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[外观设计]电池正极片（1）-CN202230716350.3有效
发明人：马旭军;钟妙新;邹陆军;张祖喜 -专利权人：力源电池科技(宜春)有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： 13-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：电池正极片（1）。2.本外观设计产品的用途：用于正极导电接触使用。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
电池正极

[外观设计]电池正极片（2）-CN202230735873.2有效
发明人：马旭军;钟妙新;邹陆军;张祖喜 -专利权人：力源电池科技(宜春)有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： 13-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：电池正极片（2）。2.本外观设计产品的用途：用于正极导电接触使用。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
电池正极

[发明专利]一种低内阻的锂锰扣式电池及其制备方法-CN202211419014.8在审
发明人：马旭军;钟妙新;邹陆军;张祖喜 -专利权人：力源电池科技（宜春）有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01M6/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种低内阻的锂锰扣式电池及其制备方法，涉及电池技术领域；而本发明包括电池外壳体，电池外壳体的内部分别设有正极壳体和负极盖体，正极壳体的上表面设有正极集流网，正极集流网远离正极壳体的一面设有正极片，正极片远离正极集流网的一面设有隔膜层，隔膜层远离正极片的一面设有负极锂片，负极锂片远离隔膜层的一面和负极盖体的一面电子连接；通过在负极锂带的装配过程中，增加一层箔材涂层，并对主材二氧化锰进行改性，生产出正极片，箔材涂层具有较高的导电率，增加了锂离子的移动，将负极锂带表面增加箔材涂层后，电池的内阻将降低50％，储存性能增加一倍，可放置10年以上，同时，减少了电池的自放电。
一种内阻锂锰扣式电池及其制备方法

[发明专利]一种性能优异的宽温锂锰电池及其制备方法-CN202110652382.6在审
发明人：马旭军;邹陆军;钟妙新;张祖喜 -专利权人：力源电池科技（宜春）有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01M6/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种性能优异的宽温锂锰电池及其制备方法，包括正极片和字壳，正极片固定套接在字壳的一端内壁，字壳的另一端内壁固定套接负极盖，负极盖的内壁固定连接负极锂带，正极片与负极锂带间的字壳内固定安装隔膜，隔膜两侧填充电解液，将二氧化锰在高温下进行晶转型改性，然后与聚四氟乙烯、石墨、乙炔黑、食用胶等按配比进行混合、造粒、打片，得到二氧化锰正极片；将锂盐、低粘度低熔点溶剂和高沸点低蒸汽溶剂按配比均匀混合，并加入阻燃剂，得到电解液；通过自动组装线装配将正极片、负极锂带、隔膜、电解液、字壳、负极盖进行组装，生产出锂锰扣式电池。增加了其宽温特性，使其在较低或者较高的温度还能保持容量。
一种性能优异宽温锂锰电池及其制备方法

[发明专利]一种快充型高容量纽扣电池及其制备方法-CN202110652350.6在审
发明人：张祖喜;马旭军;钟妙新;邹陆军 -专利权人：力源电池科技（宜春）有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01M10/0587 文献下载
摘要：本发明公开了一种快充型高容量纽扣电池及其制备方法，包括卷芯，卷芯包括隔膜，隔膜卷绕形成螺旋结构，隔膜的螺旋间隙间固定贴附正极片和负极片，隔膜末端的正极片和负极片均固定连接极耳，卷芯的外壁底部和顶部分别套接支撑环和密封胶圈，支撑环的外壁固定套接正极壳，密封胶圈的顶部固定连接翻边盖，翻边盖固定连接正极壳，两个极耳分别电连接正极壳和翻边盖的内壁，按配比制得正负极片，真空干燥后与隔膜进行卷绕、贴高温胶、点焊、套支撑环、泡液、封口等工艺过程形成卷芯，并外套支撑环结构，制备出未带电的裸纽扣电芯，将电芯，通过化成、老化、静置等工艺流程，制备纽扣电池。电池具有一致性好、内阻低、容量高、支持快充的优良性能。
一种快充型高容量纽扣电池及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201710130990.4有效
发明人：郑二虎;邹陆军 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有栅极结构和位于栅极结构顶部表面的第一保护层；在所述栅极结构的侧壁和第一保护层的侧壁形成初始侧墙；在所述初始侧墙的侧壁形成第一侧墙，第一侧墙的材料和初始侧墙的材料不同；形成第一侧墙后，去除部分初始侧墙，使初始侧墙形成第二侧墙，且在第一侧墙和第一保护层之间形成凹槽，所述第二侧墙位于凹槽的底部，所述第二侧墙的顶部表面高于或齐平于栅极结构的顶部表面；在所述凹槽中形成第二保护层，所述第二保护层的材料与所述第一侧墙的材料相同。所述方法使得半导体器件的电学性能得到提高。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法、电子装置-CN201710160746.2有效
发明人：王胜名;邹陆军;李绍彬 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成堆叠栅，在所述堆叠栅的侧壁上形成间隙壁；在所述半导体衬底上形成包围所述堆叠栅的层间介电层；在所述层间介电层中形成源极接触和漏极接触；其中，所述间隙壁顶部区域全部由与所述层间介电层具有刻蚀选择性的材料构成。该制作方法可以克服栅极间隙壁顶部的反转接触刻蚀停止层被去除导致的栅极与源/漏之间的击穿电压降低的问题。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。
半导体器件及其制作方法电子装置

[发明专利]半导体器件及其制作方法、电子装置-CN201710312300.7有效
发明人：王胜名;邹陆军;李绍彬;仇圣棻 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括制作接触孔时，在字线带状接触区两侧的初始层间介电层中形成保护接触孔，并在去除存储单元器件区中的初始层间介电层时以保护层覆盖所述字线带状接触区，从而避免字线带状接触区中的初始层间介电层被去除。该制作方法可以避免NOR器件接触孔制作中在字线带状接触区出现光刻胶坍塌、控制栅硬掩膜损伤，或者层间介电层在控制栅两层上残余而导致控制栅与源/漏击穿电压降低等问题，提高了器件的性能和良率。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。
半导体器件及其制作方法电子装置

[发明专利]闪存结构及其形成方法-CN201610133528.5有效
发明人： 邹陆军 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：一种闪存结构及其形成方法，所述方法包括：提供衬底；在衬底上形成包括浮置栅和控制栅的栅极结构以及栅极结构上的硬掩膜层；在栅极结构和硬掩膜层侧壁上形成侧壁结构；形成覆盖侧壁结构的刻蚀阻挡层；在衬底上形成顶部高于浮置栅顶部且低于硬掩膜层顶部的第一介质层；去除高于第一介质层的侧壁结构和刻蚀阻挡层；在硬掩膜层侧壁形成牺牲侧壁层且位于侧壁结构和刻蚀阻挡层上方；在第一介质层上形成第二介质层；形成贯穿第二介质层和第一介质层的接触孔，对第二介质层和第一介质层的刻蚀速率大于对牺牲侧壁层的刻蚀速率；在接触孔内形成接触孔插塞。由于对牺牲侧壁层的刻蚀速率较小，减小了牺牲侧壁层的损耗量，从而可以保护侧壁结构。
闪存结构及其形成方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置-CN201510670150.8有效
发明人：张冬梅;肖莉红;仇圣棻;杨芸;邹陆军 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有底部电极；步骤S2：在所述底部电极上沉积阻变材料层并在沉积过程中选用全氟化合物进行原位清洗，以降低所述阻变材料层中氧的含量。通过所述方法可以控制所述阻变材料层中的氧含量以符合所述阻变式存储器(Resistive Random Access Memory，RRAM)的需求，所述方法简单易行，而且能够更好的控制所述阻变材料层中的氧含量，进一步提高阻变式存储器的性能和良率。
一种半导体器件及其制备方法电子装置

[发明专利]半导体器件及制备方法、半导体器件的测试结构及方法-CN201510056613.1有效
发明人：张金霜;李绍斌;邹陆军 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-02-03 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L27/11548 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及制备方法、半导体器件的测试结构及方法。所述测试结构包括半导体衬底；浮栅，位于所述半导体衬底上；浮栅极氧化物，位于所述半导体衬底和所述浮栅之间；控制栅，位于所述浮栅上；第一终端，与所述半导体衬底连接；第二终端，与所述控制栅电连接；第三终端，与露出的所述浮栅电连接。本发明所述测试结构和方法的优点在于：(1)可以通过在线WAT测试来监控周围区器件的所述浮栅和控制栅之间的界面层。(2)当所述周围区器件的所述浮栅和控制栅之间存在界面层，本发明所述检测结构仍可以准确的检测到栅极氧化物的电容‑电流曲线，并且反馈得到准确的栅极氧化物的厚度。
半导体器件制备方法测试结构

[发明专利]存储器的形成方法-CN201310754227.0有效
发明人： 邹陆军;李绍彬;仇圣棻 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器的形成方法，包括提供衬底；在所述衬底上形成浮栅材料层；图形化所述浮栅材料层及衬底，形成位于衬底上的浮栅以及位于浮栅之间的衬底中的开口；在所述开口内部形成隔离材料层；对所述浮栅顶部以及隔离材料层顶部进行第一化学机械研磨，以平坦化所述浮栅的上表面；去除浮栅之间的隔离材料层，位于所述衬底中的隔离材料层形成隔离结构；在所述浮栅侧壁、上表面以及隔离结构表面形成绝缘层。由于所述浮栅上表面平整度高，在浮栅上表面形成的绝缘层厚度均匀，使得绝缘层附近的局部电场强度与其他区域的电场强度接近，能够提高浮栅保持电荷的能力。
存储器形成方法

[发明专利]一种半导体存储器件及其制备方法、电子装置-CN201410841380.1有效
发明人：杨芸;仇圣棻;李绍彬;邹陆军;陈超;朱先宇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体存储器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有有源区单元、浅沟槽隔离单元以及周围区单元，其中在所述有源区单元和所述浅沟槽隔离单元中形成有由若干栅极结构形成的栅极阵列；步骤S2：执行源漏注入，以形成源漏区，并形成钝化层，以覆盖所述有源区单元、所述浅沟槽隔离单元和所述周围区单元；步骤S3：以自对准的方法去除所述浅沟槽隔离单元中部分所述栅极结构之间的所述钝化层，以形成若干隔离开口，间隔所述栅极阵列；步骤S4：沉积隔离材料层，以填充所述隔离开口。本发明通过所述方法可以避免对所述栅极的侧壁造成损坏，以进一步提高器件的性能和良率。
一种半导体存储器件及其制备方法电子装置

[发明专利]一种半导体器件的制造方法和电子装置-CN201410220163.0有效
发明人： 邹陆军;杨芸;李绍彬;仇圣棻 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-05-23 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，形成金属硅化物的步骤位于形成层间介电层的步骤之前，因此可以避免形成层间介电层的过程中的退火工艺对金属硅化物造成负面影响，从而可以提高制得的半导体器件的性能和良率。本发明的电子装置，使用了根据上述方法制造的半导体器件，因而同样具有上述优点。
一种半导体器件制造方法电子装置

[发明专利]一种阻变随机存储器及其制造方法-CN201610607593.7在审
发明人： 邹陆军;杨芸;仇圣棻 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明的一方面提供一种阻变随机存储器的制造方法，包括以下步骤提供基底；在所述基底上形成介电层；在所述介电层上形成缓冲层；在所述缓冲层和所述介电层中形成开口；在所述开口中形成下电极。本发明的另一方面提供一种利用上述制造方法制造的阻变随机存储器。本发明的阻变随机存储器及其制造方法，通过在介电层和电极之间加入缓冲层，能够增强电极的粘合度并缓解高压，从而能够有效防止电极脱落。
一种随机存储器及其制造方法

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