专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种基准源-CN202223137517.4有效
  • 程仁豪 - 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
  • 2023-03-08 - 2023-06-16 - G05F1/56
  • 本实用新型涉及一种基准源,包括基准源支路、充电开关、场效应管、脉冲电路;基准源支路的输出端连接场效应管的源极,脉冲电路的两端连接在场效应管漏极和基准源支路接地端,在场效应管的栅极和漏极之间串联有充电开关。本实用新型可大幅度缩短基准源支路的启动响应时间,可以迅速进入稳定工作状态。
  • 一种基准
  • [发明专利]一种片上变压器及半导体器件-CN202211723434.5在审
  • 程仁豪 - 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
  • 2022-12-30 - 2023-05-02 - H01F27/30
  • 一种片上变压器及半导体器件,包括:基底;设置于基底上且呈“8”字型的第一线圈和第二线圈,第一线圈由第一导线缠绕而成,第一线圈包括第一交叉区域和分别位于第一交叉区域两侧的第一部分和第二部分,流过第一线圈的第一部分的电流在第一旋转方向上螺旋,流过第一线圈的第二部分的电流在第二旋转方向上螺旋,第一旋转方向和第二旋转方向为相反的旋转方向;介质层,设置于第一线圈上;第二线圈由第二导线缠绕而成,第二线圈包括第二交叉区域和分别位于第二交叉区域两侧的第一部分和第二部分,流过第二线圈的第一部分的电流在第二旋转方向上螺旋,流过第二线圈的第二部分的电流在第一旋转方向上螺旋。本申请的片上变压器能够抵消外界磁场的电磁干扰。
  • 一种变压器半导体器件
  • [发明专利]功率放大器-CN202211578903.9在审
  • 程仁豪 - 中芯越州集成电路制造(绍兴)有限公司
  • 2022-12-05 - 2023-04-07 - H03F1/32
  • 本发明提供一种功率放大器,其偏置电路与其功率放大核心电路通过同一接地导电结构共地,从而可以利用接地导电结构的寄生参数使得功率放大核心电路中的功率管的发射极端的直流电压随着输入功率的增加而升高,由此可以在输入功率增加时,提升偏置电路中相应节点的电压,进而改善功率管的基极电压随着输入功率增高而下降的现象,提升功率放大器的线性度,最终提升功率放大器的AMAM、AMPM、IMD3、ACPR,EVM等性能指标。
  • 功率放大器
  • [发明专利]一种低噪声放大器电路及射频前端电路-CN202211586230.1在审
  • 程仁豪 - 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
  • 2022-12-09 - 2023-02-24 - H03F1/26
  • 本申请涉及一种低噪声放大器电路及射频前端电路,所述低噪声放大器电路包括第一晶体管和第二晶体管,其中:所述第一晶体管的栅极连接所述低噪声放大器电路的输入端,所述第一晶体管的源极接地;所述第二晶体管的栅极和漏极连接所述低噪声放大器电路的供电端,所述第二晶体管的漏极还连接所述低噪声放大器电路的输出端;所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的源极合并在一起;其中,所述第一晶体管为浮体晶体管,所述第二晶体管为体接触晶体管。本申请具有提升放大器性能并减少电路占用面积的效果。
  • 一种低噪声放大器电路射频前端
  • [发明专利]低压差线性稳压器电路及电子产品-CN202211043371.9在审
  • 程仁豪 - 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
  • 2022-08-29 - 2023-01-06 - G05F1/56
  • 本发明提供了一种低压差线性稳压器电路及电子产品,该低压差线性稳压器电路,相对现有的LDO电路,增设了迟滞比较器和强制关断模块,利用迟滞比较器来比较LDO核心模块的输出电压和一基准电压,且根据比较结果输出第一控制信号,并进一步利用强制关断模块将第一控制信号转换为第二控制信号,以将LDO核心模块的PMOS功率管的栅极电压从低电平上拉为高电平,关断输出功率管,由此,在LDO核心模块的输出电压因为负载的高低功耗切换而产生波动时,可以通过迟滞比较器和强制关断模块来瞬间关断PMOS功率管,进而改善输出电压毛刺问题。
  • 低压线性稳压器电路电子产品
  • [发明专利]集成电路版图的设计方法及系统、存储介质-CN202211280779.8在审
  • 程仁豪 - 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
  • 2022-10-19 - 2022-12-13 - G06F30/394
  • 本申请提供一种集成电路版图的设计方法及系统、存储介质,设计方法包括:获取待设计的集成电路的电路图,其中,所述集成电路包括输入输出单元,所述输入输出单元包括输入输出焊盘和所述静电保护电路,所述静电保护电路包括多个功能单元;将每个所述功能单元拆解为至少两个子单元,其中,每个所述子单元包括至少一个静电保护器件;对每个所述子单元进行物理实现,以获得每个所述子单元对应的子版图;将所述输入输出焊盘和所述子单元的子版图进行拼接,以获得对应的所述输入输出单元的版图;将多个所述输入输出单元的版图和目标IP的版图进行拼接,以获得所述集成电路的设计版图。通过本申请的方法设计的版图面积更小。
  • 集成电路版图设计方法系统存储介质
  • [发明专利]砷化镓功率放大器的匹配电路结构及射频功率放大器-CN202210999266.6在审
  • 程仁豪 - 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
  • 2022-08-19 - 2022-11-11 - H03F1/56
  • 本申请实施例提供一种砷化镓功率放大器的匹配电路结构和射频功率放大器,其中,砷化镓功率放大器的匹配电路结构包括砷化镓功率放大器以及连接在砷化镓功率放大器的输入端的输入基波匹配网络和输入谐波匹配网络;输入基波匹配网络用于对输入砷化镓功率放大器的信号进行基波的共轭阻抗匹配;输入谐波匹配网络连接于输入基波匹配网络的输出端和砷化镓功率放大器的输入端之间,用于对输入砷化镓功率放大器的信号进行谐波的阻抗匹配;如此,通过设置输入谐波匹配网络,对输入砷化镓功率放大器的信号进行谐波的阻抗匹配,从而有效地提升了砷化镓功率放大器的效率和功率。
  • 砷化镓功率放大器匹配电路结构射频
  • [发明专利]PCell版图的设计方法-CN202210934278.0在审
  • 程仁豪 - 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
  • 2022-08-04 - 2022-11-04 - G06F30/392
  • 本发明提供了一种PCell版图的设计方法,首先获取目标器件的PCell版图,所述PCell版图具有若干工艺图层,每个所述工艺图层具有若干图形,然后对至少一个所述工艺图层和/或对至少一个所述图形进行变换,以使所述PCell版图失真。将失真的所述PCell版图提供给客户,客户可以使用默认的CDF参数对应的PCell版图或修改CDF参数以更新PCell版图,同时也可以避免自主设计的半导体器件的结构泄露。
  • pcell版图设计方法
  • [发明专利]SPICE模型参数提取器的构建方法及SPICE建模方法-CN202210930256.7在审
  • 程仁豪 - 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
  • 2022-08-03 - 2022-10-14 - G06F30/367
  • 本发明提供了一种SPICE模型参数提取器的构建方法及SPICE建模方法,在目标器件的初始SPICE模型中的每个模型参数的取值范围内均选取若干具体值,将每个具体值赋值给相应的模型参数以组合出若干SPICE模型,对每个SPICE模型进行仿真得到相应的仿真数据,将每个仿真数据均输入SPICE模型参数提取器并通过比对所有SPICE模型中的每个具体值与相应的提取值优化SPICE模型参数提取器。SPICE建模时,将目标器件的测试数据输入SPICE模型参数提取器中得到模型参数的提取值,再将提取值赋值给初始SPICE模型中的相应的模型参数得到目标器件的SPICE模型。本发明无需反复修改每个模型参数的值并对比测试数据与仿真数据,也无需购买大量软件资源,节省了人力物力,建模速度更快。
  • spice模型参数提取构建方法建模
  • [实用新型]ESD保护器件-CN202221140124.6有效
  • 程仁豪 - 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
  • 2022-05-11 - 2022-08-26 - H01L27/02
  • 本实用新型提供了一种ESD保护器件,包括形成于衬底中的阵列排布的多个有源区,相邻的所述有源区之间接触连接,所述有源区包括第三注入区、围绕所述第三注入区且与所述第三注入区间隔设置的至少一个第二注入区及围绕最内侧的第二注入区的至少一个第一注入区,所述第二注入区与所述第一注入区从内到外交替间隔排布且最外侧为第一注入区;所述第一注入区和所述第三注入区为第一导电类型离子注入区,所述第二注入区为第二导电类型离子注入区。本实用新型的技术方案能够在提高ESD保护能力以及降低寄生电容的同时,还能避免版图面积增大。
  • esd保护器件
  • [发明专利]振荡电路及电子设备-CN202210490443.8在审
  • 程仁豪 - 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
  • 2022-05-07 - 2022-07-12 - H03K3/03
  • 本申请涉及一种振荡电路及电子设备。该振荡电路包括:镜像单元;第一开关单元,与所述镜像单元连接,用于接收镜像单元提供的第一电流信号;第二开关单元,与镜像单元连接,用于接收镜像单元提供的第二电流信号;第一电流信号与第二电流信号互为镜像电流信号;比较单元,与第二开关单元连接,用于根据第二电流信号储能并提供钳位电压;若钳位电压超过第一阈值电压则控制第二开关单元接地,以控制比较单元放电,若钳位电压小于或等于第二阈值电压则继续充电;第一阈值电压大于第二阈值电压。该振荡电路至少能够使得由于开关器件的阻抗而产生的离散性,以及由于温度特性而产生的离散性这两方面的频率变化量明显收敛。
  • 振荡电路电子设备

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