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[发明专利]存储器的形成方法-CN201310754227.0有效
发明人：邹陆军;李绍彬;仇圣棻 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器的形成方法，包括提供衬底；在所述衬底上形成浮栅材料层；图形化所述浮栅材料层及衬底，形成位于衬底上的浮栅以及位于浮栅之间的衬底中的开口；在所述开口内部形成隔离材料层；对所述浮栅顶部以及隔离材料层顶部进行第一化学机械研磨，以平坦化所述浮栅的上表面；去除浮栅之间的隔离材料层，位于所述衬底中的隔离材料层形成隔离结构；在所述浮栅侧壁、上表面以及隔离结构表面形成绝缘层。由于所述浮栅上表面平整度高，在浮栅上表面形成的绝缘层厚度均匀，使得绝缘层附近的局部电场强度与其他区域的电场强度接近，能够提高浮栅保持电荷的能力。
存储器形成方法

[发明专利]金属浮栅存储器及其制造方法-CN202310172513.X在审
发明人：顾珍;张磊;陈昊瑜 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本申请提供一种金属浮栅存储器及其制造方法，所述方法包括：步骤S1，提供一衬底，在衬底内形成沟槽；步骤S2，依次形成位于沟槽内并向上延伸的金属浮栅层和覆盖金属浮栅层侧壁的第一氮化硅层；步骤S3，形成位于沟槽内并向上延伸的源线层；步骤S4，形成覆盖金属浮栅层顶部的第二氮化硅层；步骤S5，在衬底上形成字线层，字线层覆盖金属浮栅层远离源线层的一侧。通过形成覆盖金属浮栅层侧壁的第一氮化硅层和覆盖金属浮栅层顶部的第二氮化硅层，可以防止金属浮栅层顶部区域的氧化，降低擦除电压，提升擦除速度。
金属存储器及其制造方法

[发明专利]窗口显示控制方法和装置-CN201710007251.6有效
发明人：任晓帅 -专利权人：腾讯科技（深圳）有限公司
申请日： 2017-01-05 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： G06F3/0486 文献下载
摘要：所述方法包括：接收应用中进行浮层窗口显示的指令；根据指令配置所述浮层窗口属性得到存放所述浮层窗口属性的布局信息，所述布局信息中窗口类型配置为对话框类型；获取应用窗口的窗口令牌，并在所述布局信息中指定获取的所述窗口令牌为所述浮层窗口的令牌值；通过所述布局信息在所述应用窗口中显示所述浮层窗口。由此，将不需要申请权限，使得浮层窗口的实现不再受限于权限，此外，由于浮层窗口的令牌值被指定为应用窗口的窗口令牌，使得浮层窗口是依附于应用窗口存在的，并且其窗口类型为对话框类型，保证了浮层窗口在应用窗口的层次之上进行显示，也在浮层窗口属性的作用下保证浮层窗口的全屏幕拖动。
窗口显示控制方法装置

[发明专利]沟槽分离栅器件及其制造方法-CN201810259783.3有效
发明人：方冬;卞铮 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种沟槽分离栅器件的制造方法，所述方法包括：刻蚀半导体衬底形成沟槽；于沟槽内淀积氧化物形成浮栅氧化层，使所述浮栅氧化层沿沟槽侧壁从上至下逐渐增厚，所述沟槽侧壁下部的浮栅氧化层厚度与所述沟槽底部的浮栅氧化层厚度相同；向所述沟槽内淀积多晶硅形成浮栅多晶层；在所述浮栅多晶层上表面生长绝缘介质形成隔离层；在所述沟槽内的所述隔离层上形成控制栅。本申请采用淀积技术在沟槽底部淀积浮栅氧化层，使得浮栅氧化层厚度从沟槽侧壁至沟槽底部逐渐变厚并且沟槽侧壁下部的浮栅氧化层厚度与沟槽底部浮栅氧化层厚度相同。逐渐变化的浮栅氧化层厚度可以缩小沟槽宽度，从而进一步减小元胞面积，降低器件的比导通电阻。
沟槽分离器件及其制造方法

[实用新型]具有除浮层功能的油水分离器-CN201721829239.5有效
发明人：高玉斌;朱宏峰;王先成;刘超 -专利权人：行愿环保科技有限公司
申请日： 2017-12-23 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： C02F1/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有除浮层功能的油水分离器，属于餐厨垃圾处理技术领域。油水分离器包括油水分离池，油水分离池的上端设有出油口，油水分离池的底部设有排水口，油水分离器的上方还设置有除浮层装置，除浮层装置包括驱动装置、导向装置，浮层引导装置，浮层引导装置的下端伸入油水分离池内；浮层引导装置安装在导向装置上并能沿所述导向装置往复运动；驱动装置驱动所述浮层引导装置沿所述导向装置做往复运动。本实用新型的油水分离器，通过在油水分离池的上方设置除浮层装置，定期清理上层浮层，可以减少油水分离池内的发酵泡沫浮层聚集，避免泡沫浮层堵塞出油口，提高出油量和油脂品质。
浮层油水分离池油水分离器导向装置引导装置本实用新型驱动装置出油口餐厨垃圾处理定期清理发酵泡沫油脂品质上端出油量排水口伸入下端上层堵塞驱动

[发明专利]一种浮栅生成方法、闪存浮栅生成方法及闪存制造方法-CN201611039159.X在审
发明人：张超然;罗清威;刘杰;李赟;周俊 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明涉及一种浮栅生成方法、闪存浮栅生成方法及闪存制造方法，包括在衬底待生成浮栅区生成隔离；在衬底上沉积生成多晶硅层；多晶硅层包括待生成浮栅区多晶硅层和非生成浮栅区多晶硅层；对待生成浮栅区多晶硅层进行离子注入，以改变待生成浮栅区多晶硅层的结晶状态；对多晶硅层进行化学机械研磨，直至待生成浮栅区多晶硅层被隔离分离，以形成栅格；去除非生成浮栅区多晶硅层，以形成浮栅。本发明的有益效果是避免去除此非生成浮栅区多晶硅层的过程中损伤衬底，导致生成的器件无法正常开启或失效；且有效避免了现有生成方式在离子注入进程中，由于非生成浮栅区多晶硅层过薄，如未对此部分采取保护措施，离子注入会影响衬底的可能
一种生成方法闪存制造

[发明专利]浮栅存储器及其制备方法-CN202210995755.4在审
发明人：左成杰;苏子佳 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本公开一方面提供一种浮栅存储器及制备方法，浮栅存储器包括：栅层，栅层上依次叠设有绝缘层、浮栅层、阻挡层及沟道层，沟道层包括n型沟道层和p型沟道层，n型沟道层和p型沟道层构成p‑n结；其中，通过向栅层施加偏压，以控制沟道层和浮栅层共同实现存储电子和释放电子。该浮栅存储器通过施加不同个数的脉冲序列，能够选择性地对沟道层总的电阻进行改写，结合浮栅层实现浮栅存储器的多级存储功能。
存储器及其制备方法

[发明专利]浮栅型分栅闪存器件及其制备方法-CN202210986808.6在审
发明人：许昭昭 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种浮栅型分栅闪存器件及其制备方法，其中器件包括：衬底；浮栅氧化层、台阶型浮栅多晶硅层；ONO介质层；源端侧墙；第一侧墙；源端多晶硅层；保护层；第二侧墙；选择栅氧化硅层、选择栅多晶硅层和第三侧墙本申请通过利用源端侧墙在浮栅多晶硅层的左、右、上三个方向对浮栅多晶硅层形成包裹，增加源端侧墙和浮栅多晶硅层的交叠面积，可以在微缩闪存器件的尺寸的同时提高SL‑FG的耦合系数；进一步的，本申请通过将浮栅多晶硅层的内外做成厚度不同的台阶形貌，增厚内侧浮栅多晶硅层的厚度，同时减薄外侧浮栅多晶硅层的厚度，使得选择栅至浮栅的有效交叠面积基本不变，同时选择栅对浮栅的外侧上角形成包裹，提高器件的擦除效率。
浮栅型分栅闪存器件及其制备方法

[发明专利]一种闪存器件及其制备方法-CN202111428327.5在审
发明人：曹子贵 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供一种闪存器件及其制备方法，包括：衬底，所述衬底上具有沟槽；控制栅层，位于所述沟槽中且向上延伸；两个浮栅层，位于所述沟槽中且分别位于所述控制栅层的两侧；连接氧化层，位于所述漏区与所述控制栅层之间；字线层，位于一个所述浮栅层的外侧，用于连接另一沟槽中的浮栅层。将所述控制栅层与所述浮栅层之间的耦合由平面结构改为立体结构，所述控制栅层与所述浮栅层之间在所述沟槽中垂直方向上的重叠面积不受所述浮栅层平面面积的限制，在保证所述控制栅层与所述浮栅层之间耦合系数的同时，缩小浮栅层在平面上的长度；于此同时本发明中两个所述存储位中的所述浮栅层共用同一个所述字线层，进一步缩小所述闪存器件的面积。
一种闪存器件及其制备方法

[发明专利]NAND闪存器件及NAND闪存的制作方法-CN202111266556.1在审
发明人：刘涛 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供了一种NAND闪存的制作方法，包括：提供衬底，并在所述衬底上形成有至少两个浮栅层，相邻浮栅层之间设置有开口，所述浮栅层上形成有第一侧墙，所述第一侧墙覆盖所述浮栅层的侧壁和顶部；形成控制栅材料层，所述控制栅材料层填充所述开口并覆盖所述第一侧墙；对控制栅材料层进行刻蚀工艺，以形成控制栅层，并且所述浮栅层处形成浮栅层残留物；进行原子层沉积氧化工艺，以形成第一氧化层，所述第一氧化层覆盖控制栅层和开口；进行快速热氧化工艺，以形成第二氧化层，快速热氧化工艺的工艺气体穿透第一氧化层去除浮栅层残留物。解决了控制栅刻蚀过程中，浮栅的残留物导致相邻浮栅短路以及漏电的问题。
nand 闪存器件制作方法

[发明专利]Flash器件及其制备方法-CN201811195846.X有效
发明人：张松;梁志彬;金炎;王德进 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明实施例提出一种Flash器件的多晶硅残留的改善方法，包括：提供衬底，衬底上形成有浮栅多晶层、浮栅氧化层以及隧穿氧化层；浮栅多晶层形成于衬底上，浮栅氧化层形成于衬底与浮栅多晶层之间，衬底上以及浮栅多晶层上形成连续的隧穿氧化层；其中，位于浮栅多晶层其中一侧的衬底区域为第一衬底区，第一衬底区用于形成源极掺杂区；位于浮栅多晶层另一侧的衬底区域为第二衬底区，第二衬底区用于形成漏极掺杂区；在第一衬底区上的隧穿氧化层上形成连续的不导电层，不导电层延伸至浮栅多晶层侧壁的隧穿氧化层上；在隧穿氧化层上形成多晶硅层，以形成控制栅,作为Flash器件的字线。
flash 器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体存储器件及其制备方法-CN201310627337.0在审
发明人：宋化龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-28 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体存储器件及其制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有隧穿氧化层、浮栅层以及掩膜层；图案化所述掩膜层、所述浮栅层、所述隧穿氧化层和所述半导体衬底，在形成浮栅叠层的同时在所述浮栅叠层两侧的所述半导体衬底中形成浅沟槽；选用隔离材料填充所述浅沟槽，以形成浅沟槽隔离结构；去除所述掩膜层，以在所述浮栅层上方形成凹槽；回蚀刻所述凹槽两侧的所述隔离材料，以扩大所述凹槽的关键尺寸；在所述关键尺寸扩大的凹槽的底部和侧壁上沉积半球状浮栅膜，以形成浮栅结构。在本发明中浮栅结构包括半球状浮栅膜，增加了所述浮栅结构的表面积，使所述浮栅形成的电容量增加，提高器件的性能。
一种半导体存储器件及其制备方法

[发明专利]纳米发电机系统及供电器件-CN201810324788.X有效
发明人：许亮;布天昭;张弛;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：北京纳米能源与系统研究所
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H02N1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米发电机系统及供电器件，包括：电极层；浮置层，设置在所述浮置层的上表面和/或下表面的介质层；电荷泵，与所述浮置层连接，向所述浮置层注入电荷；所述浮置层相对电极层相对运动时，发电机系统向外电路输出电信号利用浮置层、及浮置层和介电层的组合作为具有摩擦起电及静电荷保存作用的至少一个摩擦层的等效，通过电荷泵可以向浮置层中实时、可控制地注入电荷。
纳米发电机系统供电器件

[发明专利]具有层叠浮栅和控制栅结构的存储器的制备方法-CN201110142062.2无效
发明人：宗登刚;李荣林;徐爱斌;于涛;孔蔚然 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有层叠浮栅和控制栅结构的存储器的制备方法，包括如下步骤：在所述存储器的有源区形成沟槽隔离结构；在所述有源区和所述沟槽隔离结构的表面形成浮栅层；刻蚀所述浮栅层形成浮栅；在所述浮栅表面和所述浮栅之间的间隙形成平坦化层；对所述平坦化层和所述浮栅进行平坦化处理，直至所述浮栅的表面被平坦化；去除所述浮栅间隙的平坦化层；在所述平坦化的浮栅表面形成介质层；在所述介质层的表面形成控制栅。
具有层叠控制结构存储器制备方法

[发明专利]闪存器件的浮置栅极的制造方法-CN200610173266.1无效
发明人：金成均 -专利权人：东部电子股份有限公司
申请日： 2006-12-19 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成闪存器件的浮置栅极的方法，包括：在半导体衬底上形成隧道绝缘层；在该隧道绝缘层上形成浮置栅极导电层；在该浮置栅极导电层上形成硬掩模层图案；在该硬掩模层图案和该浮置栅极导电层的露出表面上形成第二导电层；蚀刻该第二导电层以在该硬掩模层图案的侧壁上形成导电间隔层；氧化该导电间隔层和该浮置栅极导电层以形成掩模氧化物层和间隔氧化物层；除去该硬掩模层图案以部分地露出该浮置栅极导电层的表面；以及通过使用该掩模氧化物层和该间隔氧化物层作为蚀刻掩模进行蚀刻处理，除去该浮置栅极导电层的露出部分，从而形成浮置栅极图案。
闪存器件栅极制造方法