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- [发明专利]半导体存储装置-CN201910599225.6有效
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原田佳和
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铠侠股份有限公司
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2019-07-04
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2023-10-27
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G11C5/02
- 本发明的实施方式提供一种峰值电流较小的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备:第1、第2位线;第1、第2存储晶体管,分别连接于第1、第2位线;源极线,连接于第1、第2存储晶体管;以及字线,连接于第1、第2存储晶体管的栅极电极。在删除第1、第2存储晶体管的数据的删除动作中,执行第1删除电压施加动作,只对第1、第2存储晶体管的一者执行删除验证动作,对第1、第2存储晶体管的另一者不执行删除验证动作而执行第2删除电压施加动作。
- 半导体存储装置
- [发明专利]运算处理装置-CN202310817708.5在审
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梶谷一彦;安达隆郎
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超极存储器股份有限公司
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2017-06-02
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2023-10-13
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G11C5/02
- 本发明的运算处理装置具有:处理部主体(21),其在规定的第一方向(F1)上排列设置;多个路由器部(30),其排列设置在与各个所述处理部主体(21)的所述第一方向(F1)交叉的第二方向(F2)上,对多个所述处理部主体(21)之间的数据通信进行中继;以及通信线(12),其连接多个所述路由器部(30),所述处理部主体(21)具有排列设置在与所述第一方向(F1)交叉的所述第二方向(F2)上的多个子部(22),所述子部(22)具有一个运算部(23)和一个存储部(24),所述运算部(23)包含至少一个核(25),所述存储部(24)排列设置在所述运算部(23)的第一方向(F1)上。
- 运算处理装置
- [发明专利]半导体存储装置-CN202210719821.5在审
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畠山水無
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铠侠股份有限公司
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2022-06-23
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2023-10-03
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G11C5/02
- 本发明的半导体存储装置具备:第1~3导电层,在第1方向上排列;第4~6导电层,在第1方向上排列;第1半导体层,设置在第1~3导电层与第4~6导电层之间,且沿第1方向延伸;以及电荷蓄积层,具备设置在第1~3导电层与第1半导体层之间的第1部分、及设置在第4~6导电层与第1半导体层之间的第2部分。第1导电层设置在第2导电层及第3导电层之间。第4导电层设置在第5导电层及第6导电层之间。在第1验证动作中,对第1导电层供给验证电压,对第4导电层供给小于验证电压的第1电压,对第2、5导电层供给读出通路电压,对第3导电层或第6导电层供给小于读出通路电压的第2电压。
- 半导体存储装置
- [发明专利]一种基于柔性材料的堆叠模拟存储器-CN202010281703.1有效
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马顺利;余浩;任俊彦
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复旦大学
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2020-04-11
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2023-09-05
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G11C5/02
- 本发明属于存储器技术领域,具体为一种基于柔性材料的堆叠模拟存储器。本发明堆叠模拟存储器由多个时序单元电路和存储单元电路堆叠而成;存储单元电路由NMOS管和电容组成,其栅极作为控制端,输出信号保存在电容极板和输出端上;时序单元电路由四个NMOS管构成,上面两个NMOS管的栅极作为控制端,下面第一个NMOS管的栅极为信号输入端,第二NMOS管的源极为信号的输出端,上面第一个NMOS管的源极连接下面第二个NMOS管的栅极;时序单元电路的输出端连接存储单元电路的控制端,各存储单元的输入端连接同一个输入信号,各存储单元电路的输出端输出不同模拟信号。本发明易于集成实现堆叠,存储密度高,可应用于可穿戴设备当中。
- 一种基于柔性材料堆叠模拟存储器
- [发明专利]一种用于内存计算的电路结构-CN202010224134.7有效
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赖振安;陈俊晟;黄召颖
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上海华力集成电路制造有限公司
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2020-03-26
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2023-08-15
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G11C5/02
- 本发明涉及一种用于内存计算的电路结构。该电路结构包括多个八管静态随机存取存储器、四条位线、两条字线,以及方向配置电路。每一八管静态随机存取存储器包括两组读写双向端口、两个字线端口及两个方向配置端口。每组所述读写双向端口的第一读写端口与第二读写端口的数据反相。各位线连接对应处理器,并按行方向和列方向连接各八管静态随机存取存储器的对应读写双向端口的各读写端口。各字线连接对应处理器,并连接各八管静态随机存取存储器的对应字线端口。方向配置电路连接各八管静态随机存取存储器的各方向配置端口,配置用于激活各八管静态随机存取存储器的任一方向配置端口,以进行各八管静态随机存取存储器在对应方向的逻辑运算。
- 一种用于内存计算电路结构
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