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[发明专利]堆叠背照式图像传感器的制备方法-CN202310523760.X在审
发明人：蔡亚果;张武志;曹亚民 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种堆叠背照式图像传感器的制备方法，方法包括：提供像素晶圆及逻辑晶圆，且像素晶圆包括第一衬底及形成于第一衬底表面的第一介质层，逻辑晶圆包括第二衬底及形成于第二衬底表面的第二介质层；于第一介质层内形成第一铜焊垫且第一铜焊垫的表面高于第一介质层的表面，及于第二介质层内形成第二铜焊垫且第二铜焊垫的表面高于第二介质层的表面；利用混合键合工艺将像素晶圆键合于所述逻辑晶圆上，此时，第一铜焊垫与第二铜焊垫一一对应；利用热处理工艺对键合后的像素晶圆及逻辑晶圆进行热处理。通过本发明解决了现有的芯片面积较大且键合后易产生气泡与空洞缺陷的问题。
堆叠背照式图像传感器制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910743007.5有效
发明人： 张武志;曹亚民;周维 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域。所述半导体器件沿半导体器件的厚度方向，依次包括底层、隔离层以及图形层；图形层包括顶层结构、第一N型区域、第一栅极、第二栅极、P型阱、N型漂移区域以及第二N型区域；沿半导体器件的宽度方向，第一栅极和第二栅极相对设置，第一N型区域、P型阱、N型漂移区域以及第二N型区域位于第一栅极和第二栅极之间；第一N型区域、P型阱、N型漂移区域以及第二N型区域沿半导体器件的长度方向依次设置。本申请通通过并列设置第一栅极和第二栅极，降低了半导体器件的阈值电压；同时，通过设置隔离层增加了半导体器件的防漏电能力。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]LDMOS器件及其制造方法-CN202310450879.9在审
发明人：赵春山;张武志;曹亚民;周维;王艳生 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种LDMOS器件，包括第一导电类型的衬底，衬底上形成有STI以定义出有源区，在有源区中采用离子注入工艺形成有间隙阱，位于间隙阱两侧分别形成有第一导电类型的掺杂区和第二导电类型的漂移区；第一导电类型的掺杂区和第二导电类型的漂移区上形成有栅氧化层及其上的多晶硅栅极层，栅氧化层横跨间隙阱；栅氧化层、多晶硅栅极层的两侧形成有侧墙；掺杂区中的侧墙一侧的位置形成一第二导电类型的重掺杂源端，漂移区侧墙的另一侧形成有第二导电类型的重掺杂漏端。本发明的器件可支持最高栅压提升明显(～0.5V)，提高了器件的可靠性。
ldmos 器件及其制造方法

[实用新型]承力机匣前段精加工夹具-CN202222910935.6有效
发明人：刘杰;黎明;彭龙;张武志 -专利权人：株洲丰发精工实业有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： B23Q3/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了承力机匣前段精加工夹具，包括夹具主体和凹槽，所述夹具主体上开设有滑槽和限位槽，所述限位槽与滑槽相间分布，所述辅助活动定位块两侧均设有孔洞，所述支撑柱上开设有洞口，所述压板一侧设有零件，所述固定槽一侧设有固定螺栓；该承力机匣前段精加工夹具设置有采用焊接拼装的夹具主体，保证有足够强度并能有效减轻本工装重量便于安装，工装采用M16螺栓连接机床卡盘或法兰盘，能适用于不同型号的机床，压板采用Z字型压板，能避免刀具干涉及保证足够的压紧力，中间采用活动的三点定位便于调节，此工装经过热处理能长久反复使用，完全能保证产品质量，压板和辅助活动定位块使得本工装能够便于调节对零件进行夹持固定。
承力机匣前段精加工夹具

[实用新型]多用途航空零部件支架精加工夹具-CN202222919987.X有效
发明人： 张武志;刘杰;何顺;彭龙 -专利权人：株洲丰发精工实业有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B23Q3/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了多用途航空零部件支架精加工夹具，涉及工装技术领域，包括被加工产品、限位孔与定位孔，所述被加工产品的外壁均匀设置有压紧孔，所述被加工产品的下方安装有上支撑板，所述上支撑板的下方安装有下支撑板，所述上支撑板的上方均匀安装有压板。本实用新型利用把第一螺杆安装在压板内，实现压板与上支撑板之间的定位，同时通过第二螺杆贯穿限位孔，且可在限位孔内调节位置，然后第二螺杆的下方精准定位在上支撑板的孔中安装，通过第二六角螺栓定位在定位柱子的螺纹孔内实现进一步的精准定位，解决了定位不精准的问题。
多用途航空零部件支架精加工夹具

[发明专利]一种导弹发射车五十寸显示器外框加工方法-CN202211363531.8在审
发明人：苏文宏;刘杰;张武志;何顺 -专利权人：株洲丰发精工实业有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种导弹发射车五十寸显示器外框加工方法，涉及显示器外框加工技术领域，包括选择面板毛坯，所述方法具体包括以下步骤：工序一、粗加工，毛坯中间粗加工屏幕安装孔，压外边四周，按照尺寸加工两方孔；工序二、粗加工，先压里面方孔，粗加工外形，侧面单边留量，底面留量；换压板压外边台，粗加工内侧侧面单边留量，底面留量。该导弹发射车五十寸显示器外框加工方法能够通过采用一体成型分层粗精并行的加工方案进行，使用更锋利的专用刀具，刀具不易产生积屑瘤，从而减小了零件扭曲变形，零件尺寸均达到图纸设计要求，保证零件在使用过程中具有良好的密封性和足够的强度，能更好的适应战场中各类恶劣的作战环境。
一种导弹发射五十显示器加工方法

[发明专利]一种航空发动机齿轮支承架高精度孔的加工方法-CN202211363528.6在审
发明人：黎明;张武志;何顺;彭龙 -专利权人：株洲丰发精工实业有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： B23P13/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种航空发动机齿轮支承架高精度孔的加工方法，包括以下步骤：定位安装；设置尺寸；加工底孔；扩孔操作：将U钻定位装夹在加工机床上，U钻沿轴向进给进行扩孔操作；高精度处理。该一种航空发动机齿轮支承架高精度孔的加工方法通过定位条的设置，其中定位条分别围绕U钻刀体圆周和深孔铰刀刀体设置，定位条的材质为耐磨金属材质，且定位条的结构为圆滑过渡结构，在利用U钻扩孔操作过程中，避免出现划伤工件内壁现象，且在深孔铰刀高精度处理过程中，具有良好的抛光打磨作用，提高了工件内壁精度，并且深孔铰刀采用中间出水结构，深孔铰刀的排屑方向向下，确保深孔内壁不被刮花，便于提高深孔加工质量，且降低生产成本。
一种航空发动机齿轮支承高精度加工方法

[发明专利]背照式图像传感器及其制造方法-CN202211429890.9在审
发明人：张小龙;赵春山;张武志;曹亚民;杨斌 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种背照式图像传感器的制造方法，应用于半导体技术领域。具体的，其通过减小形成在硅衬底(半导体衬底)表面上的氧化物层的解耦等离子体氧化工艺DPO的沉积时间的方式，减薄形成在该硅衬底表面上的氧化物层的厚度，从而减小了DPO工艺过程中其等离子体对硅表面的冲击破坏所造成的硅损伤，进而由硅表面损伤造成的暗电流，即，本发明提供的制造方法，可以避免硅表面损伤造成的暗电流，以及白像素问题，最终实现了提升背照式图像传感器器件性能的目的。
背照式图像传感器及其制造方法

[发明专利]改善背照式CIS的像素白点的工艺方法-CN202211197986.7在审
发明人：赵春山;王海洋;张武志;曹亚民;杨斌 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善背照式CIS的像素白点的工艺方法，背照式CIS的制造步骤中包括切边工艺，切边工艺包括：步骤一、将晶圆放置在切边机台上，晶圆的正面形成有背照式CIS的单元结构。步骤二、采用刀头对晶圆进行边缘切割。在边缘切割过程中，刀头和晶圆之间产生摩擦并形成摩擦热，通过控制晶圆的温度来降低摩擦热对晶圆的损伤并从而降低像素白点。本发明能降低晶圆的晶格结构损伤并从而降低像素白点。
改善背照式 cis 像素白点工艺方法

[发明专利]CIS的深沟槽隔离结构及其制造方法-CN202211198110.4在审
发明人：蔡亚果;张武志;曹亚民;赵庆贺 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种CIS的深沟槽隔离结构，包括：通过对第一半导体衬底的第一表面进行等离子体刻蚀形成的深沟槽，深沟槽的内侧表面具有由等离子体刻蚀产生界面缺陷。形成于深沟槽中的第一半导体外延层、第二介质层和第三导电材料层。在最靠近外围区的深沟槽的部分区域中还形成有第四导电材料层。第四导电材料层和外部电极连接。外部电极连接到外部控制模块，外部控制模块提供外部电压到各第三导电材料层上以对深沟槽的内侧表面的界面态进行调控，以消除界面缺陷对界面态的不利影响。本发明还公开了一种CIS的深沟槽隔离结构的制造方法。本发明能对深沟槽隔离结构和半导体衬底之间的界面处的界面态进行调控，能优化界面态并从而减少暗电流和白像素。
cis 深沟隔离结构及其制造方法

[发明专利]背照式图像传感器及其制造方法-CN202211212275.2在审
发明人：高得妍;赵春山;张武志;曹亚民;杨斌 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种背照式图像传感器及其制造方法，应用于半导体技术领域中。具体的，在本发明提供的背照式图像传感器的制造方法中，通过调整形成在背照式图像传感器堆叠结构的顶面上的BSGND结构与背照式图像传感器堆叠结构中的像素晶圆内的像素区域(pixel)的距离来实现减小像素区域(pixel)周围的硅衬底的损伤，从而减少器件暗电流的产生，进而减少漏电现象的问题，最终实现提高暗光下的图像质量的目的。
背照式图像传感器及其制造方法

[发明专利]一种背照式图像传感器及其制备方法-CN202211343841.3在审
发明人：蔡亚果;刘晓蒙;张武志;曹亚民 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种背照式图像传感器及其制备方法，所述背照式图像传感器包括衬底、金属互连层、氧化层及分光层；其中，所述金属互连层覆盖所述衬底的一面，所述氧化层及所述分光层依次覆盖所述衬底的另一面，所述分光层包括三个子区域，每个子区域中均具有若干均匀分布且贯穿所述分光层的通孔，每个所述子区域内，所述通孔的直径以及相邻所述通孔之间的间距均相同，不同的所述子区域之间，所述通孔的直径以及相邻所述通孔之间的间距均不同。通过入射光在分光层内发生等离子激元效应实现单色光的分离及定向传输，有效提高所述背照式图像传感器的可靠性及使用寿命。
一种背照式图像传感器及其制备方法

[发明专利]告警处理方法及装置-CN201811385452.0有效
发明人：王续凯;王辉;杨鑫;张武志;张旭欢;王雁群;康珺 -专利权人：中国移动通信集团内蒙古有限公司;中国移动通信集团有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H04L41/0631 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种告警处理方法及装置。所述方法包括：获取操作维护中心OMC设备上报的原始告警数据中的第一告警信息，所述第一告警信息为携带有射频拉远单元RRU告警指示的告警信息；根据所述原始告警数据中的每条告警信息条目的告警标识信息，确定所述告警信息条目中、告警所属设备为所述RRU设备的第二告警信息；当所述第一告警信息与所述第二告警信息一致时，确认所述RRU设备发生告警，并根据所述RRU设备的告警信息确定所述RRU设备的故障地理范围；所述RRU设备的告警信息为所述第一告警信息或所述第二告警信息。本发明实施例解决了现有技术中，高铁专网中不能及时、准确地获取RRU故障位置，维护效率低下，且延长了设备故障时长的问题。
告警处理方法装置

[发明专利]改善CMOS图像传感器的噪音的结构及其方法-CN202210745993.X在审
发明人：顾嘉华;张武志;曹亚民;杨斌;周维 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善CMOS图像传感器的噪音的结构，在半导体衬底上形成有光栅结构，光栅结构由填充于沟槽中的光栅介质层组成，按照材料的透光性的不同光栅介质层至少包括第一光栅介质层和第二光栅介质层并分别组成第一光栅结构和第二光栅结构。第一光栅结构覆盖在第一部分区域的各像素单元上方且第一光栅介质层的材料具有第一透光性。第二光栅结构覆盖在第二部分区域的各像素单元上且第二光栅介质层的材料具有第二透光性。CMOS图像传感器采用第一透光性、第二透光性、入射的光信号和收取的电信号来计算得到CMOS图像传感器的噪音并在各像素单元的电信号中消除所述噪音。本发明还公开了一种改善CMOS图像传感器的噪音的方法。
改善 cmos 图像传感器噪音结构及其方法

[发明专利]一种增强后段集成RRAM结构侧壁保护的方法-CN202210783762.8在审
发明人：郑科城;张武志;赵庆贺 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种增强后段集成RRAM结构侧壁保护的方法，氧化硅层中形成有贯通其上下表面的金属结构；在氧化硅层以及所述金属结构上形成NDC层，在金属结构上的NDC层中形成贯通其上下表面的钨结构；在NDC层上表面形成覆盖钨结构的RRAM结构，之后在RRAM结构上形成第一氮化硅层；在NDC层以及所述第一氮化硅层上覆盖第二氮化硅层，第二氮化硅层同时覆盖所述RRAM结构的侧壁；刻蚀去除NDC层上的所述第二氮化硅层，并保留RRAM结构侧壁的第二氮化硅层。本发明不改变通孔和金属层高度的情况下，将RRAM集成进去，这充分保障了后段制程电性的一致性。
一种增强后段集成 rram 结构侧壁保护方法

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