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[发明专利]固体氧化物燃料电池电解质及方法-CN200680010356.7无效
发明人：肯尼斯·S·墨菲 -专利权人：豪梅公司
申请日： 2006-04-03 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01M8/12 文献下载
摘要：一种制造固体氧化物燃料电池电解质的方法，包括将基底预加热到大约1100℃及更高的基底温度，氧化物电解质层会沉积到该衬垫上，在压力为10^－3或更低毫米汞柱、没有例如氧气等生产气体的抽空腔室内用电子束撞击包括氧化物的源极的表面，以在腔室内蒸发氧化物，以及将预加热基底放置在腔室中，在该腔室中氧化物沉积到加热基底上。氧化物燃料电池电解质被沉积成具有柱状氧化物微观结构。
固体氧化物燃料电池电解质方法

[发明专利]其中形成有基于氧化物的电解质传输阻挡层的用于熔融碳酸盐燃料电池的衬垫-CN201680079889.4在审
发明人：文志雄;李星渊;尹锺勋 -专利权人：株式会社POSCO;浦项产业科学研究院
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01M8/242 文献下载
摘要：本发明涉及用于MCFC的衬垫，所述衬垫与熔融碳酸盐电解质直接接触并配置外部歧管型MCFC堆叠体的歧管密封部中堆叠体的湿密封部，其中所述衬垫具有这样的结构：其中在堆叠方向上分开的至少两个部分衬垫相连接，并且其间插入有阻挡层以用于物理地阻挡熔融碳酸盐电解质的移动，以及所述阻挡层是由与所述部分衬垫相同的氧化物粉末构成的厚膜层或生片层并且通过在衬垫烧结过程中同时烧结部分氧化物毡组合件和所述阻挡层来制造。
阻挡层熔融碳酸盐电解质堆叠体氧化物歧管熔融碳酸盐燃料电池电解质传输阻挡层氧化物粉末堆叠方向烧结过程烧结厚膜层密封部湿密封组合件生片阻挡外部移动配置制造

[发明专利]电子装置-CN202310751266.9在审
发明人：郑百乔 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了一电子装置，其包括基板、第一衬垫、绝缘层、另一绝缘层以及与第一衬垫相对设置的第二衬垫。第一衬垫设置在基板上并包括第一导电组、第二导电组以及设置在第一导电组与第二导电组上的氧化物层。绝缘层设置在第二导电组及氧化物层之间，其中绝缘层具有一开口，氧化物层覆盖位于该开口中的第二导电组且延伸覆盖一部分的绝缘层。
电子装置

[发明专利]一种自润滑纤维织物和自润滑衬垫织物复合材料及其制备方法-CN202210018996.3在审
发明人：杨明明;张招柱;王文静;袁军亚;姜葳;李佩隆;储凡杰 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： D06M10/02 文献下载
摘要：本发明属于复合材料领域和润滑材料技术领域，提供了一种自润滑纤维织物及其制备方法、自润滑衬垫织物复合材料及其制备方法。本发明提供的制备方法通过界面生长反应和刻蚀处理工艺在纤维表面构筑垂直于纤维轴向分布的片层状金属氢氧化物，作为界面相中的增强组分；随后通过复合溶液中多巴胺、聚乙烯亚胺及硅烷偶联剂的聚合反应，将共聚物修饰到金属氢氧化物片层之间，通过氢键及范德华作用力与金属氢氧化物相互作用，该聚合物作为界面相中的增韧组分。本发明制备方法得到的自润滑纤维织物和树脂复合制备自润滑衬垫织物复合材料时，能够在自润滑衬垫织物复合材料中构筑强‑韧一体化的界面相，提高自润滑衬垫织物复合材料的使用寿命。
一种润滑纤维织物衬垫复合材料及其制备方法

[发明专利]浅槽隔离结构的制作方法-CN200910196128.9无效
发明人：易亮 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-09-22 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明的浅槽隔离结构的制作方法包括以下步骤：在衬底的表面上依次形成衬垫氧化层、多晶硅缓冲掩膜层和硬掩膜层；依次刻蚀衬垫氧化层、多晶硅缓冲掩膜层和硬掩膜层以形成一开口；淀积氧化层，并通过刻蚀去除部分氧化层，在所述开口的两侧形成自对准侧墙；以所述自对准侧墙为掩蔽，在衬底中刻蚀出浅沟槽；去除所述自对准侧墙，此时浅沟槽的顶部尖角得以充分暴露；在所述浅沟槽内生成线性氧化物，所述浅沟槽的顶部尖角在这个过程中得以被充分圆化，同时部分多晶硅缓冲掩膜层被线形氧化物氧化，并形成自对准牺牲氧化物；在所述浅沟槽内填充绝缘介质；去除硬掩膜层、多晶硅缓冲掩膜层和衬垫氧化层，形成浅槽隔离结构。
隔离结构制作方法

[发明专利]浅沟槽隔离区的制作方法-CN200910055434.0无效
发明人：唐兆云 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-07-27 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅沟槽隔离区的制作方法，该方法包括：在半导体衬底上依次沉积隔离氧化层和氮化硅层；浅沟槽的刻蚀；在同一反应腔内进行衬垫氧化硅的生长和浅沟槽隔离区的高温热退火；在浅沟槽内填充沟槽氧化物及对该沟槽氧化物抛光该方法在同一反应腔内进行衬垫氧化硅的生长和浅沟槽隔离区的高温热退火操作，大大节省了生产时间，有效提高了生产效率。
沟槽隔离制作方法

[发明专利]PMOS设备的晚原位掺杂硅锗接合-CN201310202981.3有效
发明人： J·亨治尔;S·Y·翁;S·弗莱克豪斯基;T·沙伊普 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：实施例包含形成第一及第二高介电常数金属栅极栅极堆栈于基板上、形成氮化物衬垫及氧化物间隙壁于各该第一及第二高介电常数金属栅极栅极堆栈的各侧、于各该第一及第二高介电常数金属栅极栅极堆栈的各侧执行晕/延伸植入、形成氧化物衬垫及氮化物间隙壁于各该第一及第二高介电常数金属栅极栅极堆栈的该氧化物间隙壁上；形成深源极/漏极区域在该第二高介电常数金属栅极栅极堆栈的相反侧上；形成氧化物硬掩模于该第二高介电常数金属栅极栅极堆栈之上；形成嵌入式硅锗于该第一高介电常数金属栅极栅极堆栈的相反侧上；以及移除该氧化物硬掩模。
pmos 设备原位掺杂接合

[发明专利]硅晶圆上的直通硅穿孔的制造-CN201180066914.2无效
发明人： N·拉贾戈帕兰;朴智爱;R·雅玛西;S·帕特尔;T·诺瓦克;L-Q·夏;金秉宪;R·丁;J·巴尔迪诺;M·奈克;S·拉马斯瓦米 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：将氧化物衬垫沉积在硅板的表面上并且沉积在直通孔的侧壁及底壁上。然后，在直通孔中沉积金属导体。在可与氧化物衬垫同时使用的另一方案中，将氮化硅钝化层沉积在基板的硅板的暴露后表面上。
硅晶圆上直通穿孔制造

[发明专利]一种快闪存储器的制造方法-CN201410466643.5有效
发明人：于法波;舒清明 -专利权人：上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明公开了一种快闪存储器的制造方法，包括在半导体衬底上刻蚀有源区和隔离区，半导体衬底由基底、牺牲层和掩模层依次层叠而成，在回刻掩模层和刻蚀牺牲层后的基底上形成衬垫层得到圆滑转角的半导体结构，在圆滑转角的半导体结构上形成绝缘层，在绝缘层上形成隔离氧化物层以填满所述隔离区，部分移除隔离氧化物层和绝缘层直到隔离氧化物层和绝缘层与掩模层平齐为止，去除位于有源区的掩模层，露出与掩模层接触的牺牲层和部分绝缘层，去除露出的牺牲层和部分绝缘层露出有源区的基底，在露出的有源区的基底上依次形成隧道氧化物层和浮栅层。本发明能够防止隔离区的隔离氧化物对隧道氧化物和衬垫层的影响，从而提高快闪存储器的数据保持特性。 1
绝缘层掩模层隔离氧化物基底源区快闪存储器隔离区牺牲层半导体结构圆滑转角衬垫层衬底去除半导体数据保持特性隧道氧化物层刻蚀牺牲层隧道氧化物依次层叠浮栅层回刻刻蚀平齐填满移除制造

[发明专利]避免碟形凹陷的浅沟槽隔离方法-CN98115052.7有效
发明人：罗吉进;杜友伦;张格荥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 1998-06-23 - 公布日： 2003-03-12 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：一种形成浅沟槽隔离的方法包括在基底上形成衬垫氧化层、介电层和原位掺杂多晶硅层；形成至少一沟槽；沿着沟槽的侧壁与原位掺杂多晶硅层表面，形成氧化物衬层；在氧化物衬层上与沟槽中，形成化学汽相淀积氧化物层；在此氧化物层上，实施氧化物研磨浆化学机械研磨，其在到达原位掺杂多晶硅层表面前停止；及在剩余的氧化物层与原位掺杂多晶硅层上，实施多晶硅研磨浆化学机械研磨，其停止于介电层的表面。
避免凹陷沟槽隔离方法

[发明专利]间隔物整合的方法及所产生的装置-CN201710331380.0有效
发明人：乔治·罗伯特·姆芬格;R·施波雷尔;R·J·卡特;彼特·巴尔斯;H·J·特厄斯;J·亨切尔 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及间隔物整合的方法及所产生的装置，所提供的是一种就SG与EG结构以相异宽度形成匹配的PFET/NFET间隔物的方法、及一种就SG NFET与SG PFET结构及PFET/NFET EG结构形成相异宽度氮化物间隔物的方法具体实施例包括提供PFET SG与EG结构及NFET SG与EG结构；在衬底上方形成第一氮化物层；形成氧化物衬垫；在PFET及NFET EG结构的侧壁上形成第二氮化物层；移除第一氮化物层及氧化物衬垫在PFETSG与EG结构上方的水平部分；在各PFET SG与EG结构的对立侧上形成RSD结构；移除第一氮化物层及氧化物衬垫在NFET SG与EG结构上方的水平部分；以及在各NFET SG与EG结构的对立侧上形成
间隔整合方法产生装置

[发明专利]半导体器件中形成器件隔离膜的方法-CN200410081783.7无效
发明人：崔亨锡;魏宝灵 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-12-31 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明揭示一种半导体器件中形成器件隔离膜的方法，该方法包括：在具有一单元区域与一周边电路区域的一半导体衬底上依次形成一垫氧化物层与一垫氮化物层；蚀刻该垫氮化物层、该垫氧化物层以及该半导体衬底的一预定区域以形成一沟槽；在该沟槽的一表面上形成一侧壁氧化膜；蚀刻该单元区域中的该侧壁氧化膜的一预定厚度；在包括该沟槽与该垫氮化物层的半导体衬底上形成一衬垫氮化物膜与一衬垫氧化物膜；淀积一HDP氧化膜以填满该沟槽；进行一平面化工序以暴露该垫氮化物层；以及移除该垫氮化物层。
半导体器件形成器件隔离方法

[发明专利]带有自对准源极和接触的沟槽型场效应晶体管-CN02817409.7无效
发明人：亚当I·阿马利;纳雷什·撒帕尔 -专利权人：国际整流器公司
申请日： 2002-09-03 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H01L29/76 文献下载
摘要：一种沟槽型功率MOS栅器件，带有多个隔开的衬有氧化物并填充导电多晶硅的沟槽。多晶硅填料的顶部低于所述硅的顶面；并被与所述硅的顶部平齐的淀积的氧化物覆盖；横向范围短的源极区域延伸入所述的沟槽壁至低于所述多晶硅的顶部的深度。形成的沟槽终端带有绝缘的氧化物衬垫，其依次被多晶硅层、淀积的氧化物覆盖。
带有对准接触沟槽场效应晶体管

[发明专利]提高半导体器件可微缩性的方法-CN201210507671.8在审
发明人：张雄 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种提高半导体器件可微缩性的方法包括：在浅槽隔离工艺完成后，有源区两侧分别是第一隔离区和第二隔离区，从而自然地形成凹槽结构；在硅片表面上沉积氧化物层，所述氧化物层厚度小于1/2的有源区宽度，典型厚度为1/3；对氧化物层进行各向异性刻蚀，从而在第一隔离区侧形成第一侧壁氧化物，在第二隔离区侧形成第二侧壁氧化物；在第一侧壁氧化物以及第二侧壁氧化物之间通过选择性外延生长硅单晶层；通过选择性刻蚀去除第一侧壁氧化物、第二侧壁氧化物和其下的衬垫氧化层，从而在有源区上方形成硅凸起部。
提高半导体器件微缩方法

[发明专利]使用氧化硅衬垫的离子注入以防止掺杂剂自源极/漏极延伸部向外扩散的方法-CN03806763.3有效
发明人： A·C·韦;M·B·菲赛利耶;中秉津 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2003-03-13 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种改善晶体管性能的半导体器件的制造方法，该半导体器件的制造是通过离子注入(31)将掺杂剂注入氧化物衬垫(30)以防止或充分减少掺杂剂自源极/漏极的浅层延伸部(23)扩散出来。具体实施例包含离子注入P型掺杂剂，例如B或BF₂，使用栅极电极(21)作为掩膜，形成源极/漏极的浅层延伸部(23)，沉积共形的氧化物衬垫(30)，并以基本上与源极/漏极的浅层延伸部(23)相同的掺杂剂浓度，通过离子注入(31)将P型杂质注入氧化物衬垫(30)。后续工艺包含沉积间隔层，进行蚀刻形成侧壁间隔(40)，进行离子注入形成深层中等或高浓度的源极/漏极注入物(41)，以及激活退火(activation annealing)。
使用氧化衬垫离子注入防止掺杂延伸向外扩散方法