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[发明专利]氧掺杂硬碳材料及其制备方法、硬碳负极材料及电池-CN202310909851.7在审
发明人：谌庆春;王铈汶;林颖鑫;朱开达;张敏 -专利权人：深圳海辰储能控制技术有限公司;厦门海辰储能科技股份有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C01B32/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧掺杂硬碳材料及其制备方法、硬碳负极材料及电池，氧掺杂硬碳材料的制备方法包括：向等离子球磨设备的球磨罐内放入硬碳材料以及磨球，向球磨罐内通入含氧气体至球磨罐内的气压达到第一预设值，等离子球磨设备工作，以使球磨罐内的含氧气体电离以及以使球磨罐运动，以形成氧掺杂硬碳材料，将氧掺杂硬碳材料与磨球分离，以获得氧掺杂硬碳材料。根据本发明实施例的氧掺杂硬碳材料的制备方法，可以使得氧掺杂硬碳材料表面的含氧官能团的数量增加，提升倍率性能；另外可以使氧掺杂硬碳材料的粒度较小，缩短离子的扩散路径，同时使氧掺杂硬碳材料的表面缺陷增多，从而可以进一步提升倍率性能
掺杂材料及其制备方法负极电池

[发明专利]复合半导体衬底、半导体装置及其制造方法-CN202211210458.0在审
发明人：蔡敏瑛;吴政达;郑有宏;杜友伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种复合半导体衬底，其包含半导体衬底、氧掺杂结晶半导体层及绝缘层。所述氧掺杂结晶半导体层在所述半导体衬底上方，且所述氧掺杂结晶半导体层包含结晶半导体材料及多种氧掺杂剂。所述绝缘层在所述氧掺杂结晶半导体层上方。
复合半导体衬底装置及其制造方法

[发明专利]复合半导体衬底、半导体装置及其制造方法-CN201811241036.3在审
发明人：蔡敏瑛;吴政达;郑有宏;杜友伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明实施例揭露一种复合半导体衬底、半导体装置及其制造方法，其中所述复合半导体衬底包含半导体衬底、氧掺杂结晶半导体层及绝缘层。所述氧掺杂结晶半导体层在所述半导体衬底上方，且所述氧掺杂结晶半导体层包含结晶半导体材料及多种氧掺杂剂。所述绝缘层在所述氧掺杂结晶半导体层上方。
氧掺杂衬底结晶半导体层复合半导体绝缘层半导体装置半导体结晶半导体材料制造

[发明专利]一种氧掺杂氮化钛杂化和氮掺杂的多孔碳材料及其制备方法和应用-CN202110544559.0在审
发明人：耿建新;孙龙华 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C01B32/05 文献下载
摘要：本发明公开一种氧掺杂氮化钛杂化和氮掺杂的多孔碳材料，该多孔碳材料的结构中包含氮掺杂的多孔石墨化碳，以及氧掺杂氮化钛；其中，所述氧掺杂氮化钛杂化在所述氮掺杂的多孔石墨化碳中。在该多孔碳材料中，氧掺杂氮化钛在多孔碳中均匀分布，且该多孔碳材料具有高的比表面积。本发明还公开了该多孔碳复合材料的制备方法。
一种掺杂氮化钛杂化多孔材料及其制备方法应用

[发明专利]一种稳定掺杂石墨烯的化学掺杂剂与掺杂方法-CN201610673816.X有效
发明人：马来鹏;任文才;董世超;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2016-08-16 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明涉及石墨烯领域，具体为一种稳定掺杂石墨烯的化学掺杂剂与掺杂方法。采用光固化型环氧胶作为稳定掺杂石墨烯的新型掺杂剂，具体掺杂方法为：首先在初始基体上的石墨烯表面形成光固化型环氧胶；然后将石墨烯、光固化型环氧胶和透明目标基体进行结合，对环氧胶进行光固化；最后通过对固化后的环氧胶进行加热或室温长期放置处理，实现对石墨烯的稳定掺杂。本发明在转移之前将光固化型环氧胶与初始基体上生长的石墨烯直接接触并固化，再通过加热或室温长期放置处理实现对石墨烯的稳定掺杂。由于石墨烯的本征表面与掺杂剂直接接触，避免了杂质对两者之间界面的污染，可促进环氧胶的掺杂效果。
一种稳定掺杂石墨化学方法

[发明专利]一种氧、氯共掺杂石墨烯量子点的制备方法-CN201310312836.0有效
发明人：李学铭;唐利斌;杨雯;杨培志 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：一种氧、氯共掺杂石墨烯量子点的制备方法，涉及氧、氯共掺杂石墨烯量子点的水热制备技术。本发明的一种氧、氯共掺杂石墨烯量子点的水热制备方法，其特征在于在水热条件和盐酸催化条件下，糖作为碳源和氧掺杂源，盐酸作为氯掺杂源，糖分子与盐酸缩水聚合形成水溶性氧、氯共掺杂石墨烯量子点。本发明的技术涉及往石墨烯量子点中同时引入氧和氯元素，从而增加石墨烯量子点中电子跃迁的有效能级，进而使得用本发明制备得到的氧、氯共掺杂石墨烯量子点具有更优良的发光及发光调制性能。
一种掺杂石墨量子制备方法

[发明专利]一种双金属掺杂的混合导体透氧膜及其制备方法和应用-CN201510037906.5有效
发明人：江河清;贺广虎;梁文渊;张艳;焦成丽 -专利权人：中国科学院青岛生物能源与过程研究所
申请日： 2015-01-26 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明属于氧离子‑电子混合导体透氧膜技术领域，具体涉及一种双金属掺杂的混合导体透氧膜及其制备方法和应用。透氧膜为在Ba0.6Sr0.4FeO3基钙钛矿氧化物中的B位掺杂两种金属离子，从而形成双金属掺杂的钙钛矿氧化物。本发明Mg和Zr双金属掺杂的Ba1‑xSrxFe1‑y‑zMgyZrzO3‑δ混合导体透氧膜同时具有稳定性好、渗透通量高的特点。具体地，Mg2+离子掺杂产生了较多的氧空穴，保证了掺杂后透氧膜较高的渗透通量，掺杂Zr4+可以提高钙钛矿的结构容限因子，防止由于氧空位浓度增加而发生钙钛矿结构转变。因此，经过掺杂Mg和Zr离子分别发挥提高氧空位浓度和钙钛矿结构稳定性的不同功能，使Ba1‑xSrxFe1‑y‑zMgyZrzO3‑δ透氧膜同时具有高渗透通量和稳定性。
一种双金属掺杂混合导体透氧膜及其制备方法应用

[发明专利]一种二维材料的氧掺杂改性方法-CN201910465627.7有效
发明人：杨奉佑;陈胜垚;王晓丰;刘前 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种二维材料的氧掺杂改性方法。本发明提供的方法包括以下步骤：(1)将二维材料置于激光直写系统中，用定位系统找到待改性区域；(2)使用所述激光直写系统在步骤(1)所述待改性区域按照设定的图案进行激光直写，得到氧掺杂改性的二维材料。该方法通过利用定位系统精确定位二维材料的待改性区域，并按照图案对二维材料进行激光直写，可以实现对选定区域的氧掺杂改性，而不影响其他区域，该氧掺杂改性的方法精确度达到100nm；并且通过使用灰度图，根据所述灰度图的不同灰阶分别用不同能量的激光进行激光直写可实现不同掺杂位置具有不同的氧掺杂量，使得一个图形中的氧掺杂量可以连续变化，实现可控的梯度氧掺杂。
一种二维材料掺杂改性方法

[实用新型]沟槽肖特基的栅极多晶硅-CN202122135645.4有效
发明人：陆益;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种起到高介电常数绝缘层作用，阻挡磷掺杂多晶硅向栅氧扩散磷元素，避免因为栅氧中掺有磷元素导致的栅氧介电常数的变化，影响到栅氧质量的沟槽肖特基的栅极多晶硅。本实用新型包括形成于衬底正面的外延层和金属层；还包括栅氧区、无掺杂多晶硅区和磷掺杂多晶硅区；在磷掺杂多晶硅区和栅氧区之间，沉积了一层无掺杂多晶硅区。无掺杂多晶硅区起到高介电常数绝缘层作用，阻挡了磷掺杂多晶硅向栅氧扩散磷元素，避免因为栅氧中掺有磷元素导致的栅氧介电常数的变化，影响到栅氧的质量。本实用新型具有加工简便、避免因为栅氧中掺有磷元素导致的栅氧介电常数的变化等特点。
沟槽肖特基栅极多晶

[发明专利]一种忆阻器的Simulink模型建立方法-CN201710447945.1在审
发明人：卢智伟;董华锋;吴福根 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种忆阻器的Simulink模型建立方法，根据忆阻器的氧空位预设初始浓度，以及掺杂区的氧空位实时浓度与施加电压的关系，建立掺杂区的氧空位实时浓度模型；基于P型半导体电阻率定义，根据氧空位实时浓度模型，计算出掺杂区的实时电阻率；根据实时电阻率、非掺杂区电阻率以及忆阻器的参数，分别计算出掺杂区实时电阻和非掺杂区实时电阻；根据掺杂区实时电阻和非掺杂区实时电阻，建立忆阻器的亿阻值模型；基于亿阻值模型，建立本申请通过建立掺杂区实时氧空位浓度模型，计算掺杂区实时电阻率，再基于掺杂区实时电阻率建立更贴合实际的忆阻器模型，使得建立的忆阻器Simulink模型的准确率较高。
一种忆阻器 simulink 模型建立方法

[发明专利]一种钴氧氧氢修饰磷掺杂氧化铁光阳极的制备方法-CN201811540597.3在审
发明人：刘长海;徐宇;陈智栋 -专利权人：常州大学
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种钴氧氧氢修饰磷掺杂氧化铁光阳极的制备方法，属于新能源材料技术领域，先通过水热法在二氧化锡导电玻璃(FTO)基底上生成β‑FeOOH，然后通过浸泡磷酸盐溶液及热处理生成磷掺杂的氧化铁光阳极，最后利用光辅助电沉积法在磷掺杂的氧化铁光阳极表面沉积一层CoOOH，得到钴氧氧氢修饰磷掺杂氧化铁光阳极（CoOOH‑P‑Fe₂O₃）。由于磷掺杂提升了氧化铁光阳极的导电性,钴氧氧氢又用作析氧助催化剂，所以与基础氧化铁相比，此法制得的钴氧氧氢修饰磷掺杂氧化铁光阳极光电流密度提升了200%。
氧化铁光阳极磷掺杂氧氢钴氧修饰制备导电性磷酸盐溶液新能源材料热处理表面沉积导电玻璃电沉积法二氧化锡助催化剂光电流光辅助水热法基底析氧浸泡

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201510703668.7有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成第一氮掺杂层；采用含氧等离子体离子注入工艺在第一氮掺杂层表面形成氧掺杂层，所述含氧等离子体至少包括水等离子体；在所述氧掺杂层上形成第二氮掺杂层；对所述半导体衬底进行热处理，使氧掺杂层内的氧原子向第一氮掺杂层和第二氮掺杂层内扩散，形成第一氮氧化硅层和第二氮氧化硅层。
半导体结构形成方法

[发明专利]场效应晶体管及其制备方法-CN202310539611.2在审
发明人：李雄 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请提供一种场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决热载流子效应的技术问题，该场效应晶体管包括衬底，具有源极掺杂区、漏极掺杂区和沟道区，沟道区设置在源极掺杂区和漏极掺杂区之间；栅极覆盖衬底的沟道区，栅氧化层位于栅极和衬底的沟道区之间，在沿源极掺杂区至漏极掺杂区的方向上，栅氧化层具有相邻设置的第一栅氧层和第二栅氧层，第一栅氧层靠近源极掺杂区设置，第二栅氧层靠近漏极掺杂区设置，第二栅氧层的介电常数小于第一栅氧层的介电常数本申请能够降低场效应晶体管中漏极掺杂区周围的电场强度，从而改善热载流子效应，进而提升半导体器件的性能和工作可靠性。
场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种集成电路的片内ESD防护装置及其制备方法-CN202310555690.6在审
发明人：杨帆;姜一波;吴瑕 -专利权人：江苏庆延微电子有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路的片内ESD防护装置及其制备方法，上浮半埋氧层与下沉半埋氧层上下交错，上浮半埋氧层位置上靠近晶圆表面，所述下沉半埋氧层的位置相对上浮半埋氧层更加远离表面，所述上浮半埋氧层和下沉半埋氧层之间存在垂直距离，热沉窗口下半区的掺杂浓度为标准SOI FinFET的半导体衬底掺杂浓度，靠近热沉窗口上半区顶部的掺杂浓度为标准SOI FinFET的沟道掺杂浓度，靠近热沉窗口上半区底部的掺杂浓度为标准SOI FinFET的半导体衬底掺杂浓度。
一种集成电路 esd 防护装置及其制备方法

[发明专利]掺杂钛酸钡巨磁阻器件及制备方法-CN02129246.9无效
发明人：吕惠宾;颜雷;陈正豪;戴永愚;郭海中;刘立峰;相文峰;何萌;周岳亮;杨国桢 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2002-09-27 - 公布日： 2004-03-31 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺杂钛酸钡和掺杂镧锰氧巨磁阻器件。它包括：衬底、电极和引线和至少设置1个p－n结结构，该p－n结结构由一层p型掺杂镧锰氧层与一层n型掺杂钛酸钡层，或一层n型掺杂钛酸钡层与p型掺杂镧锰氧层交替设置在衬底上组成；电极分别设置在最上面的p型掺杂镧锰氧层或n型掺杂钛酸钡层和衬底上/或设置在衬底上的第一层p型掺杂镧锰氧层或n型掺杂钛酸钡层上，电极上连接引线。
掺杂钛酸钡磁阻器件制备方法

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