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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201310063976.9有效
发明人：何其旸 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有停止层，所述停止层表面具有栅极薄膜，所述栅极薄膜的部分表面具有第一掩膜层，所述第一掩膜层表面具有第二掩膜层，所述第二掩膜层的材料和停止层的材料相同，所述第一掩膜层和第二掩膜层的材料不同；在所述第一掩膜层的侧壁表面形成保护层，所述保护层的材料与第二掩膜层和停止层的材料相同；在形成所述保护层之后，以第二掩膜层为掩膜刻蚀所述栅极薄膜，至暴露出停止层表面为止，形成栅极层。
半导体结构形成方法

[发明专利]减少制造成本的组合掩膜版-CN201410844370.3在审
发明人：樊茂;王希铭 -专利权人：展讯通信（上海）有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种组合掩膜版。减少制造成本的组合掩膜版，包括，第一掩膜版，用于在一复合结构中形成第一薄膜层；第二掩膜版，用于在复合结构中形成第二薄膜层；第三掩膜版，用于形成连接第一薄膜层与第二薄膜层之间的通孔；第四掩膜版，用于在复合结构中形成第三薄膜层；本发明第一掩膜版的第一光掩膜图形、第二掩膜版的第二光掩膜图形、第四掩膜版的第四光掩膜图形叠加后的重合区域形成第五光掩模图形，第五光掩膜图形用于在复合结构中形成连接第二薄膜层与第三薄膜层的通孔，本发明可以减少通孔对应的掩膜版的数量
减少制造成本组合掩膜版

[发明专利]磁性隧道结及其形成方法-CN201310425240.1有效
发明人：洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-17 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种磁性隧道结及其形成方法，其中，磁性隧道结的形成方法包括提供表面具有第一介质层的衬底，第一介质层内具有第一电极层，第一介质层和第一电极层表面具有复合磁性层；在复合磁性层表面形成第一掩膜层，第一掩膜层的图形为圆形，第一掩膜层的位置与第一电极层的位置对应；在复合磁性层表面和第一掩膜层的侧壁表面形成第二掩膜层；去除部分第一掩膜层，在第一掩膜层和第二掩膜层内形成暴露出复合磁性层的开口，开口的条形图形贯穿第一掩膜层的圆形图形；在开口的侧壁表面形成侧墙；之后去除第二掩膜层，以侧墙和第一掩膜层为掩膜，刻蚀复合磁性层直至暴露出第一介质层和第一电极层表面为止。
磁性隧道及其形成方法

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201810399604.6在审
发明人：李晓明;林宗德;何延强 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的背面形成有硬掩膜层，所述半导体衬底的正面形成有正面结构；形成图形化的掩膜层，根据所述掩膜层对所述硬掩膜层进行刻蚀，以形成刻蚀沟槽，所述刻蚀沟槽贯穿所述硬掩膜层，所述刻蚀沟槽的侧壁包括上下相接的上侧壁和下侧壁，所述上侧壁与所述硬掩膜层表面的夹角为钝角；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体衬底，以使所述刻蚀沟槽贯穿所述半导体衬底；形成介质层，所述介质层覆盖所述刻蚀沟槽的底部和侧壁，并覆盖所述硬掩膜层。本发明方案可以降低发生硬掩膜层开裂问题的可能性。
硬掩膜层刻蚀沟槽衬底半导体掩膜层图像传感器介质层上侧壁侧壁刻蚀正面结构夹角为图形化下侧壁贯穿钝角掩膜覆盖背面

[发明专利]超解析光盘-CN200410086032.4无效
发明人：郭锦哲;安建浩;金真弘 -专利权人： LG电子有限公司
申请日： 2004-10-22 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：超解析光盘包括至少两个掩膜层。在一个实施例中，超解析光盘包括多个掩膜层和在掩膜层之间的缓冲层，并且，还可以包括在掩膜层和缓冲层之间的防扩散层。在另一个实施例中，超解析光盘包括多个记录层和分隔开记录层的介电层，每一个记录层包括两个掩膜层和在掩膜层之间的缓冲层，或包括两个掩膜层、一个在掩膜层之间的缓冲层和在掩膜层和缓冲层之间的防扩散层。
解析光盘

[发明专利]磁性隧道结及其形成方法-CN201310424875.X有效
发明人：洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-17 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种磁性隧道结及其形成方法，其中，磁性隧道结的形成方法包括提供的第一介质层和第一电极层表面依次具有复合磁性层和第一掩膜层，第一掩膜层平行于衬底表面的图形为圆形；以第一掩膜层刻蚀复合磁性层直至暴露出第一介质层；之后在第一介质层表面形成第二掩膜层，第二掩膜层的表面与第一掩膜层的表面齐平；去除第一掩膜层并形成开口；在开口的侧壁表面形成第三掩膜侧墙；对第三掩膜侧墙进行离子注入工艺，离子注入的方向相对于衬底表面倾斜；之后刻蚀去除部分第三掩膜侧墙以形成第三掩膜，使第三掩膜的内侧壁平行于衬底表面的图形呈椭圆形；以第三掩膜刻蚀复合磁性层直至暴露出第一电极层。
磁性隧道及其形成方法

[发明专利]一种半导体结构的形成方法-CN202010535906.9在审
发明人：李洋;邓世琪;严利均;刘志强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构的形成方法，包括提供衬底，衬底表面具有掩膜层，掩膜层表面具有图形层，图形层内具有图形开口，图形开口底部暴露出掩膜层的顶部表面；以图形层为掩膜，刻蚀图形开口底部的部分掩膜层，在掩膜层内形成第一开口；形成第一开口之后，在第一开口顶角的周围形成保护层；以保护层为掩膜，刻蚀第一开口底部的掩膜层，直至暴露出衬底的顶部表面，在掩膜层内形成第二开口。此发明解决了传统刻蚀半导体结构形成过程中掩膜层的顶角处被刻蚀磨损的问题，通过在刻蚀过程中添加一层保护层，保证在刻蚀过程中掩膜层的顶角不会被破损，提升了图形转移的准确性。
一种半导体结构形成方法

[发明专利]III族氮化物半导体结构及其制造方法-CN201310738594.1有效
发明人：程凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种III族氮化物半导体结构及其制造方法，该结构包括：衬底；位于衬底上的成核层，成核层为氮化物，氮化物中存在位错；位于成核层上的掩膜层，掩膜层上至少有一个掩膜层窗口，掩膜层窗口贯穿整个掩膜层；从掩膜层窗口向上延伸并穿过掩膜层侧向延伸的过生长侧向外延层；过生长侧向外延层中的位错密度小于掩膜层及掩膜层窗口下方的氮化物成核层中的位错密度。本发明通过在外延层中引入压应力，使得位错的生长方向发生改变，再引入厚的掩膜，约束窗口区的生长角度，当窗口区的深宽比超过临界值的时候，弯曲的位错会全部被掩膜的侧壁阻挡，从而实现生长窗口内的极低位错密度。
iii 氮化物半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202110378733.9在审
发明人：颜晨恩;康金玮;詹凯钧;吕文雄;林政仁;郑明达;李明机 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种半导体装置的形成方法，包括：提供基板；形成掩膜层于基板的表面之上，掩膜层具有开口位于表面的部分之上；沉积导电层于表面的部分及掩膜层之上；移除掩膜层及掩膜层之上的导电层，在移除掩膜层及掩膜层之上的导电层之后，在表面的部分之上余留的导电层形成导电垫，且导电垫的宽度朝着基板增加；以及通过焊料层接合装置至导电垫，导电垫埋藏于焊料层中。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110070488.5在审
发明人：崔元钧 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括图形材料层；在图形材料层上形成多个沿第一方向延伸且在第二方向相间隔的第一掩膜层；以第一掩膜层为掩膜进行离子掺杂，形成多个间隔的掺杂层，剩余的图形材料层作为图形层；去除第一掩膜层；形成覆盖图形层且露出部分掺杂层的第二掩膜层；去除第二掩膜层露出的掺杂层，形成第一凹槽；去除第二掩膜层；去除图形层，形成第二凹槽。本发明实施例中，图形层上先后形成有第一掩膜层和第二掩膜层，图形层与有机材料层的接触时间较少，第一掩膜层和第二掩膜层中的C不易扩散到图形层中，去除图形层时，图形层不易存在残留，相应的第二凹槽的形貌质量较佳
半导体结构形成方法

[发明专利]一种蒸镀掩膜版及其制作方法、蒸镀设备-CN202211287226.5在审
发明人：白珊珊;李彦松;刘华猛;关新兴 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种蒸镀掩膜版及其制作方法、蒸镀设备，该蒸镀掩膜版包括：掩膜本体，所述掩膜本体具有贯穿厚度方向的多个通孔，一个通孔对应一个显示面板，所述掩膜本体与所述显示面板的衬底基板具有相同的热形变特性；限定掩膜层，设置在所述掩膜本体的一侧，所述限定层掩膜用于形成所述显示面板所需的蒸镀图形；所述衬底基板位于所述限定掩膜层远离所述掩膜本体的一侧，所述掩膜本体的厚度远大于所述限定掩膜层的厚度。
一种蒸镀掩膜版及其制作方法设备

[发明专利]一种新型的组合掩膜版-CN201410844113.X在审
发明人：樊茂;王家庆 -专利权人：展讯通信（上海）有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种组合掩膜版。一种新型的组合掩膜版，第一掩膜版，用于在一复合结构中形成第一薄膜层；第二掩膜版上形成多个呈阵列结构排布的格点，格点区域为透明区域；第三掩膜版，用于在复合结构中形成第二薄膜层；第四掩膜版，用于在复合结构中形成第三薄膜层；第一掩膜版、第二掩膜版、第三掩膜版叠加后用于在复合结构中形成连接第一薄膜层与第二薄膜层的通孔；或，第二掩膜版、第三掩膜版、第四掩膜版叠加后用于在复合结构中形成连接第二薄膜层与第三薄膜层的通孔。本发明通过一掩膜版上设置阵列结构排布的格点，通过与预定掩膜版相结合，以形成预定的通孔图形，可以减少需要的掩膜版的数量，降低集成电路的制造成本。
一种新型组合掩膜版

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201710790571.3在审
发明人：张海洋;常荣耀 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2017-09-05 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，方法包括：在底掩膜材料层第一区上形成分立的顶掩膜结构，顶掩膜结构包括顶掩膜层，顶掩膜结构还延伸至边缘区的部分表面；以顶掩膜结构为掩膜，对底掩膜材料层的边缘区以及第三区进行改性处理，在底掩膜材料层的边缘区以及第三区中形成改性层；去除改性层，在底掩膜材料层的边缘区中以及第三区中形成凹槽，且使底掩膜材料层第一区和中间区形成位于相邻凹槽之间的底掩膜层。
掩膜材料层掩膜结构边缘区半导体器件第一区改性层掩膜层改性处理工艺过程相邻凹槽图形化中间区分立掩膜去除延伸

[发明专利]一种用于铜互连的金属硬掩膜层的制备方法-CN201210208918.6无效
发明人：徐强 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种用于铜互连的金属硬掩膜层的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上沉积膜系的金属硬掩膜层及所述金属硬掩膜层之前段工艺膜层；对所述膜系的金属硬掩膜层进行热退火处理；在所述膜系之金属硬掩膜层上继续沉积二氧化硅薄膜；在所述二氧化硅薄膜上设置抗反射层，以及光阻层，并进行沟道曝光、沟道；过孔曝光、刻蚀；刻蚀；衬垫开口；籽晶层沉积、铜互连，以及化学机械抛光等工艺实现铜互连。使用本发明所述铜互连的金属硬掩膜层的制备方法可以在不影响金属硬掩膜层的电阻率均匀性的前提下降低所述金属硬掩膜层的应力，减小所述金属硬掩膜层下层薄膜由于受到所述金属硬掩膜层的高应力而产生变形现象发生的可能性
一种用于互连金属硬掩膜层制备方法

[发明专利]用于形成自对准通孔的T形金属硬掩膜-CN201110334644.0有效
发明人：张海洋;王新鹏;王冬江 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2011-10-31 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种用于形成自对准通孔的T形金属硬掩膜的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有绝缘层；在所述绝缘层上依次沉积第一金属硬掩膜层和第二金属硬掩膜层，所述第一金属硬掩膜层的被蚀刻率大于所述第二金属硬掩膜层的被蚀刻率；蚀刻所述第二金属硬掩膜层和所述第一金属硬掩膜层，以形成所述T形金属硬掩膜。根据本发明，在形成用于填充互连金属的通孔时，蚀刻所述金属硬掩膜层之后，所留下的所述金属硬掩膜层呈T型，从而可以更好地控制后续自对准通孔的形成。
用于形成对准金属硬掩膜

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