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[发明专利]基于PEDOT:PSS/PVK/WO3有机-无机异质结的紫外光电探测器及其制备方法-CN202310895329.8在审
发明人： 唐利斌;贾梦涵;才玉华;田品 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10K30/20 文献下载
摘要：基于PVK/WO3有机‑无机异质结的紫外光电探测器及其制备方法，涉及一种有机‑无机杂化的光电探测器，尤其是一种低温（≤150℃）制备的具有ITO/PEDOT:PSS/PVK/WO3/Al垂直结构的紫外光电探测器。光电探测器从下至上依次为玻璃衬底、ITO电极层、PEDOT:PSS空穴传输层、PVK薄膜层、WO3薄膜层和Al电极层。探测器的制备方法包括前期WO3薄膜的制备、PVK和PEDOT:PSS薄膜的旋涂工艺以及后期器件结构的设计与调控。该探测器对紫外光表现出良好的选择特性，且具有优异的器件性能。
基于 pedot pss pvk wo3 有机无机异质结紫外光电探测器及其制备方法

[发明专利]碲化锡薄膜/锗异质结宽谱光电探测器及其制备方法-CN202210447367.2有效
发明人： 唐利斌;宋立媛;郝群;周艳;王微;杨春丽;冯江敏;袁绶章;邓功荣;王善力 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：基于碲化锡薄膜/锗异质结宽谱光电探测器及其制备方法，涉及可见至近红外波段的宽光谱光电探测领域，尤其涉及一种基于新型二维半导体材料的高探测率、高响应率的光电探测器及其制备方法。本发明方法采用二维半导体材料碲化锡薄膜为构建异质结的p‑型材料，基底采用锗衬底。采用“一步式”直流溅射法在清洗、预掩膜后的锗基底上，直接溅射碲化锡薄膜以制备碲化锡薄膜/锗异质结。去除掩膜后，热蒸镀金属Al电极以制备光伏探测器原型器件。与现有制备技术相比，本发明制备方法简单高效、低成本，低功耗，实现了可见至近红外波段（400‑1050 nm）的室温工作的碲化锡薄膜/锗异质结宽谱光电探测器的制备。制备工艺高效、简单，室温下器件响应率、探测率高。
碲化锡薄膜锗异质结宽谱光电探测器及其制备方法

[发明专利]NiO/Al2-CN202310489400.2在审
发明人： 唐利斌;商国新;才玉华;宋立媛;贾梦涵;马兴招 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L31/0328 文献下载
摘要：NiO/Al2O3/ZnO高性能紫外光伏探测器及其制备方法，属于紫外光电探测技术领域，尤其是一种在NiO和ZnO中间加入纳米介质层Al2O3的紫外光伏探测器。本发明的探测器，从下至上依次是衬底、阳极层、功能层以及阴极层，功能层为NiO/Al2O3/ZnO复合薄膜，NiO和ZnO薄膜中间为纳米介质薄膜Al2O3；所述的NiO/Al2O3/ZnO复合薄膜，NiO厚度为200‑300纳米，Al2O3厚度为4.8纳米，ZnO厚度为500‑700纳米。本发明中，在NiO和ZnO中间加入Al2O3纳米介质层后退火，解决了NiO和ZnO两种氧化物间不易通过磁控溅射直接形成p‑n结的难题。此外，中间Al2O3纳米介质层厚度对探测器性能有着较大的影响，在合适的厚度下，这种器件具有明显的结特性，整流比高，光响应率大。
nio al base sub

[发明专利]基于荧光下转换材料Alq3的紫外增强CMOS图像传感器及其制备方法-CN202310492183.2在审
发明人： 唐利斌;罗磊;才玉华;左文彬 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：基于荧光下转换材料Alq3的紫外增强CMOS图像传感器及其制备方法，属于紫外光电探测技术领域，尤其涉及一种基于下转换纳米材料的紫外增强硅基CMOS图像传感器及其制备方法。所述紫外增强硅基CMOS图像传感器通过采用真空热蒸发法，将粉末状的下转换纳米材料Alq3镀制在CMOS的光敏面形成一层均匀的薄膜，实现材料与器件的直接耦合，通过下转换纳米材料吸收紫外光，并发射与CMOS光谱响应峰值相匹配的可见光的特性，可以提高光电探测器的紫外响应能力。
基于荧光转换材料 alq3 紫外增强 cmos 图像传感器及其制备方法

[发明专利]基于荧光下转换的紫外增强CMOS图像传感器及其制备方法-CN202310308028.0在审
发明人： 唐利斌;罗磊;才玉华;宋立媛;王善力 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：基于荧光下转换的紫外增强CMOS图像传感器及其制备方法，属于紫外光电探测技术领域。本发明图像传感器由CMOS图像传感器和下转换纳米材料层构成，下转换纳米材料层为晕苯薄膜，沉积在CMOS图像传感器的像敏面上；所述荧光下转换材料层晕苯薄膜厚度为290 nm。本发明采用一种低成本的荧光下转换材料实现紫外到可见光的转换，发射出的可见光可以与CMOS图像传感器的光谱响应峰值很好的匹配，提升CMOS图像传感器在紫外波段的响应能力。本发明中的下转换材料具有高的光转换效率、优异的热稳定性和光稳定性，在可见光区域及红外区域有极好透过率，通过热蒸发制备的薄膜有更好的均匀性。
基于荧光转换紫外增强 cmos 图像传感器及其制备方法

[发明专利]垂直型ITO/黑硅光电探测器及其制备方法-CN202310499466.X在审
发明人：张玉平;唐利斌;邓功荣;吴刚;袁绶章;王博;宋立媛;赵鹏;王静宇;岳彪;王海澎;刘燕;辛永刚;王琼芳;苏润洪;魏虹;姬玉龙;黄俊博;李红福;李轶民;敖雨;彭秋思;吴强 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：垂直型ITO/黑硅光电探测器及其制备方法，涉及光电器件成像技术领域，尤其是一种高性能垂直型ITO/黑硅可见‑近红外光电探测器的制备技术。该光电探测器基于n型硅衬底，正面为高掺杂浓度的p型层。器件背面的n型层为过饱和掺杂的黑硅层，并在黑硅表面覆盖透明电极ITO，来改善黑硅微结构的表面特性，抑制表面复合，增强载流子的分离，以提升光电探测器的光电响应性能。本发明的器件结构为垂直型，具有高的集成度。通过利用ITO作为黑硅微结构表面的电极，可以很好的抑制表面复合，增强光生载流子的分离，使器件具有高的光电响应性能，在发展低成本的硅基红外探测器方面，具有重要的应用前景。
垂直 ito 光电探测器及其制备方法

[发明专利]SnTe/n-Si紫外至短波红外光伏探测器及其制备方法-CN202310159115.4在审
发明人：宋立媛;唐利斌;郝群;王善力;孔令德;李俊斌;庄继胜 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：SnTe/n‑Si紫外至短波红外光伏探测器及其制备方法，涉及光伏探测领域。本发明方法采用n型Si作为异质衬底材料，采用SnTe纳米薄膜作为p型半导体材料，以制备SnTe/n‑Si红外光伏探测器。采用射频磁控溅射法，在预先掩模过的n‑Si衬底上溅射一定厚度的SnTe纳米薄膜，以制备SnTe/n‑Si异质结构。采用热蒸发法蒸镀具有一定图形的金属电极，以制备SnTe/n‑Si红外光伏探测器。与现有的化学气相沉积法相比，本发明制备方法简洁、低成本；实现了室温下、在紫外至短波红外波段（365‑2050 nm）具有光电响应特性的SnTe/n‑Si光伏探测器的制备；该器件在近红外波段具有高的响应率和探测率；并且该器件探测波长超过了Si的截止波长，由于与SnTe纳米薄膜相结合，使异质结光伏器件的探测波长范围得到了拓展。
snte si 紫外短波红外光探测器及其制备方法

[发明专利]基于PbS胶体量子点的高性能红外光伏探测器及其制备方法-CN202310489321.1在审
发明人： 唐利斌;钟和甫;田品;余黎静;姬荣斌 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：基于PbS胶体量子点的高性能红外光伏探测器及其制备方法，属于红外探测器制备领域。本发明高性能红外光伏探测器，从下至上依次是石英衬底、ITO阳极层、SnO层、[6,6]‑Phenyl C61 butyric acid methyl ester（PCBM）层、PbS CQDs层和Al阴极层。制备方法包括清洁衬底、直频磁控溅射法生长SnO层、旋涂法制备PCBM 和PbS CQDs层，以及热蒸镀Al阴极层。本发明的器件对在近红外光区域具有良好的光响应，器件性能优异。
基于 pbs 胶体量子性能红外光探测器及其制备方法

[发明专利]能级调控PbS量子点光电探测器及其制备方法-CN202211705410.7在审
发明人：余黎静;唐利斌;田品;郝群;钟和甫;左文彬;雷晓虹;邓功荣;王静宇;黄俊博;冯江敏;袁俊;龚晓霞;施静梅 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：能级调控PbS量子点光电探测器及其制备方法，属于光电技术领域。该探测器包括衬底；ITO透明电极层，形成于所述衬底上；AZO功能层，形成于ITO透明电极层上；PbS胶体量子点，形成于AZO功能层上；碲化铋（Bi2Te3）电荷传输层，形成于PbS胶体量子点上；Al电极，形成于Bi2Te3电荷传输层上。该探测器的制备方法中，AZO功能层通过磁控的方法实现，PbS量子点薄膜通过多次旋涂和配体交换的方式实现，碲化铋（Bi2Te3）通过磁控溅射的方法生长，Al电极层通过真空蒸镀的方法实现。本发明探测器，通过小尺寸的PbS量子点与宽响应波段和高吸收率的Bi2Te3材料结合，所设计的ITO/AZO/PbS CQDs/Bi2Te3/Al的能带排列结构不仅为电荷分离/传输提供了便利，从而提高器件性能。
能级调控 pbs 量子光电探测器及其制备方法

[发明专利]宽波段PbS量子点基光电探测器及其制备方法-CN202211705421.5在审
发明人： 唐利斌;余黎静;田品;郝群;钟和甫;左文彬;苏润红;李志华;杨敏;马启;余连杰 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：宽波段PbS量子点基光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。该探测器包括：衬底；碲化铋（Bi2Te3），形成于衬底上，并进行快速退火处理；PbS胶体量子点，形成于碲化铋（Bi2Te3）上；Al电极，形成于PbS胶体量子点上。该光电探测器的制备方法中，碲化铋（Bi2Te3）通过磁控溅射的方法生长，并在快速退火炉中退火；PbS胶体量子点薄膜通过旋涂的方式成膜，并在旋涂过程中进行配体交换；Al电极用进行掩膜后，使用物理气相沉积(PVD)技术蒸镀。本发明中，PbS CQDs有强吸收的特点，Bi2Te3材料具有高迁移率、强吸收和宽波段响应的特点，利用两种材料的协同效应，在室温下就实现了可见‑中波的宽波段探测。
波段 pbs 量子光电探测器及其制备方法

[发明专利]基于PbS CQDs/ZnO-NWs复合结构红外探测器及其制备方法-CN202211474428.0在审
发明人： 唐利斌;钟和甫;田品;余黎静;左文彬;姬荣斌 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：基于PbS CQDs/ZnO‑NWs复合结构红外探测器及其制备方法，属于红外探测器制备领域。本发明复合结构红外探测器，从下至上依次是衬底、阳极层、PbS CQDs/ZnO‑NWs复合层，以及阴极层。制备方法包括清洁衬底、水热法生长ZnO‑NWs阵列、旋涂法制备PbS CQDs层，以及热蒸镀Al阴极层。本发明的器件对红外光显示出良好的敏感性，器件性能优异。
基于 pbs cqds zno nws 复合结构红外探测器及其制备方法

[发明专利]柔性垂直结构NPB/氮掺杂石墨烯纳米异质结紫外探测器及其制备方法-CN201911016448.1有效
发明人： 唐利斌;才玉华;胡松文;郭骞 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：柔性垂直结构NPB/氮掺杂石墨烯纳米异质结紫外探测器及其制备方法，属于光电子技术领域，尤其是一种柔性垂直结构NPB/氮掺杂石墨烯纳米异质结紫外探测器及其制备方法。该探测器自下而上依次是：聚酯薄膜层、ITO薄膜阳极电极层、氮掺杂石墨烯薄膜层、NPB薄膜层及、Al阴极电极层。探测器是在ITO薄膜阳极电极层上依次转移已制备好的氮掺杂石墨烯薄膜层，高真空蒸镀NPB薄膜层和Al阴极电极层获得。本发明的探测器为光伏型柔性紫外探测器，可以在零偏置或低电压偏置条件下工作，因此器件功耗低，高探测率。
柔性垂直结构 npb 掺杂石墨纳米异质结紫外探测器及其制备方法

[发明专利]带有纳米介质层的NiO/TiO2-CN202211472142.9在审
发明人： 唐利斌;商国新;吴刚;袁绶章;贾梦涵;姬玉龙;王静宇 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：带有纳米介质层的NiO/TiO2/ZnO紫外光电探测器及其制备方法，属于光电探测领域，尤其是通过磁控溅射法生长NiO/TiO2/ZnO薄膜并退火，本发明的探测器从下至上依次是衬底、阳极层、功能层以及阴极层，功能层为NiO/TiO2/ZnO复合薄膜，在NiO和ZnO薄膜中间加入了纳米介质薄膜TiO2。本发明制备的紫外光电探测器结特性好，响应率及探测率高，性能稳定。
带有纳米介质 nio tio base sub

[发明专利]一种Bi2-CN202210942569.4在审
发明人：余黎静;唐利斌;田品;郝群;钟和甫;左文彬;岳彪;王海澎;姬玉龙;李红福;魏虹;普跃升;钟昇佑;毛文彪 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：一种Bi2Te3/PbS量子点杂化光电探测器及其制备方法，探测器包括衬底、ITO透明电极层形成于所述衬底上；PCBM功能层，形成于ITO透明电极层上；PbS胶体量子点，形成于PCBM功能层上；碲化铋（Bi2Te3）电荷传输层，形成于PbS胶体量子点上；Al电极，形成于Bi2Te3电荷传输层上。该探测器的制备方法中，PCBM功能层通过旋涂的方法实现，PbS胶体量子点薄膜通过多次旋涂和配体交换的方式实现，碲化铋（Bi2Te3）通过磁控溅射的方法生长，Al电极层通过真空蒸镀的方法实现。本发明公布的器件结构为垂直型，本发明利用PbS胶体量子点薄膜层的高吸收和Bi2Te3薄膜的高载流子迁移率，二者的结合有利于光生载流子的收集和载流子的快速传输，从而有效的提升器件的响应时间和性能。
一种 bi base sub

[发明专利]基于金属Al/p-GaN/AlGaN异质结的紫外双波段探测器及其制备方法-CN202210979698.0在审
发明人：吴刚;唐利斌;邓功荣;袁绶章;郝群;王博;王静宇;魏红;严顺英;谭英;孔金丞 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：基于金属Al/p‑GaN/AlGaN异质结的紫外双波段探测器，涉及光电技术领域。探测器是基于p‑GaN/AlGaN晶体的台面结构，台面下部,在n+‑AlGaN材料表面沉积多层金属Ti/Al/Ni/Au经550℃、氮气氛下退火形成欧姆接触的下电极（n电极），台面上部，在p‑GaN材料上表面沉积金属Al形成肖特基接触的上电极（P电极），器件形成了肖特基（SB）‑PIN复合异质结结构，具有不同于肖特基结构和PIN结构器件的能带结构和光电特性。探测器制备方法包括p‑GaN/AlGaN台面结构的形成、Ti/Al/Ni/Au多层金属电极的沉积和退火、钝化层的沉积和Al/P‑GaN肖特基上电极沉积步骤。本发明探测器可随施加在探测器上偏置电压改变从高速的日盲紫外光伏探测器切换成高量子效率的日盲和可见盲光导模式的新型紫外波段的光电探测器。
基于金属 al gan algan 异质结紫外波段探测器及其制备方法

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