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[发明专利]皮层以及皮层的制造方法-CN201880051473.0有效
发明人：奥秀彦;秀一郎 -专利权人：爱沃特株式会社
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：提供能提升制造成品率的皮层以及皮层的制造方法。皮层的制造方法具备：准备含Si的支承体的工序；和在支承体的表面形成皮层膜(4)的工序。形成皮层膜的工序包含如下工序：通过将支承体的表面的Si碳化来在支承体的表面形成具有第1平均碳浓度的SiC膜；和在SiC膜的表面成膜具有与第1平均碳浓度不同的第2平均碳浓度的SiC膜。皮层的制造方法还具备如下工序：通过湿式蚀刻使SiC膜的背面的至少一部分露出。
皮层以及制造方法

[发明专利]表膜和表膜组件-CN201880040335.2有效
发明人： D·F·弗莱斯;C·K·安德;A·F·J·德格鲁特;A·J·M·吉斯贝斯;J·J·詹森;保罗·詹森;J·H·克洛特韦克;P·S·A·克纳彭;E·库尔干诺娃;M·P·梅热尔;W·R·梅金克;M·A·纳萨莱维奇;A·W·诺滕博姆;R·奥尔斯曼;H·帕特尔;玛丽亚·皮特;G·范德博世;W·T·A·J·范登艾登;威廉·琼·范德赞德;彼得-詹·范兹沃勒;J·P·M·B·沃缪伦;W-P·福尔蒂森;H·J·旺德杰姆;A·N·兹德拉夫科夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种表膜组件，所述表膜组件包括表膜框架，所述表膜框架限定表膜所附接到的表面。所述表膜组件包括一个或更多个三维膨胀结构，所述三维膨胀结构允许所述表膜在应力下膨胀。本发明还涉及一种用于图案形成装置的表膜组件，包括用于使得表膜朝向图案形成装置和远离图案形成装置移动的一个或更多个致动器。
组件

[实用新型]一种掩模版保护装置及光刻机-CN202320561736.0有效
发明人：陈庆生;高建;李中秋;马玉彪 -专利权人：苏州盛拓半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：本实用新型提供一种掩模版保护装置及光刻机，固定装置包括具有通孔的固定件、由上至下设置在固定件上并封闭通孔的吸附件、设置在固定件下端的多个保护件和与各保护件连接的电磁阀，掩模版被吸附件下端所吸附，保护件具有可水平伸缩的承托部，承托部可伸出至掩模版下方以在掩模版掉落时将其接住，电磁阀使保护件在突发情况时保持住当前状态。本实用新型能够防止掩模版因意外掉落而损坏。
一种模版保护装置光刻

[发明专利]污染物检测系统和方法-CN202280014666.5在审
发明人： N·潘迪;J·L·克勒泽;M·E·帕洛斯基;郭玮 -专利权人： ASML荷兰有限公司;ASML控股股份有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：一种系统，可包括：光源，被配置成照射表膜的表面；扫描器，被配置成扫描表膜的表面；光谱仪，被配置成测量参考信号的拉曼光谱和测试信号的拉曼光谱，参考信号基于来自表膜的表面和/或掩模版的表面的测量结果，测试信号基于所照射的表膜的表面；以及处理器。处理器可配置成确定参考信号的拉曼光谱与测试信号的拉曼光谱之间的差异，以及响应于检测到参考信号的拉曼光谱与测试信号的拉曼光谱的偏差，识别表膜的表面上的污染物的存在。
污染物检测系统方法

[发明专利]用于制造隔膜组件的方法-CN202310632992.9在审
发明人： J·H·克洛特韦克;W·T·A·J·范登艾登 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：一种制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法，所述方法包括：提供包括平坦衬底和至少一个隔膜层的叠层，其中所述平坦衬底包括内部区域和围绕所述内部区域的边界区域；以及选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域。所述隔膜组件包括：由所述至少一个隔膜层形成的隔膜；和保持所述隔膜的边界，所述边界由所述平坦衬底的所述边界区域形成。所述叠层设置有机械保护材料，所述机械保护材料被配置成在选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域的步骤期间以机械的方式保护所述边界区域。
用于制造隔膜组件方法

[发明专利]光刻方法和设备-CN201880086167.0有效
发明人： A·B·杰尤恩克;拜尔拉克·摩艾斯特;E·H·E·C·奥姆梅伦;H·P·T·托尔斯马 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：一种光刻设备，包括：支撑结构(MT)，所述支撑结构被构造成支撑掩模(MA)和相关联的表膜(P)，所述掩模能够在辐射束的横截面中向所述辐射束赋予图案以形成经图案化的辐射束(PB)；和投影系统(PS)，所述投影系统被配置成将所述经图案化的辐射束投影到衬底(W)的目标部分上，其中，壁在所述支撑结构与所述投影系统之间延伸，所述壁包括允许所述经图案化的辐射束从所述掩模和表膜传递至所述投影系统的开口(22)，并且其中所述壁设置有压力传感器(30)的二维阵列。
光刻方法设备

[发明专利]曝光用防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置及曝光用防护膜的制造方法-CN202180027875.9有效
发明人：小野阳介;石川比佐子;小川亮平;大久保敦;高村一夫;关口贵子;加藤雄一;山田健郎;周英 -专利权人：三井化学株式会社;国立研究开发法人产业技术综合研究所
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：一种曝光用防护膜，其包含碳纳米管膜，碳纳米管膜含有碳纳米管，碳纳米管膜在波长13.5nm时的EUV光的透射率为80％以上，碳纳米管膜的厚度为1nm以上50nm以下，将碳纳米管膜配置于硅基板上，对于配置后的碳纳米管膜，使用反射分光膜厚度计，以下述条件测定反射率时，反射率的3σ为15％以下。＜条件＞测定点的直径：20μm，基准测定波长：波长285nm，测定点数：121点，相邻的测定点的中心点间距离：40μm。
曝光防护组件原版装置制造方法

[发明专利]防尘薄膜组件框架把持装置及防尘薄膜组件框架把持方法-CN201980009593.9有效
发明人：米泽良;佐藤敬行;及川昴 -专利权人：株式会社 V 技术
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：提供一种防尘薄膜组件框架把持装置及防尘薄膜组件框架把持方法，能够对防尘薄膜组件可靠地粘贴于掩模的情况进行确认。使用设置于框体(10)的防尘薄膜组件把持部(20)来把持防尘薄膜组件框架(101)，使防尘薄膜组件的粘接构件与掩模抵接。将计测部(30)配置于前端附近与掩模重叠的第一位置以测定至掩模的表面的距离即第一距离，使计测部(30)向前端附近与防尘薄膜组件框架(101)重叠的第二位置移动以测定至防尘薄膜(102)的距离即第二距离。
防尘薄膜组件框架把持装置方法

[发明专利]防护膜及其组件和组件框体、组件制造方法、曝光原版、曝光装置、半导体装置的制造方法-CN202310651908.8在审
发明人：小野阳介;大久保敦;高村一夫;关口贵子;加藤雄一;山田健郎 -专利权人：三井化学株式会社;国立研究开发法人产业技术综合研究所
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：本发明提供EUV透射性进一步高的防护膜及其组件和组件框体、以及组件制造方法。此外，提供能够以此进行高精度的EUV光刻的、曝光原版、曝光装置和半导体装置的制造方法。本发明的防护膜是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜，上述防护膜的厚度为200nm以下，上述防护膜包含碳纳米管片，上述碳纳米管片具备由多个碳纳米管形成的捆，上述捆的直径为100nm以下，上述捆在上述碳纳米管片中进行面内取向，上述防护膜的碳纳米管片的膜厚方向的峰强度与碳纳米管片的面内方向的峰强度之比RB为0.40以上。
防护及其组件制造方法曝光原版装置半导体

[发明专利]防护膜及其组件和组件框体、组件制造方法、曝光原版、曝光装置、半导体装置的制造方法-CN202310652861.7在审
发明人：小野阳介;大久保敦;高村一夫;关口贵子;加藤雄一;山田健郎 -专利权人：三井化学株式会社;国立研究开发法人产业技术综合研究所
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：本发明提供EUV透射性进一步高的防护膜及其组件和组件框体、以及组件制造方法。此外，提供能够以此进行高精度的EUV光刻的、曝光原版、曝光装置和半导体装置的制造方法。本发明的防护膜是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜，上述防护膜的厚度为50nm以下，上述防护膜包含碳纳米管片，上述碳纳米管片具备由多个碳纳米管形成的捆，上述捆的直径为100nm以下，上述捆在上述碳纳米管片中进行面内取向，上述碳纳米管片具有面内取向的所述捆彼此缠绕的网状结构，该网状结构具有基于以特定观察倍率拍摄的特定范围的SEM图像或AFM图像观察到的、3根以上的捆缠绕而连结的捆的连结点。
防护及其组件制造方法曝光原版装置半导体

[发明专利]防护膜及其组件和组件框体、组件制造方法、曝光原版、曝光装置、半导体装置的制造方法-CN202310652312.X在审
发明人：小野阳介;大久保敦;高村一夫;关口贵子;加藤雄一;山田健郎 -专利权人：三井化学株式会社;国立研究开发法人产业技术综合研究所
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：本发明提供EUV透射性进一步高的防护膜及其组件和组件框体、以及组件制造方法。此外，提供能够以此进行高精度的EUV光刻的曝光原版、曝光装置和半导体装置的制造方法。本发明的防护膜是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜，上述防护膜的厚度为200nm以下，上述防护膜包含碳纳米管片，上述碳纳米管片具备由多个碳纳米管形成的捆，上述捆的直径为100nm以下，上述捆在上述碳纳米管片中进行面内取向，上述防护膜的碳纳米管片的膜厚方向的峰强度与碳纳米管片的面内方向的峰强度之比RB为0.40以上，上述防护膜具有50％以上的透射率。
防护及其组件制造方法曝光原版装置半导体

[发明专利]光掩模坯料的设计和光掩模坯料-CN202010110602.8有效
发明人：笹本纮平;金子英雄;稻月判臣;深谷创一 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：提供设计包含透明基材和其上的光学膜的光掩模坯料的方法。所述光掩模坯料被加工成具有光学膜图案的透射性光掩模使得在通过光掩模透射曝光光时可转印该膜图案。使用比反射率作为指标来选择该光学膜，该比反射率等于反射率除以膜厚度。
光掩模坯料设计

[发明专利]防尘薄膜组件的制造方法-CN201780053409.1有效
发明人：奥秀彦;秀一郎 -专利权人：爱沃特株式会社
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：本发明提供一种防尘薄膜组件的制造方法，能够实现制造工序的简化。防尘薄膜组件的制造方法具备以下工序：在Si基板(21)的下表面(21a)形成SiC膜(11)；在所述SiC膜的下表面(11a)粘接含有贯通孔的支承件(12)；以及在粘接所述支承件的工序之后，除去所述Si基板。
防尘薄膜组件制造方法

[发明专利]光刻版及其制造方法-CN202310471360.9在审
发明人：李伟峰;王雷 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻版及其制造方法，其中，所述光刻版包括基板、设置于所述基板的表面的光刻版图形以及设置于所述基板上的保护层，所述保护层覆盖所述基板中设置有所述光刻版图形的区域，且所述保护层的透光率为95％～100％。本发明通过形成直接覆盖基板和光刻版图形的保护层，减少了保护层的破损风险，增强了保护层的耐用性，同时减少或避免了光刻版图形生长结晶缺陷，延长了光刻版的使用次数和时间周期，节约了生产成本。进一步地，所述保护层的厚度大于所述光刻版图形的厚度，进一步减少了保护层的破损风险，增强了保护层的耐用性。进一步地，所述保护层的表面平坦，提高了所述光刻版传递图像信息时的清晰度。
光刻及其制造方法

[发明专利]用于光掩模的表膜、包括其的掩模版、和用于光刻的曝光设备-CN201711188432.X有效
发明人：申铉振;宋伣在;李珉贤;赵连柱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：提供用于光掩模的表膜、包括其的掩模版、和用于光刻的曝光设备。所述表膜可包括表膜膜片和钝化部件。所述表膜膜片可包括具有缺陷的基于碳的材料。所述钝化部件可覆盖所述基于碳的材料的缺陷。所述钝化部件可包括无机材料。所述钝化部件可设置在所述表膜膜片的一个或两个表面上。所述用于光掩模的表膜可应用于极紫外(EUV)光刻。
用于光掩模包括模版光刻曝光设备

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