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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202310814986.5在审
发明人：曾以志 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：该方法包括：提供硅衬底，其上设置有栅极结构，且包括源漏掺杂区；在硅衬底上形成覆盖源漏掺杂区的介质叠层，包括依次层叠的第一氮化物层、氧化物层和第二氮化物层；蚀刻介质叠层，形成暴露源漏掺杂区的初始接触孔，其在第一氮化物层和氧化物层中的横向尺寸小于其在第二氮化物层中的横向尺寸；蚀刻氧化物层和第一氮化物层，形成接触孔，其在第一氮化物层和氧化物层中的横向尺寸大于其在第二氮化物层中的横向尺寸；在接触孔的底部形成金属硅化物层；在接触孔的侧壁形成氮化物衬垫层；在接触孔中形成接触插塞，
半导体结构制备方法

[发明专利]一种FinFET器件及其制造方法、电子装置-CN201410260807.9有效
发明人：赵海 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-06-12 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种FinFET器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在其上形成有多个鳍片，在鳍片的顶部形成有硬掩膜层；形成衬垫氧化物层，以覆盖半导体衬底的表面、鳍片的侧壁以及硬掩膜层的侧壁和顶部；形成覆盖衬垫氧化物层的牺牲层，并将牺牲层转化为缓冲层；沉积隔离材料层，以完全填充鳍片之间的间隙；执行化学机械研磨，直至露出硬掩膜层的顶部；去除硬掩膜层和部分隔离材料层，以露出部分鳍片。
一种 finfet 器件及其制造方法电子装置

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201310485342.2有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-10-16 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括提供半导体衬底，在半导体衬底上依次形成衬垫氧化物层和硬掩膜层；在半导体衬底中蚀刻出用于填充隔离材料的第一沟槽；执行离子注入，以在第一沟槽的侧壁与衬垫氧化物层的下部交界的拐角区域形成离子注入区；以离子注入区为掩膜选择性蚀刻半导体衬底，以在第一沟槽的下部形成宽度大于第一沟槽的第二沟槽；在第二沟槽的侧壁和底部形成衬里氧化层；在第二沟槽和第一沟槽中填充隔离材料，以形成底部宽度大于顶部宽度的浅沟槽隔离结构
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]碳掺杂金属氟氧化物(C:M-0-F)层作为氟等离子体蚀刻过程中的保护层-CN202180072554.0在审
发明人： S·克拉斯尼策;S·吉蒙德;J·凯劳迪;J·康尼夫;M·P柯克 -专利权人：欧瑞康表面解决方案股份公司，普费菲孔
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种制品，所述制品包括：‑基体；‑覆盖至少部分基体的保护膜，所述膜包括氟化金属氧化物，所述氟化金属氧化物包含元素周期系第III族和/或第IV族元素的一种或多种元素，其特征在于所述保护膜包括具有碳掺杂的氟化金属氧化物其中碳浓度不低于0.1at％且不高于10at％，优选不低于0.5at％，且更优选不高于2.5at％，其中所述制品为等离子体蚀刻室组件和/或部件，且优选为由静电吸盘、环、工艺套环、单环、室壁、淋浴头、喷嘴、盖子、衬垫
掺杂金属氧化物作为等离子体蚀刻过程中的保护层

[发明专利]一种制备栅极氧化层的方法-CN201310120029.9有效
发明人：张雪琴;罗飞 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-04-08 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明一般涉及CMOS半导体器件制造工艺，具体涉及一种提高栅极氧化层的稳定性的方法，包括以下步骤：填充氧化物充满浅沟槽隔离区并覆盖剩余硅化物层的上表面，形成氧化物层；采用平坦化工艺去除部分氧化物层，暴露出剩余硅化物层的上表面，并在浅沟槽隔离区形成氧化隔离层；移除剩余硅化物层及剩余衬垫氧化层暴露出剩余剩余衬底的上表面；于剩余衬底暴露部分的表面生长一层牺牲氧化层，以该牺牲氧化层为阻挡层进行离子注入工艺后，去除该牺牲氧化层，并继续进行清洗工艺；于剩余衬底的暴露部分的上表面生长一层厚栅极氧化层至氧化隔离层的上表面。本发明可保证生长栅氧化层的厚度的均匀度，提高了栅氧化层的稳定性。
一种制备栅极氧化方法

[发明专利]一种用于母线槽内绝缘衬垫材料的制备配方-CN201811268057.4在审
发明人：韦恩明;季成君 -专利权人：江苏宏鹏电气科技有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于母线槽内绝缘衬垫材料的制备配方，组份为：二乙烯基芳烃二氧化物3份；二乙烯基芳烃二氧化物的环氧树脂4份；酸酐硬化剂6份；填充剂20份；固化催化剂2份；填充剂是导热和电绝缘填充剂；同时，环氧树脂制剂组合物经固化后提供的固化产物具有包括Tg、拉伸强度、介电强度和体积电阻率的性质的平衡；本发明制备简单，原材料易于得到的特点。
填充剂制备二乙烯基芳烃二氧化物衬垫材料母线槽内绝缘配方环氧树脂导热环氧树脂制剂固化催化剂酸酐硬化剂体积电阻率固化产物电绝缘介电拉伸组份固化平衡

[发明专利]降低沟槽隔离漏电的方法-CN200810043846.8有效
发明人：陈俭 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2008-10-16 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低沟槽隔离漏电的方法，1.通过光刻的方法在硅片上定义沟槽的位置；2.在硅衬底上刻蚀出沟槽；3.对刻蚀的区域用化学药液进行清洗；4.在高温炉管生长衬垫氧化层；5.在惰性气体中进行高温快速热退火，并快速冷却；6.在惰性气体中进行低温退火；7.采用高密度等离子化学气相淀积的方法填充氧化物；8.退火致密化；9.进行化学机械抛光去除不需要的氧化物。本发明的降低沟槽隔离漏电的方法能够降低缺陷密度，提高氧化物质量，并且兼容现有工艺和设备。
降低沟槽隔离漏电方法

[发明专利]隔离结构及其制造方法-CN201810161019.2有效
发明人：朱中良;陈昱瑞;陈宏岳;王裕平 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：氧化层设置在所述沟槽以外的所述鳍形线基板上。衬垫层设置在所述沟槽的凹陷表面。氮化层设置在所述衬垫层上，部分填入所述沟槽。氧化物残留位于在所述沟槽内的底部的所述氮化层上。栅极状结构，设置在所述氧化层上，且全部填满所述沟槽。
隔离结构及其制造方法

[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管的制备方法、阵列基板的制备方法-CN201711482820.9在审
发明人：李金明 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底基板上依次制备形成栅电极、栅极绝缘层、金属氧化物有源层以及源电极和漏电极，所述栅电极包括衬垫层和铜金属层；其中，在形成所述栅电极之后，首先在退火温度不超过本发明还公开了一种阵列基板的制备方法，包括：采用如上所述的制备方法在衬底基板上制备形成阵列排布的金属氧化物薄膜晶体管；在所述金属氧化物薄膜晶体管上依次制备形成平坦层和像素电极。
制备栅电极金属氧化物薄膜晶体管栅极绝缘层沉积衬底基板阵列基板金属氧化物有源层退火铜金属层退火处理像素电极阵列排布衬垫层漏电极平坦层源电极

[发明专利]一种制作半导体器件的方法-CN201410231734.0在审
发明人：王辉 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成垫氧化层和垫氮化硅层；图案化所述垫氮化硅层、所述垫氧化层和所述半导体衬底，以形成浅沟槽；在所述浅沟槽的底部以及侧壁形成衬垫层；在所述浅沟槽中填充氧化物层；采用离子注入工艺在所述半导体衬底中形成阱区。根据本发明的制造工艺将形成浅沟槽衬垫层的两个步骤改为一步形成浅沟槽衬垫层，可以有效的降低对浅沟槽隔离结构边角的应力，以降低NOR闪存器件的ICCSB失效率，提高NOR闪存器件的循环周期。
一种制作半导体器件方法

[发明专利]用于燃料电池的共混橡胶衬垫-CN201410341646.6有效
发明人：郑炳宪;洪普基;罗昌运;柳龙焕 -专利权人：现代自动车株式会社;全北大学校产学协力团
申请日： 2014-07-17 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C08L23/16 文献下载
摘要：本发明提供了用于燃料电池的共混橡胶衬垫，其包含具有80至99phr的EPDM橡胶和约1至20phr的FKM橡胶的基材；和基于100phr的基材的约0.1至10phr的过氧化物交联剂。
用于燃料电池橡胶衬垫

[发明专利]一种具有多层栅极结构的高压器件及其制造方法-CN200910261620.X无效
发明人：曾令旭;李煦;何荣 -专利权人：和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提出了具有多层栅极结构的高压器件及其制造方法，该高压器件至少包括：下层多晶硅，上层多晶硅和在它们之间的氧化物-氮化物-氧化物叠层，以及在上层多晶硅上的阻挡层。同时形成的阻挡层还能够在高压器件区域作为衬垫(spacer)，可以在一定程度上改善高压器件的击穿性能。
一种具有多层栅极结构高压器件及其制造方法

[发明专利]用于减少硅损耗的方法-CN201410373544.2有效
发明人：张冬梅 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：该方法包括：在衬底上形成有源区；在有源区上依次形成衬垫氧化物层、多晶硅层和氮化硅层；在有源区和多晶硅层中形成沟槽；对所述衬底进行氮气退火；沟槽表面上形成氧化物内衬；以及填充沟槽。
用于减少损耗方法

[发明专利]形成浅沟槽隔离区的方法-CN201210261968.0有效
发明人：周鸣;平延磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成浅沟槽隔离区的方法，所述浅沟槽隔离区在高介电常数栅氧化层之前形成，该方法包括：在半导体衬底上依次形成隔离氧化层和氮化硅层；依次刻蚀氮化硅层、隔离氧化层及半导体衬底，在所述半导体衬底内形成沟槽；在所述沟槽内部表面生长一层衬垫氧化硅；在沟槽内进行氧化物的填充及抛光，形成浅沟槽隔离区，并去除所述氮化硅层；其中，在沟槽内进行氧化物的填充采用常压化学气相沉积形成氧化硅层和增加氧化硅层密度相结合的方法采用本发明能够避免高介电常数栅氧化层的等效氧化层厚度增大。
形成沟槽隔离方法

[发明专利]利用BDEAS沉积的二氧化硅层-CN201180026221.0无效
发明人： Y-W·李;V·佐泊考伏;石美仪;夏立群;P·艾文加;S·巴录佳;S·A·亨德里克森;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯;T·诺瓦克;D·R·威蒂 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-06-03 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：使用包含有BDEAS及诸如臭氧之类的含氧气体的工艺气体将二氧化硅层沉积在衬底上。二氧化硅层可为包含有抗蚀剂层的抗蚀刻叠层的一部分。在另一方面中，将二氧化硅层沉积到穿孔中以形成用于硅通孔的氧化物衬垫。
利用 bdeas 沉积二氧化硅

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