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[发明专利]一种贵金属-半导体复合材料及其制备方法与应用-CN202110745849.1在审
发明人：林杰;徐燕萍;吴爱国;邵国良;张定虎 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所;中国科学院宁波材料技术与工程研究所慈溪生物医学工程研究所;浙江省肿瘤医院
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本申请公开了一种贵金属‑半导体复合材料及其制备方法与应用。所述贵金属‑半导体复合材料包括贵金属‑半导体复合粒子、高分子、靶分子；所述贵金属‑半导体复合粒子表面连接有拉曼信号分子；所述高分子通过官能团结合于所述贵金属‑半导体复合粒子；所述靶分子偶联于所述高分子；所述贵金属‑半导体复合粒子包括半导体粒子和贵金属粒子，所述贵金属粒子负载在所述半导体粒子上。所述贵金属‑半导体复合材料具有的优异的生物传感器检测优势。
一种贵金属半导体复合材料及其制备方法应用

[发明专利]半导体纳米粒子复合体组合物、稀释组合物、半导体纳米粒子复合体固化膜、半导体纳米粒子复合体图案化膜、显示元件和半导体纳米粒子复合体分散液-CN202080040146.2在审
发明人：城户信人;森山乔史;佐佐木洋和 -专利权人：昭荣化学工业株式会社
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明提供以高浓度分散有半导体纳米粒子复合体，并且具有较高的荧光量子效率的半导体纳米粒子复合体组合物。本发明的实施方式的半导体纳米粒子复合体组合物是将半导体纳米粒子复合体分散在分散介质中而得到的半导体纳米粒子复合体组合物，其中，所述半导体纳米粒子复合体具有半导体纳米粒子和配位至所述半导体纳米粒子的表面的配体，所述配体包含有机基团，所述分散介质为单体或预聚物，所述半导体纳米粒子复合体组合物还包含交联剂，所述半导体纳米粒子复合体组合物中的所述半导体纳米粒子的质量分数为30质量％以上。
半导体纳米粒子复合体组合稀释固化图案显示元件分散

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201811423550.9有效
发明人：周政伟;林信志;周钰杰 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置及其形成方法，其中，半导体装置包括：半导体装置包含第一复合III‑V族半导体层设置于复合基底上，以及第二III‑V族半导体层设置于第一复合III‑V族半导体层上。半导体装置也包含栅极结构设置于第二III‑V族半导体层上，以及源极电极和漏极电极设置于第二III‑V族半导体层上和栅极结构的相对两侧。半导体装置更包含场板设置于栅极结构与漏极电极之间，以及导电结构穿过第二III‑V族半导体层和第一复合III‑V族半导体层，其中场板藉由导电结构与复合基底电连接。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]半导体发光器件及其制作方法-CN98104039.X有效
发明人：佐佐木和明;中村淳一 -专利权人：夏普公司
申请日： 1998-01-24 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种半导体发光器件包括：一具有一级导电性的复合半导体衬底；一发光层；一具有二级导电性且不含Al的复合半导体界面层；以及一具有二级导电性且由不含Al的复合半导体制成的电流扩散层。一种制造该半导体发光器件的方法，包括步骤：在该复合半导体衬底上形成该发光层和该复合半导体界面层；在该复合半导体界面层上形成该电流扩散层，其中一生成过程暂停一预定时间，以使一重新生成界面安排在该复合半导体界面层的表面
半导体发光器件及其制作方法

[发明专利]用于制造半导体衬底的方法和所得结构-CN03806014.0无效
发明人：肖恩·约瑟夫·坎宁安 -专利权人：联邦科学和工业研究组织
申请日： 2003-03-13 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了用作制备半导体芯片、尤其是化合物半导体器件的基础的半导体晶片复合件。有利的是，半导体晶片复合件包括金属衬底(210)和结合到金属衬底(210)表面上的多个半导体块(220)。半导体晶片复合件有效地用作大量制备的单个大的半导体晶片，并且可用来以类似方式制备半导体器件。
用于制造半导体衬底方法所得结构

[发明专利]高击穿电压III族氮化物器件-CN201310350393.4有效
发明人： O.赫贝尔伦;C.奥斯特迈尔;G.普雷希特尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-08-13 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体器件包括在衬底上具有复合半导体材料的半导体本体。复合半导体材料具有沟道区域。源极区域延伸到复合半导体材料。漏极区域也延伸到复合半导体材料并且通过沟道区域与源极区域间隔开。绝缘区域被掩埋在半导体器件的有源区域中的衬底和复合半导体材料之间的半导体本体中。有源区域包括器件的源极，漏极和沟道区域。绝缘区域在源极区域和漏极区域之间的沟道区域的长度上是不连续的。
击穿电压 iii 氮化物器件

[发明专利]半导体器件及制作方法-CN201811653145.6有效
发明人：赵树峰 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2018-12-30 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供的半导体器件及制作方法。所述半导体器件包括：设置在衬底上的第一半导体层；设置在第一半导体层远离衬底一侧的第二半导体层；设置在所述半导体层远离所述衬底一侧的至少两个电极，其中任意相邻的两个电极分别为第一电极和第二电极；设置在所述第一电极一侧的复合结构，且所述复合结构和第一电极连接形成复合电极；所述复合结构包括第三半导体层和位于第三半导体层远离衬底一侧的第四半导体层；所述第四半导体层的电极性与所述的第二半导体层的电极性相反。通过复合结构和第一电极之间电连接形成复合漏电极，可以有效地提高器件的性能。
半导体器件制作方法

[发明专利]发光器件、显示设备及显示设备的修复方法-CN202310647252.2在审
发明人：王光加;叶利丹 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：其中，发光器件包括基底、第一半导体层、第一电极、第二半导体层、第二电极以及复合发光层，第一半导体层和第二半导体层层叠设于基底的一侧，复合发光层设于第一半导体层与第二半导体层之间，第一电极设于第一半导体层上，第二电极设于第二半导体层上，第二半导体层和复合发光层均设有至少两个，且每一复合发光层连接一第二半导体层与第一半导体层，每一第二半导体层上设有一第二电极。本发明通过设置至少两个第二半导体层和复合发光层，每一第二半导体层上设有一第二电极，则第二电极、第二半导体层或复合发光层出现制程不良时，可以将阵列基板与其他的第二电极电连接，以提高显示良率。
发光器件显示设备修复方法

[发明专利]复合半导体衬底、半导体装置及其制造方法-CN202211210458.0在审
发明人：蔡敏瑛;吴政达;郑有宏;杜友伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明实施例揭露复合半导体衬底、半导体装置及其制造方法。一种复合半导体衬底，其包含半导体衬底、氧掺杂结晶半导体层及绝缘层。所述氧掺杂结晶半导体层在所述半导体衬底上方，且所述氧掺杂结晶半导体层包含结晶半导体材料及多种氧掺杂剂。所述绝缘层在所述氧掺杂结晶半导体层上方。
复合半导体衬底装置及其制造方法

[发明专利]一种复合结构半导体纳米粒子、其制备方法及其应用-CN201911014528.3在审
发明人：林杰;吴爱国;任文智;马雪华 -专利权人：中国科学院宁波工业技术研究院慈溪生物医学工程研究所;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： C01G23/047 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合结构半导体纳米粒子、其制备方法及其在表面增强拉曼光谱(SERS)中的应用。具体地，本发明所述复合结构半导体纳米粒子具有核壳结构，其中，所述复合结构半导体纳米粒子的壳包括半导体材料I；所述半导体材料I具有非晶态结构；所述复合结构半导体纳米粒子的核包括半导体材料II；所述半导体材料本发明还公开了所述复合结构半导体纳米粒子的制备方法及其在SERS中应用。将所述复合半导体纳米粒子应用于SERS基底过程中，不但可以获得比纯晶体或者纯非晶结构更高的SERS灵敏度，而且可以实现对分析物的快速、准确检测，也可以对分析物浓度进行实时可视化监测。
一种复合结构半导体纳米粒子制备方法及其应用

[发明专利]复合半导体衬底、半导体装置及其制造方法-CN201811241036.3在审
发明人：蔡敏瑛;吴政达;郑有宏;杜友伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明实施例揭露一种复合半导体衬底、半导体装置及其制造方法，其中所述复合半导体衬底包含半导体衬底、氧掺杂结晶半导体层及绝缘层。所述氧掺杂结晶半导体层在所述半导体衬底上方，且所述氧掺杂结晶半导体层包含结晶半导体材料及多种氧掺杂剂。所述绝缘层在所述氧掺杂结晶半导体层上方。
氧掺杂衬底结晶半导体层复合半导体绝缘层半导体装置半导体结晶半导体材料制造

[实用新型]一种复合衬底及半导体结构-CN202222031569.7有效
发明人：程凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种复合衬底以及由该复合衬底制备而成的半导体结构，复合衬底包括层叠设置的第一半导体层及第二半导体层，第一半导体层靠近第二半导体层的表面设有至少一个散热凹槽，第一半导体层的侧壁或第一半导体层远离第二半导体层的表面设有散热通道，散热通道与散热凹槽连通；本实用新型提供的复合衬底及半导体结构通过内外相通的散热通道和散热凹槽可有效解决大功率氮化镓基器件的散热问题。
一种复合衬底半导体结构

[发明专利]一种基于压电半导体复合薄膜的开关元件设计方法-CN202311127009.4在审
发明人：屈毅林;陈晶博;宫蕾;曹勇;曹永辉;潘光 -专利权人：西北工业大学宁波研究院
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于压电半导体复合薄膜的开关元件设计方法，通过利用外部横向载荷对压电半导体复合薄膜中的电流进行调控的器件原理设计一种机械开关，包括：建立压电半导体复合薄膜弯曲变形和剪切变形的物理模型及控制方程；根据控制方程和边界条件，利用数值分析软件分析所述压电半导体复合薄膜在受到不同大小横向载荷时的电流‑电压关系；利用上述得到的电流‑电压关系，根据压电半导体复合薄膜的压电效应和半导体效应，实现利用不同大小的横向载荷调控压电半导体复合薄膜中电流的导通或截止；本发明能够为压电半导体复合薄膜机械开关的设计提供理论依据。
一种基于压电半导体复合薄膜开关元件设计方法

[发明专利]用于制造光电子的半导体器件的方法和光电子的半导体器件-CN201480062618.9有效
发明人：马库斯·平德尔;托马斯·施瓦茨;弗兰克·辛格;尚德拉·索布奇克 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提出一种用于制造多个光电子的半导体器件(1)的方法，所述方法具有如下步骤：a)提供多个半导体芯片(2)，所述半导体芯片在横向方向上彼此间隔开；b)构成壳体本体复合件(30)，所述壳体本体复合件至少局部地设置在半导体芯片之间；c)构成多个切口(4)，所述切口分别邻接于半导体芯片并且所述切口在横向方向上通过相应的半导体芯片的侧面(20)和壳体本体复合件限界；和d)将壳体本体复合件分割成多个光电子的半导体器件，其中每个半导体器件具有壳体本体复合件的一部分作为壳体本体(3)和至少一个半导体芯片，并且其中半导体芯片分别在半导体器件的与安装面(15)相对置的辐射出射面(10)上没有壳体本体的材料。此外提出一种半导体器件。
用于制造光电子半导体器件方法

[发明专利]一种半导体复合发光材料、制备方法及发光器件-CN202111481852.3有效
发明人：李良;郑为霖;何梦达;孔龙 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体复合发光材料、制备方法及发光器件，其中，一种半导体复合发光材料包括半导体荧光材料和氧化物，氧化物与半导体荧光材料形成异质结结构，且半导体荧光材料和氧化物的摩尔比为1:1～100。氧化物与半导体荧光材料形成异质结结构，所得到的复合物形成type Ⅱ能级结构，且半导体荧光材料和氧化物的摩尔比为1:1～100，通过调控氧化物的种类和含量，获得波长可调，光谱稳定的半导体复合发光材料。
一种半导体复合发光材料制备方法器件

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