专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种氧化-氮化-氧化和多晶体残余的移除方法-CN200710198540.5无效
  • 何荣;李秋德;曾令旭;曾海 - 和舰科技(苏州)有限公司
  • 2007-12-11 - 2009-06-17 - H01L21/8247
  • 本发明涉及一种氧化-氮化-氧化和多晶体残余的移除方法,包括:第一步,提供一衬底,该衬底上有沟槽;第二步,在衬底上依次形成穿隧氧化层,浮置栅极层,氧化-氮化-氧化层;第三步,形成导体层,并对该导体层进行蚀刻,利用光罩首先蚀刻单元栅极,而后蚀刻逻辑栅极;在第三步中,上述光罩的图形为在外围电路区域全部打开,并且在闪存单元中氧化-氮化-氧化不起作用的部分也打开。本发明通过更改阵列氧化-氮化-氧化蚀刻光罩图形的定义及阵列氧化-氮化-氧化蚀刻方式,在不增加额外光罩层的条件下,将氧化-氮化-氧化围篱及多晶体残余彻底去除,从而显著改善合格率。
  • 一种氧化物氮化物多晶体残余方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710785299.X在审
  • 植木诚;长谷卓 - 瑞萨电子株式会社
  • 2017-09-04 - 2018-03-13 - H01L45/00
  • 具体涉及电阻变化元件,其包括彼此间隔开的第一和第二电极,与第一电极相邻的金属材料层,与金属材料层和第一电极相邻的氧化层,和连续布置在第二和第一电极之间和在第二电极和氧化层之间的电阻变化层。电阻变化层由金属氧化制成。金属材料层由金属或金属化合制成。氧化层由形成金属材料层的材料的氧化制成。第一电极由钌、氧化钌、铱、氧化铱、铂、金或铜制成。形成氧化层的氧化氧化形成自由能高于形成电阻变化层的氧化氧化形成自由能。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]介电陶瓷组合及陶瓷电子部件-CN201980025080.7有效
  • 野村武史;佐佐木由香里 - 昭荣化学工业株式会社
  • 2019-03-15 - 2022-11-29 - C04B35/495
  • 本发明提供一种介电陶瓷组合,其包含第一成分与第二成分,其中,第一成分包含:0.00~35.85mol%的Ca的氧化、0.00~47.12mol%的Sr的氧化、0.00~51.22mol%的Ba的氧化、0.00~17.36mol%的Ti的氧化、0.00~17.36mol%的Zr的氧化、0.00~2.60mol%的Sn的氧化、0.00~35.32mol%的Nb的氧化、0.00~35.32mol%的Ta的氧化以及0.00~2.65mol%的V的氧化,作为第二成分至少包含:0.005~3.500质量%的Mn的氧化(a)、以及Cu的氧化和/或Ru的氧化(b)。根据本发明,提供一种绝缘电阻高,在高温条件下,电容的变化小,在25℃和200℃下的介质损耗小的介电陶瓷组合
  • 陶瓷组合电子部件
  • [发明专利]具有氧化去除区的金属板坯和组件-CN202110275487.4在审
  • 詹姆斯·J.·伊万格丽斯塔;小迈克尔·特伦科;露丝·M.·西拉 - 格鲁帕冲裁有限责任公司
  • 2021-03-15 - 2021-09-21 - B23K20/12
  • 一种焊接坯组件(10),包括通过摩擦搅拌焊缝(16)连接的铝基金属板坯(12、14)和在至少一个所述坯的表面(26、28、30)上的氧化去除区(24)。所述氧化去除区中的氧化层(22)的平均厚度小于沿所述表面的其它地方。所述焊缝至少一部分位于所述氧化去除区中,并且基本上没有氧化残余(18)。一种制造焊接坯组件的方法,包括去除铝基金属板坯上的氧化层的至少一部分以形成所述氧化去除区,然后在所述氧化去除区用焊缝将所述坯连接在一起。通过在氧化去除后的预定时间内进行焊接、控制氧化去除和焊接之间的所述局部环境和/或使用氧化抑制剂,可以最小化和/或抑制所述氧化去除区中的氧化生长。
  • 具有氧化物去除金属板组件

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