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[实用新型]对准装置以及晶圆检测系统-CN202321235483.4有效
发明人： 王德进;马东旭;舒贻胜;刘远坤 -专利权人：杭州长川科技股份有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请涉及半导体检测技术领域，提供了一种对准装置以及晶圆检测系统。该对准装置包括吸附动力源和吸附平台；吸附动力源具有互相独立设置的第一气路和第二气路；吸附平台能够绕第一轴线转动；吸附平台构造有第一吸附区和第二吸附区，第一吸附区与第一气路连通，第二吸附区与第二气路连通；第一吸附区设置有多个，并间隔分设于第二吸附区的外侧。如此，即可提高对晶圆的吸附固定效果，提高吸附稳定性，当吸附平台在外力作用下切换于转动与停止之间时，确保晶圆不会轻易发生偏移，提高晶圆的对准精度，从而提升制造良率。
对准装置以及检测系统

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210258012.9在审
发明人：周耀辉;张松;刘群;王德进 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取在衬底上形成有隔离结构、在隔离结构和衬底上形成有第一栅氧层的晶圆；第一栅氧层形成于晶圆正面；通过图案化将不需要形成第一栅极的位置处的第一栅氧层去除，形成第一栅氧结构；使用激光退火工艺对晶圆正面进行处理，使有源区的表面形成表面氧化层；湿法去除表面氧化层；在衬底上形成第二栅氧结构；在第一栅氧结构上形成第一栅极、第二栅氧结构上形成第二栅极。本发明通过激光退火工艺修复有源区表面的同时形成表面氧化层，可抑制表面颗粒及消除粗糙结构的存在，可以提升该交界处的第二栅氧结构的完整性/致密性，提高第二器件的TDDB可靠性。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种取放机构及搬运机械手-CN202320668804.3有效
发明人： 王德进;马东旭;舒贻胜;刘远坤 -专利权人：杭州长川科技股份有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种取放机构及搬运机械手。该取放机构包括：安装板，具有进气孔、多个出气孔以及连通于进气孔与每一出气孔之间的输气通道；安装板包括安装部以及与安装部固接的取放部，取放部呈自身围绕形成一贯穿孔的闭合环状；多个出气孔位于取放部，且围绕贯穿孔间隔布设；及多个伯努利吸盘，与多个出气孔一一对应，每一伯努利吸盘安装于对应的出气孔。如此，能够尽可能地确保由进气孔进入到输气通道内的气体同时到达各个出气孔，从而使得各个伯努利吸盘同时对片状产品进行吸附，避免出现吸附延迟的现象，从而确保能够准确且稳定的吸取片状产品，提高转移片状产品的位置精度。
一种机构搬运机械手

[发明专利]对准装置、晶圆检测系统以及晶圆对准方法-CN202310581063.X在审
发明人： 王德进;马东旭;舒贻胜;刘远坤 -专利权人：杭州长川科技股份有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请涉及半导体检测技术领域，提供了一种对准装置、晶圆检测系统以及晶圆对准方法。该对准装置包括吸附动力源和吸附平台；吸附动力源具有互相独立设置的第一气路和第二气路；吸附平台能够绕第一轴线转动；吸附平台构造有第一吸附区和第二吸附区，第一吸附区与第一气路连通，第二吸附区与第二气路连通；第一吸附区设置有多个，并间隔分设于第二吸附区的外侧。如此，即可提高对晶圆的吸附固定效果，提高吸附稳定性，当吸附平台在外力作用下切换于转动与停止之间时，确保晶圆不会轻易发生偏移，提高晶圆的对准精度，从而提升制造良率。
对准装置检测系统以及方法

[发明专利]一种热损自显示的绝缘导热硅胶垫-CN202310583112.3在审
发明人：胡明富;王德进 -专利权人：胡明富
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01B17/56 文献下载
摘要：本申请公开了应用于硅胶垫领域的一种热损自显示的绝缘导热硅胶垫，该硅胶垫在聚粉垫发生裂缝后，由于热量的聚集，其温度较正常情况有所升高，此时在高温作用下，使热显磁液呈现明显的褪色情况，此时多个雪花状聚粉片的颜色的连续性被打断，进而使本硅胶垫呈现明显空白区域，说明该区域发热严重，可能存在裂缝后；另一方面，随着温度继续升高，聚粉球逐渐具备磁性，进而对热显磁粉产生明显的吸附性，在施加外力使热显磁液重分布时，进而产生明显热显磁粉局部堆积的现象，进而对工作人员起到明显的预警作用，进而进行相应的检修，有效降低因开裂造成的安全隐患；另外，本硅胶垫可局部更换，无需整体更换，从而有效保证对资源的利用率。
一种显示绝缘导热硅胶

[发明专利]MOS晶体管的制造方法-CN202111627197.8在审
发明人：张松;周耀辉;刘群;王德进 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种MOS晶体管的制造方法，应用于半导体领域。在本发明提供的MOS晶体管的制造方法中，针对小尺寸工艺下NMOS器件的HCI能力不足的问题，创新性的提出一种新的结构，在不改变现有NMOS器件特征尺寸情况下，将NMOS器件的源/漏极形成步骤从金属硅化物阻挡层SAB膜层沉积前改至在SAB膜层沉积后；然后，利用覆盖在侧墙表面上一定厚度的SAB膜层可以沿平行于所述半导体衬底的方向增加所述侧墙的厚度，进而实现增大轻掺杂漏极注入区LDD面积的目的，达到避免现有技术中随着工艺特征尺寸微缩，导致栅极结构侧壁上覆盖的侧墙厚度减薄而造成形成的轻掺杂漏极注入区LDD的面积减小的问题，最终实现改善了NMOS器件HCI效应，提供了产品的良率。
mos 晶体管制造方法

[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体场效应管-CN201911310548.5有效
发明人：魏家行;王琪朝;肖魁;王德进;卢丽;杨玲;叶然;刘斯扬;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：沟槽栅极，包括沟槽内的下部和沟槽外的上部，下部在导电沟道宽度方向上的长度小于上部，下部伸入体区且小于体区的深度；绝缘结构，设于漏极区和沟槽栅极之间并向下伸入漂移区，绝缘结构的深度小于漂移区，绝缘结构在漂移区内的深度大于场氧层在漂移区内的深度，绝缘结构在导电沟道宽度方向上的长度小于漂移区，绝缘结构两侧的表面形成有场氧层，上部延伸至场氧层上。本发明的导电沟道为在漂移区和体区中围绕绝缘结构和沟槽栅极设置的立体化结构。因此器件导通时的电流通路得到了扩展，能够大幅降低导通电阻。且绝缘结构可以有效提高器件的耐压性能，并起到辅助耗尽的作用。
横向扩散金属氧化物半导体场效应

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202111400046.9在审
发明人：周耀辉;张松;刘群;王德进 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，应用于半导体领域。本发明提供了一种在现有技术的基础上且无需添加额外的工艺的双SOI衬底上，形成DSOI器件结构的方法，具体的，其通过将现有技术中形成背栅开口的步骤调整到形成栅极结构的步骤之前，然后，再利用在形成栅极结构过程中沉积的栅极材料层会同时填满已形成的背栅开口，从而在经过后续刻蚀步骤和导电插塞填充步骤之后，使通过背栅开口形成的导电插塞中不仅包含导电材料，其还包含栅极材料，从而在沉积层间介质层之后，并在CT刻蚀工艺形成导电插塞时，避免了DSOI结构中因双SOI衬底厚度较厚而导致的极端台阶差引发的工艺风险。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]浮置接触孔的形成方法及半导体器件-CN202111056393.4在审
发明人：刘群;张松;周耀辉;王德进;朱文明 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种浮置接触孔的形成方法及半导体器件，所述方法包括：获取衬底，衬底上形成有隧道氧化层和多个栅极；形成金属硅化物阻挡层；形成自对准金属硅化物；形成层间介质层；在层间介质层上光刻得到光刻胶图案，光刻胶图案包括浮置接触孔中间的小胶条；以光刻胶图案为刻蚀掩膜层，刻蚀浮置接触孔。本发明通过控制曝光条件得到厚度比其余保留的光刻胶更小的胶条，浮置接触孔的刻蚀速率被该小胶条减缓，因此金属硅化物阻挡层无需做厚就能保证浮置接触孔底部的氧化层有足够厚度从而确保足够的器件耐压，而厚度小的金属硅化物阻挡层有利于避免在小线宽的逻辑器件/存储器的相邻栅极之间形成空洞，从而可以达到最小面积和最优的经济收益。
接触形成方法半导体器件

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN202111027944.4在审
发明人：张松;周耀辉;刘群;王德进 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制造方法，应用于半导体领域。具体的，其在半导体衬底的表面上形成一定厚度的金属层之后，并对其进行硅化工艺的时候，通入浓度可调的预定量氧气，以使所述金属层的底层与所述半导体衬底发生反应转换成金属硅化物层的同时，所述金属层的表层与所述氧气发生反应，形成一定厚度的金属氧化物层，从而在现有工艺的基础上，且不增加额外步骤和额外成本的情况下，最大程度的消耗了所述金属层，从而实现能够灵活控制形成的金属硅化物的厚度，进而得到厚度更薄的金属硅化物，最终解决了顶部半导体层硅特别薄的SOI工艺的漏电问题。
半导体器件制造方法

[实用新型]吸嘴机构及变距吸嘴装置-CN202221399292.7有效
发明人： 王德进;程海滨;项佳梁 -专利权人：杭州长川科技股份有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： B65G47/91 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种吸嘴机构及变距吸嘴装置，吸嘴机构包括机架、Z向驱动组件以及吸嘴组件，其中：Z向驱动组件包括Z向驱动源、Z向安装板以及连接Z向驱动源和Z向安装板的Z向传动部件，Z向驱动源和Z向传动部件均固定于机架上，Z向驱动源通过Z向传动部件驱动Z向安装板沿Z向移动；吸嘴组件固定于Z向安装板上；本实用新型提供的吸嘴机构，Z向驱动源通过Z向传动部件驱动Z向安装板沿Z向移动，并通过Z向安装板带动吸嘴组件沿Z向移动，以对物料进行吸附抓取作业，且在吸嘴组件沿Z向运动过程中，由于Z向驱动源与Z向传动部件均固定于机架上，可减小吸嘴组件运动过程中的运动质量，有效提高吸嘴组件在运动过程中的稳定性与精度。
机构变距吸嘴装置

[外观设计]手持风扇-CN202230164531.X有效
发明人： 王德进 -专利权人： 王德进
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： 23-04 文献下载
摘要：1、本外观设计产品名称：手持风扇。2、本外观设计产品用途：用于提供凉风降温的手持风扇。3、本外观设计产品的设计要点：在于形状。4、最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
手持风扇

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110667447.4在审
发明人：周耀辉;王德进;秦仁刚;孙晓峰;文浩宇 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：在衬底上形成用于划分出有源区的隔离结构；在衬底和隔离结构上形成第一栅氧层；在第一栅氧层上形成光刻胶，并对光刻胶进行显影；通过等离子体使显影形成的光刻胶残渣颗粒被反应去除；通过蚀刻去除未被光刻胶保护的位置处的第一栅氧层，形成第一栅氧结构；形成第二栅氧结构；在第一栅氧结构上形成第一栅极，在第二栅氧结构上形成第二栅极。本发明通过等离子体去除显影形成的光刻胶残渣颗粒，可以提升隔离结构与有源区的交界处的第二栅氧结构的完整性/致密性，从而解决第二器件GOI失效的问题。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种液位开关防水装置及设有其的液位开关-CN202222308403.5有效
发明人：余继乾;田维勇;黄志良;钱波安;柳仲春;王德进;王秋晨;代国栋;孙文博;陆习良 -专利权人：云南华电金沙江中游水电开发有限公司梨园发电分公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01H35/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种液位开关防水装置及设有其的液位开关，包括液位开关本体，所述液位开关本体包括开关主体和连接头，所述开关主体和连接头之间通过连接件连接，所述开关主体上设置有电缆线，所述开关主体的外部设置第一罩体，所述连接头的外部设置第二罩体，所述第一罩体和第二罩体之间可拆卸连接，所述第二罩体的内设置隔板，所述隔板将开关主体和连接头隔开，所述连接件穿过隔板并与隔板密封连接，所述第二罩体的下端设置密封盖，所述密封盖和第二罩体可拆卸连接；所述第一罩体上设置有用于使所述电缆线穿出的防水软管，所述防水软管和第一罩体之间密封连接。本实用新型具有结构简单、不易脱落、使用方便、防水效果好、可重复使用等优点。
一种开关防水装置设有

[发明专利]存储器结构及其制造方法-CN201810688042.7有效
发明人：刘涛;张松;梁志彬;金炎;王德进 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/11531 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器结构及其制造方法，所述存储器结构的高压器件区包括衬底和衬底上的栅极结构，所述栅极结构包括高压区浮栅、覆盖所述高压区浮栅的高压区多晶硅栅、以及设于所述高压区浮栅和高压区多晶硅栅之间的绝缘层，所述高压区浮栅顶部至少部分区域不设置所述绝缘层，从而使得所述高压区浮栅和高压区多晶硅栅在不设置绝缘层的位置连通，所述高压器件区还包括位于衬底内、所述高压区浮栅下方两侧的轻掺杂漏极。本发明在高压器件区保留高压区浮栅结构，通过在高压区浮栅上叠加高压区多晶硅栅，增加了阻挡LDD注入的多晶硅的厚度，防止LDD注入穿透多晶硅打进导电沟道里。
存储器结构及其制造方法

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