“C01G39/06”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果524个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]生长在碳基材料上的氮掺杂单层无定型碳插层的MoX2-CN202310599803.2在审
发明人：许俊;汤衡;蒋俊保;李苏皖;张彦;陈俊伟 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明提供了生长在碳基材料上的氮掺杂单层无定型碳插层的MoX2纳米片及其应用，是以碳基材料为载体，在相邻的两个MoX2单分子层之间插入单层NAC，其具有双重效应：它不仅可以增宽MoX2的层间距，便于快速的钠离子插入/脱出；而且还可以改善MoX2的表面和内部的电子传导性，以充分加速电子的传输；另外，独特的纳米结构和碳基材料导电网络组成的分层结构是一个坚固的框架，具有出色的纳米结构稳定性。本发明所得产物结构独特、形貌规则、成分均一、无杂质相，且电化学特性优异。
生长基材掺杂单层定型碳插层 mox base sub

[发明专利]一种利用超临界二氧化碳制备室温铁磁性氧化钼纳米片的方法-CN202210909606.1有效
发明人：许群;刘威 -专利权人：郑州大学
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明属于铁磁性氧化钼纳米材料制备技术领域，公开一种利用超临界二氧化碳制备室温铁磁性氧化钼纳米片的方法。（1）、将二硫化钼在空气氛围下200~500℃煅烧60~120min；（2）、将煅烧后得到的粉末分散到10~80v%乙醇中，获得分散液；然后将分散液转移至超临界装置中，向超临界装置中注入二氧化碳，在超临界条件下搅拌反应3‑6h，自然冷却至室温后卸压；将超临界处理后的体系分离，收集分离液并干燥，得到室温铁磁性氧化钼纳米片。本发明首先将二硫化钼在空气环境下高温煅烧氧化，然后通过超临界二氧化碳手段在氧化钼结构中引入局域磁矩，制得室温铁磁氧化钼纳米片，比利用化学气相沉积法得到的原子掺杂磁性氧化钼的成本更为低廉，原料更为易得。
一种利用临界二氧化碳制备室温铁磁性氧化钼纳米方法

[发明专利]掺杂金属的硫化钼粉体及其制造方法-CN202280014102.1在审
发明人：高榕辉;狩野佑介;袁建军 -专利权人： DIC株式会社
申请日： 2022-02-02 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明的掺杂金属的硫化钼粉体中掺杂第3族～第13族金属，并且包含二硫化钼的3R晶体结构。本发明的掺杂金属的硫化钼粉体的制造方法的第1方式包括：将含有三氧化钼粉体、硫源和第3族～第13族金属盐的粉体干式混合后，在温度200～1000℃下进行加热，所述三氧化钼粉体由包含三氧化钼的α晶体结构或β晶体结构的一次颗粒的集合体形成。前述制造方法的第2方式包括：从配混有三氧化钼粉体、第3族～第13族金属盐和分散介质的混合物中，将前述分散介质去除，由此得到固体物质后，将前述固体物质在硫源的存在下、在温度200～1000℃下进行加热，所述三氧化钼粉体由包含三氧化钼的α晶体结构或β晶体结构的一次颗粒的集合体形成。
掺杂金属硫化钼粉体及其制造方法

[发明专利]一种水热法制备纯相1T-MoS2-CN202211157292.0有效
发明人：王志伟 -专利权人：内蒙古财经大学
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种水热法制备纯相1T‑MoS2的方法，包括如下步骤：S1：取0.235g的Na2MoO4·2H2O、3.12g的CH4N2S和0.1g的PEG600‑PEG10000，用60mL去离子水溶解；S2：静置100分钟后，磁搅拌30分钟，得到混合溶液；S3：混合溶液放入反应釜中加热至160‑200℃，维持24h之内，加热完成后得到黑色粉末样品；S4：用乙醇和去离子水将黑色粉末样品洗涤若干次，然后在60℃鼓风干燥箱中干燥12h。本发明反应条件温和：反应稳定为160‑200℃，反应时间为24h之内，条件温和；对设备要求低：普通鼓风干燥箱即为本试验的制备设备。简单低成本：本试验采用水热法制备稳定1T‑MoS2，无需采取更多的试验限制条件，所以简单，低成本。
一种法制备纯相 mos base sub

[发明专利]一种二硫化钼纳米球的制备方法及其产品和应用-CN202310832335.9在审
发明人：崔大祥;张灵乐;葛美英;彭家伟;周园园;崔明青 -专利权人：国纳之星（上海）纳米科技发展有限公司;上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明提供一种二硫化钼纳米球的制备方法及其产品和应用，得到的二硫化钼具有优异的生物相容性。在冰水浴的条件下，在烧杯中加入钼酸铵和N‑乙酰半胱氨酸NAC溶于超纯水，在冰水浴中剧烈搅拌，然后将的硫脲倒入前驱体溶液中，剧烈搅拌后加入PVP，剧烈搅拌，搅拌结束后，在180‑200℃下水热反应4h。产物经过离心，无水乙醇和去离子水交替洗涤三次后，重新分散在去离子水中，即可得到分散性良好的MoS2溶液。本发明方法具有简单、廉价、尺寸可控、可大规模制备MoS2等优点，且制备的MoS2显示较好的生物相容性，为其在作为纳米药物载体方面等领域提供了广泛的应用前景。
一种二硫化钼纳米制备方法及其产品应用

[发明专利]一种界面工程调控ZnS@MoS2-CN202310398220.3在审
发明人：王家海;陈辅周 -专利权人：广州大学
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明涉及高性能锂离子存储技术领域，且公开了一种界面工程调控ZnS@MoS2复合材料的制备方法，界面调节ZnS@MoS2通过一步简便的溶剂热法设计和合成了异质结构。界面调节增加了比表面积并在异质结构中增加了更多的活性位点，异质结构结构在界面处引入了内置电场，增强了电荷转移和锂离子迁移率，从而提高了锂储存动力学。因此，界面调节ZnS@MoS2在1000次循环后，异质结构在5a g–1的电流密度下表现出996.0mAh g–1循环比容量，显示出锂离子存储中优异的循环和速率性能。这项工作提出了一种新的界面调节策略，实现了异质结构结构中增强的锂离子存储，并揭示了锂存储动力学升高的原因。
一种界面工程调控 zns mos base sub

[发明专利]一种高长宽比二硫化钼纳米带或微米带的可控制备方法-CN202310683362.4在审
发明人：蹇鹏承;吴峰;陈长清;戴江南 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种高长宽比二硫化钼纳米带或微米带的可控制备方法，属于低维材料制备领域。采用钼酸盐溶液作为钼源，氢氧化钠溶液作为催化剂，硫粉作为硫源，通过化学气相沉积方法得到；通过调节钼酸钠和氢氧化钠混合溶液的不同比例，可实现对纳米/微米带尺寸、取向的可控调节；通过调节生长时间，可实现纳米/微米带层数的调节；最终在衬底上可控获得不同尺寸、取向和层数的长宽比大于100的二硫化钼纳米/微米带。制备工艺简单、生产成本低，且尺寸、取向和层数可控，适合批量生产。
一种高长宽二硫化钼纳米微米可控制备方法

[发明专利]一种过渡金属元素修饰的二硫化钼、其催化氮气还原制氨的方法和装置-CN202310259692.0在审
发明人：肖蓓蓓;刘昕;杨磊;姜小宝 -专利权人：江苏科技大学
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种过渡金属元素修饰的二硫化钼、其催化氮气还原制氨的方法和装置，所述的改性二硫化钼为六方晶系结构；其表面包括至少一个具有(001)晶面或钼截断的边界，是采用过渡金属元素掺杂的二硫化钼钼边界所得；过渡金属元素包括：锆，铌，锰，铁，钨，钌，铼之任一种。在常温常压下，将N2供给至电解池，通电使N2与电解池中的阴极的电极表面充分接触，在远小于‑1.08V电极电势下，使得氮与质子反应形成氨，其中，该阴极电极通过包括含有至少一种过渡金属元素修饰的二硫化钼而获得催化表面，形成氨时的质子来源是来自阳极处的水分解或酸性的电解质。该改性二硫化钼能够在低电极电势下将氮气还原成氨气，且NH3形成的效率高于H2形成的效率。
一种过渡金属元素修饰二硫化钼催化氮气还原方法装置

[发明专利]一种超滑范德华异质结的制备方法-CN202310811579.9在审
发明人：王永富;杨兴;张俊彦 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种超滑范德华异质结的制备方法，该方法包括以下步骤：⑴采用机械剥离法制备二维硫族化合物纳米粉体；⑵通过湿度化学法制备边缘氧钝化石墨烯；⑶在行星式球磨机中，将所述边缘氧钝化石墨烯与所述二维硫族化合物的混合物与滚动体混合，并保持混合物与滚动体的总体积小于球磨罐容积10%；⑷在行星式球磨机中，预充入惰性气体，控制球磨罐气压在1~2个大气压，转速控制150rpm以下，球磨时间为1~5h，即得超滑范德华异质结。本发明方法简单、高效，通过掺入边缘氧钝化石墨烯削弱纳米粉体边缘钉扎效应，以实现二维纳米粉体到异质结的转化，所制备的超滑范德华异质结可实现宽温域和宏观尺度结构超滑。
一种超滑范德华异质结制备方法

[发明专利]一种二硫化钼纳米片及其大规模制备方法-CN202310880792.5在审
发明人：王亮;胡冰洁;郭华章 -专利权人：上海大学
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种二硫化钼纳米片及其大规模制备方法，制备方法包括如下步骤：将磺酸基前驱物与三硝基芘超声溶解于水中，进行水热反应，将初产物进行过滤、透析和干燥，获得石墨烯量子点粉末；石墨烯量子点粉末与二硫化钼粉末进行混合球磨反应，离心分离及洗涤，得到二硫化钼纳米片复合片。在球磨过程中，石墨烯量子点由于具有丰富的表面官能团，增加硫原子和钼原子的电子密度进而调控二硫化钼结构形成纳米片。与现有技术相比，本发明的制备方法简单易行、成本低、反应温和、毒性小且后处理简单，可制备宏量(克量级)、质量好、胶体态稳定的二硫化钼纳米片，制备纳米尺寸的二硫化钼纳米片的方法既适用于实验室研究也适用于工业化大批量生产。
一种二硫化钼纳米及其大规模制备方法

[发明专利]螺旋金字塔结构的二硫化钼的制备方法和应用-CN202210096298.5有效
发明人：胡策;骆兴芳;袁彩雷;周行;俞挺;杨勇;徐铿 -专利权人：江西师范大学
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明公开了螺旋金字塔结构的二硫化钼的制备方法和应用。所述螺旋金字塔结构二硫化钼是采用改进了的化学气相沉积法制备获得的，制备方法具体为：将装有硫粉末的石英舟放置在双温区管式炉的低温区，并将装有MoO3粉末的石英舟放置在所述双温区管式炉的高温区；将具有SiO2层的硅衬底面朝下倾斜插入所述装有MoO3粉末的石英舟中；设置所述双温区管式炉的低温区温度为290~310℃，高温区温度为690~710℃，使惰性气体从所述双温区管式炉的低温区流向高温区，一段时间后冷却至室温，即得到螺旋金字塔结构的二硫化钼。所述螺旋金字塔结构二硫化钼在电解水析氢反应中表现出优异的催化活性、良好的稳定性以及高效的磁热促进析氢反应性能。
螺旋金字塔结构二硫化钼制备方法应用

[发明专利]一种降低空心球形纳米二硫化钼的微粒尺度与改善形态规整度的方法-CN202210250605.0有效
发明人：胡坤宏;仲崇龙;秦广超;李志祥 -专利权人：合肥学院
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：一种降低空心球形纳米二硫化钼的微粒尺度与改善形态规整度的方法，涉及空心球状纳米二硫化钼微粒制备技术领域。在利用钼酸钠与硫代乙酰胺反应制备二硫化钼的过程中添加形态调节剂，以调控制备空心球状二硫化钼的微粒尺度与形态规整度，其中形态调节剂为N‑甲基乙酰胺、N,N‑二甲基乙酰胺或两者的混合物。本发明制备出的空心球形MoS2纳米微粒直径在50nm左右，球形规整，球壳相对较厚，约占球的直径的2/3，具有更好的弹性和强度，能很好地抵抗摩擦剪切；较小的直径也增加了MoS2层状结构的曲率，使包夹在硫原子中的钼原子暴露，具有较好的催化性能。
一种降低空心球形纳米二硫化钼微粒尺度改善形态规整方法

[发明专利]一种低频微波热法制大片高质量二维纳米片的方法-CN202310785237.4在审
发明人：李佳慧;马荣谦;谢燕楠 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明属于二维材料制备领域，公开了一种低频微波热法制大片高质量二维纳米片的方法，该方法通过采用低频微波辅助法对无机层状材料进行插层剥离，具体为：无机层状材料与插层剂混合，加热搅拌，在加热搅拌插层剂过程中加入低频微波处理，使插层剂迅速均匀分散在无机层状材料内，所述插层剂含阳离子，冷却至室温后用稀释剂稀释，采用超声震荡对插层对步骤3的得到的材料进行剥离，用去离子水洗涤3‑6次,离心提纯，用分子膜过滤获得大片高质量二维纳米片材料。本发明通过对二维材料处理采用低频微波法，在不破坏主体的二维层状结构下实现了高度的插层，使得最终形成的二维纳米片，薄且厚度均匀，尺寸大，形貌良好。
一种低频微波法制大片质量二维纳米方法

[发明专利]一种不同形貌纳米二硫化钼的制备方法及应用-CN202110412542.X有效
发明人：王洁欣;孟繁祎;曾晓飞 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种不同形貌纳米二硫化钼的制备方法，包括如下步骤：将钼盐前驱体溶于去离子水中，得到料液A；将硫盐前驱体溶于去离子水中，得到料液B；将料液B滴加至料液A中，混合均匀后滴加酸溶液进行反应得三硫化钼悬浮液；将悬浮液用去离子水离心洗涤得到红棕色沉淀；将上述沉淀转移至反应釜中进行溶剂热反应，得到料液进行离心洗涤得纳米二硫化钼。该方法制得的纳米二硫化钼可呈超薄层状、片状和花状，其粒径调控在4‑200nm；该方法制得的纳米二硫化钼产率高，产品形貌可控，稳定性较高。
一种不同形貌纳米二硫化钼制备方法应用

[发明专利]铁（II）掺杂硫化钼材料于自供能压电增强制氢中的应用-CN202010200295.2有效
发明人：刘守清;黄匡正;刘文晓 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种铁掺杂硫化钼材料于自供能压电增强制氢中的应用。该铁掺杂硫化钼材料(Fe‑MoS2)包括对近红外光具有响应的硫化钼MoS2材料以及掺杂在硫化钼内部及表面的二价铁离子。本发明提供的铁掺杂硫化钼材料可有效利用自然界的机械能(如振动、噪声、超声波和搅拌等能量)，以氢含量高达19.6wt％的氨硼烷作为储氢材料，在常温常压下制取氢能源，实现了自供能压电增强制氢。而且氢燃料可以随制随用，解决了氢气不易储存的难题。本发明提供的铁掺杂硫化钼材料的制备方法简单易行，绿色环保。
ii 掺杂硫化材料自供压电增强中的应用

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 524 条