器的制备方法，包括步骤：S1：刻蚀衬底的部分顶面以形成L型底栅；S2：在所述L型底栅的表面形成阻挡层；S3：在所述阻挡层的最低顶面形成浮栅层，然后在所述浮栅层的顶面形成隧穿层；S4：在所述隧穿层的顶面形成沟道层，然后在所述沟道层顶面形成源极和漏极，所述浮栅存储器进行擦除操作时，所述L型底栅对所述浮栅层进行能带调控以使所述浮栅层的价带提升到所述沟道层的导带上方，此时位于所述浮栅层的价带上的电子通过所述隧穿层到达所述沟道层的导带的几率增大，从而降低所述浮栅存储器的功耗和提高所述浮栅存储器的擦除速度。
存储器制备方法

[发明专利]提高闪存中控制栅极对浮栅耦合系数的方法-CN201210576924.7在审
发明人：张雄 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高闪存中控制栅极对浮栅耦合系数的方法，包括：浮栅层形成步骤，用于在硅片的有源区两侧形成高于有源区表面的浅沟槽隔离，并在有源区表面上依次形成栅极氧化物层和浮栅层；附加层形成步骤，用于在浮栅层表面以及浅沟槽隔离表面形成附加层；侧壁隔离物形成步骤，用于刻蚀附加层，从而在浅沟槽隔离的侧壁上形成侧壁隔离物；浮栅层刻蚀步骤，用于利用侧壁隔离物对浮栅层进行刻蚀，从而在浮栅层中形成凹槽；侧壁隔离物去除步骤，用于去除侧壁隔离物。
提高闪存控制栅极耦合系数方法

[发明专利]一种多次可编程(MTP)存储单元结构及其制作方法-CN201710386417.X有效
发明人：朱明皓;李瑞钢 -专利权人：智瑞佳（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明揭示了一种多次可编程(MTP)存储单元结构及其制备方法，包括栅极层(1)、衬底层(4)和位于栅极层(1)与衬底层(4)之间的浮栅层(5)，在栅极层(1)与浮栅层(5)之间、以及浮栅层(5)与衬底层(4)之间分别设有氧化层(3)，其特征在于：所述浮栅层(5)分成若干块子浮栅层(7)，且相邻两块子浮栅层(7)之间填充有绝缘介质(8)。本发明旨在增强多次可编程(MTP)存储单元的可靠性，减小老化对浮栅器件的影响，提升器件的使用寿命。
一种多次可编程 mtp 存储单元结构及其制作方法

[发明专利]一种获得分栅快闪存储器稳定浮栅尖端的工艺制造方法-CN201610890802.3有效
发明人：徐涛;曹子贵;康军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：一种获得分栅快闪存储器稳定浮栅尖端的工艺制造方法，包括：在衬底上形成耦合氧化层和浮栅多晶硅层，在浮栅多晶硅层上形成浮栅氮化硅层，布置掩膜，形成掩膜图案；利用掩膜对浮栅氮化硅层进行刻蚀同时保证浮栅多晶硅具有损失量以防止开口区域的浮栅氮化硅残留，基于浮栅氮化硅蚀刻以后的浮栅多晶硅剩余厚度利用反馈系统且各向同性蚀刻以使各项同性蚀刻后的浮栅多晶硅剩余厚度相同，最终形成具有不同弧度的浮栅多晶硅；在浮栅氮化硅开口区域的浮栅多晶硅层上形成第一侧墙、第二侧墙、源多晶硅线；根据对浮栅多晶硅层各向同性蚀刻所形成的弧度大小，对第一侧墙执行不同的湿法横向回刻蚀时间。
一种获得分栅快闪存稳定尖端工艺制造方法

[发明专利]快闪存储器及其制备方法-CN202111433536.9在审
发明人：顾珍;张磊;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供的快闪存储器及其制备方法，包括：衬底，所述衬底上具有沟槽和位于所述沟槽底部的源区；源线层，位于所述沟槽内中且向上延伸；金属浮栅结构，包括多晶硅层及两个金属浮栅层，两个所述金属浮栅层均位于所述沟槽内且分别位于所述源线层的两侧，且所述金属浮栅层的高度大于所述源线层的高度，所述多晶硅层包裹所述金属浮栅层高于所述源线层的部分的至少部分外表面；两个字线层，分别位于一个所述金属浮栅的外侧。所述金属浮栅层可以极大提升擦写效率，同时在金属浮栅层高于所述源线层的部分的至少部分外表面上包裹多晶硅层，降低金属浮栅结构整体的功函数和势垒，使擦写电压更低，进而提高擦写速度。
闪存及其制备方法

[发明专利]立体生态养殖人工鱼礁-CN201610230147.9有效
发明人：吴鹏;邢金凯;王海涛;白云厚;孙铁鑫 -专利权人：威海白云渔业有限公司
申请日： 2016-04-14 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： A01K61/60 文献下载
摘要：本发明提供一种立体生态养殖人工鱼礁，其解决了现有的人工鱼礁资源利用率低、泥砂底质海区不适宜投放、易破损和作业效率低的技术问题，其设有底层、中层、上层、表层和高出水面层，底层为浮箱层，浮箱层设有水窗；中层为吊笼养殖层，吊笼养殖层设有吊笼；上层为浮降式渔箱层，浮降式渔箱层设有渔箱，渔箱设有滑轮，渔箱可以在浮降式渔箱层内上下浮动；表层为网片式浮网层，网片式浮网层内设有网片式浮网；高出水面层设有垂钓平台，本发明可广泛用于生态养殖领域
立体生态养殖人工

[发明专利]一种浮岛单体及应用该浮岛单体的组合式生态浮岛-CN201610970264.9有效
发明人：王艳婷;张德民;黄雷;陈和平 -专利权人：宁波大学
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： C02F3/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种浮岛单体，用于组成生态浮岛，所述浮岛单体包括浮岛植物和用于种植该浮岛植物的种植介质层，该种植介质层向下延伸而形成一定厚度且沿其上部外周围设有第一浮体圈，而该第一浮体圈下方的种植介质层的外周面上包裹有网状加强层，该网状加强层至少在与种植介质层底部的对应处开设有供根系穿过的孔；以及应用有该浮岛单体的生态浮岛。与现有技术相比，本发明中的浮岛单体内部结构稳固，浮力大、抗风浪能力强，且其上能形成完善的生物链；由该浮岛单体组成的生态浮岛不仅方便生产、加工以及安装，此外，该生态浮岛中有多个独立的浮岛单体提供浮力，从而保证浮岛的总体浮力(保障载人)以及提升浮岛的抗风浪能力。
一种单体应用组合式生态

[发明专利]闪存单元结构及其制作方法-CN201110301446.4有效
发明人：王军;周玮;蔡建祥;许宗能 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种闪存单元结构，包括半导体基层和依次层叠在半导体基层上的隧穿氧化层、浮栅、绝缘介质层和控制栅，浮栅的侧壁表面植入有阻挡离子层。闪存单元结构的制作方法包括以下步骤：在半导体基层上形成依序层叠的隧穿氧化层和浮栅；在浮栅上形成依序层叠的绝缘介质层和控制栅；向浮栅的侧壁植入阻挡离子，形成浮栅的侧壁表面的阻挡离子层。当浮栅处于保持载流子的状态时，浮栅侧壁的阻挡离子层提高了载流子从浮栅逃逸的势垒高度，从而提高了闪存单元结构保存信息的持久性和使用寿命。
闪存单元结构及其制作方法

[发明专利]采用T型栅结构的浮栅闪存器件及其制造工艺方法-CN200810044020.3无效
发明人：林钢;杨斌 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2008-11-27 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用T型栅结构的浮栅闪存器件，由下至上依次包括：隧穿氧化层、多晶硅浮栅层和ONO层，ONO层和多晶硅浮栅层中间被刻蚀成一凹槽，在该凹槽的多晶硅浮栅层侧壁形成栅氧化层，多晶硅覆盖在浮栅上方和该凹槽中此外，本发明还公开了上述采用T型栅结构的浮栅闪存器件的制造工艺方法。本发明通过栅氧化层和多晶硅层的物理隔离，实现了浮栅闪存单元镜像存储，使存储密度加倍。
采用结构闪存器件及其制造工艺方法

[发明专利]浮栅的制作方法和浮栅晶体管的制作方法-CN201410080894.X有效
发明人：邓咏桢 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-03-06 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种浮栅的制作方法和浮栅晶体管的制作方法。所述浮栅的制作方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成浮栅层和掩膜层；在所述掩膜层中形成通孔；对所述通孔进行去除聚合物处理；沿所述通孔对所述浮栅层进行坡度刻蚀。所述浮栅晶体管的制作方法包括所述浮栅的制作方法。本发明可以改善浮栅的结构，提高浮栅晶体管的性能。
制作方法晶体管

[发明专利]OTP器件的形成方法及器件-CN202010817078.8有效
发明人：钱园园;陈瑜;陈华伦 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：本申请公开了一种OTP器件的形成方法及器件，该方法包括：提供一衬底，衬底上形成有选择栅氧化层和浮栅氧化层，选择栅氧化层上形成有选择栅，浮栅氧化层上形成有浮栅；沉积第一介质层，第一介质层覆盖衬底、选择栅氧化层、选择栅、浮栅氧化层和浮栅；去除形成于选择栅和浮栅两侧的衬底上，以及选择栅顶端的第一介质层；在选择栅和浮栅两侧，以及选择栅顶端形成金属硅化物层；沉积硬掩模层，该硬掩模层的应力为张应力。本申请通过在形成浮栅上的第一介质层后，沉积应力为张应力的硬掩模层，解决了相关技术中采用应力为压应力的氮化硅层作为硬掩模层容易在浮栅上形成电荷陷阱所导致的OTP器件失效率高、可靠性差的问题。
otp 器件形成方法