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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010361178.4在审
发明人：周震 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：该方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层内形成若干平行排列的长条状第一图形；在所述第一掩膜层上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层内形成若干平行排列的长条状第二图形；在所述第二掩膜层上形成第三掩膜层，所述第三掩膜层内形成若干平行排列的长条状第三图形，其中，所述第二图形与所述第三图形交叠，所述第二图形与所述第三图形用于在预定位置分割所述第一图形；以所述第一掩膜层、所述第二掩膜层和所述第三掩膜层作为掩膜，逐层刻蚀至所述衬底，将所述第一图形、所述第二图形和第三图形传递至所述衬底内，形成若干阵列排布的分立有源区。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202210843703.5在审
发明人：盛薄辉 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：提供基底，基底具有相邻接的第一区和第二区；在第一区和第二区上形成初始第一掩膜层，初始第一掩膜层开始发生交联反应的起始温度为第一温度；在初始第一掩膜层远离基底的一侧形成初始第二掩膜层，初始第二掩膜层开始发生交联反应的起始温度为第二温度，第二温度低于第一温度，初始第二掩膜层交联反应温度区间宽于初始第一掩膜层交联反应温度区间；对初始第一掩膜层和初始第二掩膜层进行加热，初始第一掩膜层处于流动状态的持续时间大于初始第二掩膜层处于流动状态的持续时间本公开实施例至少有利于在简化半导体结构的制备工艺的同时，提高掩膜层的厚度均匀性。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]形成图案的方法和使用该方法制造半导体装置的方法-CN201911080316.5在审
发明人：李明东;崔民洙;安浚赫;韩成熙;洪世罗 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：在目标层上形成第一掩膜层和第二掩膜层。图案化第二掩膜层以形成第二掩膜图案，每个第二掩膜图案具有菱形形状，菱形形状具有第一对角线和第二对角线。通过蚀刻对第二掩膜图案执行修整处理以形成第二掩膜。每个第二掩膜图案的相对的第一顶点的第一部分比每个第二掩膜图案的相对的第二顶点的第二部分蚀刻得更多。相对的第一顶点之间的第一对角线的长度大于相对的第二顶点之间的第二对角线的长度。通过使用第二掩膜作为蚀刻掩膜蚀刻第一掩膜层，来图案化第一掩膜层以形成第一掩膜。通过使用第一掩膜作为蚀刻掩膜蚀刻目标层，来图案化目标层以形成目标图案。
形成图案方法使用制造半导体装置

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202111408621.X在审
发明人：刘中元 -专利权人：中芯南方集成电路制造有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法：提供衬底；在衬底上形成栅极结构、源漏掺杂区和第一介质层；在第一介质层上形成第二介质层；在第二介质层上形成掩膜结构，包括第一掩膜层、位于第一掩膜层顶部的第二掩膜层以及位于第一掩膜层和第二掩膜层侧壁的第三掩膜层，第一掩膜层分别与第二掩膜层和第三掩膜层的材料不同；以掩膜结构为掩膜刻蚀第二介质层形成平行排列的第一凹槽，使部分第二介质层形成隔离结构，隔离结构沿垂直于第一凹槽延伸方向贯穿第一凹槽；去除掩膜结构，在栅极结构上的第二介质层内或隔离结构内形成第二凹槽；在第一凹槽内形成与源漏掺杂区电连接的第一金属层，在第二凹槽内形成与栅极结构电连接的第二金属层。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201611110266.7有效
发明人：林静 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成栅极结构膜；在所述栅极结构膜上形成图形化的掩膜结构，所述图形化的掩膜结构包括第一掩膜层和位于第一掩膜层上的第二掩膜层，所述第一掩膜层包括第一材料层；以所述图形化的掩膜结构为掩膜刻蚀栅极结构膜，在所述基底上形成栅极结构，所述刻蚀工艺对第一材料层的刻蚀速率小于对所述第二掩膜层的刻蚀速率；在所述栅极结构的侧壁形成侧墙。
半导体器件形成方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201310077551.3在审
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-03-11 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：所述方法包括：步骤S101.在待刻蚀膜层上形成包括第一部分掩膜图案的图形化的第一硬掩膜层；步骤S102.在所述第一部分掩膜图案之间形成包括第二部分掩膜图案的图形化的第二硬掩膜层。该方法通过先形成包括第一部分掩膜图案的图形化的第一硬掩膜层，再在第一掩膜图案之间形成包括第二部分掩膜的图形化的第二硬掩膜层的方式，形成了包括图形化的第一硬掩膜层和图形化的第二硬掩膜层的用于刻蚀待刻蚀膜层的掩膜；相对于现有技术中的其他双重图形技术，可以形成更好的掩膜图案形貌，提高半导体器件的良率。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]光掩膜基板胶膜层及铬膜层的返工方法-CN201410388945.5在审
发明人：徐根;周志刚;陈社城 -专利权人：湖南普照信息材料有限公司;湖南电子信息产业集团有限公司
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： G03F1/82 文献下载
摘要：本发明提供一种光掩膜基板胶膜层及铬膜层的返工方法。所述光掩膜基板胶膜层的返工方法包括：将待返工的光掩膜基板置于质量百分比为4％～10％的氢氧化钠溶液中浸泡多次，去除所述光掩膜基板的胶膜层；用纯水漂洗已去除胶膜层的光掩膜基板；用异丙醇胺溶液漂洗经纯水漂洗后的光掩膜基板所述光掩膜基板铬膜层的返工方法包括：将待返工的光掩膜基板置于质量百分比为4％～10％的氢氧化钠溶液中浸泡多次，去除所述光掩膜基板的胶膜层；用纯水漂洗已去除胶膜层的光掩膜基板；将所述光掩膜基板放入设定配比的硝酸铈铵和纯水的混合溶液中浸泡，去除所述光掩膜基板的铬膜层。
光掩膜基板胶膜铬膜层返工方法

[发明专利]半导体器件及半导体器件的制备方法-CN201911134775.7在审
发明人：刘志拯 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及半导体器件的制备方法，半导体器件的制备方法包括：提供待刻蚀层；于待刻蚀层上形成图形化的第一掩膜层；于待刻蚀层上形成图形化的第二掩膜层，第二掩膜层和第一掩膜层共同定义出开口，开口暴露待刻蚀层；以第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜，刻蚀待刻蚀层，以形成待刻蚀图形。上述半导体器件的制备方法使得在器件特征尺寸相同的情况下，第一掩膜层和第二掩膜层的特征尺寸变大，而且为器件特征尺寸的进一步缩小成为可能，还能提高器件的良率，节约成本。
半导体器件制备方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910155808.X有效
发明人：金吉松;肖芳元;胡友存 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，方法包括：在第一区的第二掩膜层中形成第一槽；之后，在第二掩膜层上和第一槽部分区域上形成第一光刻掩膜层，第一光刻掩膜层中具有位于第一槽部分区域上的第一光刻开口，第一光刻开口还在第一方向延伸至第二区上；以第一光刻掩膜层和第二掩膜层为掩膜，在第一区的部分第一掩膜层中注入掺杂离子，在第一区的部分第一掩膜层中形成分割掺杂层，分割掺杂层在第二方向上分割第一槽底部的第一掩膜层；之后，去除第一光刻掩膜层；之后，刻蚀第一槽底部的第一掩膜层，在第一区的第一掩膜层中形成第一中间槽，所述分割掺杂层在第二方向上分割第一中间槽，第二方向与第一方向垂直。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种自对准双重图形成像方法-CN201510218532.7有效
发明人：张利斌;韦亚一 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种自对准双重图形成像方法，包括提供衬底，所述衬底上依次形成有待刻蚀层、第一掩膜层、第二掩膜层、第一光罩层；提供第一掩膜版和第二掩膜版，第一掩膜版提供关键图形，第二掩膜版提供非关键图形；分别利用第一掩膜版和第二掩膜版对第一光罩层进行光刻；进行刻蚀，形成第一次图形于第二掩膜层，并去除第一光罩层；在第一次图形周围形成侧墙，去除第一次图形；以侧墙为掩膜进行刻蚀，在第一掩膜层中形成第一掩膜层图形，去除侧墙，对其进行修正，获得第二次图形；进行刻蚀将第二次图形转移到待刻蚀层上，并去除第一掩膜层。
一种对准双重图形成像方法

[发明专利]形成CMOS器件应力膜的方法-CN200910198583.2有效
发明人：韩秋华;黄敬勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-11-10 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成CMOS器件应力膜的方法，依次包括下列步骤：提供半导体结构，其包括CMOS器件、拉伸应力膜、硬掩膜层和光掩膜图形；利用所述光掩膜图形做掩膜，去除所述PMOS晶体管对应的硬掩膜层；利用所述光掩膜图形做掩膜，去除所述PMOS晶体管上的部分厚度的拉伸应力膜；去除所述光掩膜图形；利用所述NMOS晶体管对应的硬掩膜层做掩膜，去除所述PMOS晶体管上剩余的所述拉伸应力膜；形成压缩应力膜及光掩膜图形；去除NMOS晶体管上的压缩应力膜；去除硬掩膜层和压缩应力膜上的光掩膜图形。本发明在形成CMOS晶体管应力膜时，减少对NMOS晶体管或PMOS晶体管上的应力膜造成的损伤。
形成 cmos 器件应力方法

[实用新型]内设掩膜层的感光干膜-CN202022416098.2有效
发明人：杨与胜;黄巍辉;张超华 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种内设掩膜层的感光干膜，它包括保护膜、感光层和掩膜层；所述保护膜覆盖于感光层的一侧表面，所述掩膜层覆盖于感光层的另一侧表面，掩膜层表面印制有特定的掩膜图案，掩膜图案采用遮光颜料印制，图案区域遮挡本实用新型的目的在于提供一种内设掩膜层的感光干膜，其将柔性掩膜集成于感光干膜内，实现曝光设备简化，提高生产节拍，优化了精细图案的图案转移效果。本实用新型的优点在于：本实用新型将柔性掩膜版集成于感光干膜中，替代光学承载膜层，曝光时无需曝光掩膜，曝光机无需设置真空吸附系统，使曝光机更加简洁，减少了曝光工艺的节拍，增加曝光设备的产能。
内设掩膜层感光

[发明专利]图形片及半导体中间产物-CN202010306855.2有效
发明人：谢秋实;史小平;周清军;李东三;王春;张轶铭 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开一种图形片及半导体中间产物，图形片包括自上而下依次层叠设置的第一掩膜层、第二掩膜层、介质层和衬底层，第一掩膜层为光刻胶层；第一掩膜层具有第一图形孔，第一图形孔沿第一掩膜层的厚度方向贯穿第一掩膜层，第一掩膜层的厚度为d1，第二掩膜层的厚度为d2，介质层的厚度为d4，衬底层与第一掩膜层的选择比为S1，衬底层与第二掩膜层的选择比为S2，介质层与第一掩膜层的选择比为S3，介质层与第二掩膜层的选择比为S4，第二掩膜层与第一掩膜层的选择比为S5；其中，d1·S5＞d2，且d2≥(d1－d4/S3)·S2/S1+d4/S4；或者，d1·S5＝d2，且d2＞(d1－d4/S3)·S2/S1+d4/S4。
图形半导体中间产物

[发明专利]蒸镀用掩膜板、制备方法、OLED显示基板及显示装置-CN201910106060.4在审
发明人：冯鸣筠 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明属于显示技术领域，具体涉及一种蒸镀用掩膜板、制备方法、OLED显示基板及显示装置。该蒸镀用掩膜板包括掩膜板本体及设置于掩膜板本体上的绝缘膜层，掩膜板本体上开设若干第一开口，绝缘膜层包括若干预设开口，预设开口在掩膜板本体上的正投影落入第一开口内，掩膜板本体与绝缘膜层可分离设置，本发明中掩膜板本体与绝缘膜层可分离设置，在张网工序中，本发明中的蒸镀用掩膜板可先对掩膜板本体进行张网，再将绝缘膜层粘附于掩膜板本体上，从而避免因掩膜板本体与绝缘膜层两者泊松系数的不同所导致的拉伸量不同，最终避免了第一开口与预设开口之间的错位现象
掩膜板绝缘膜层开口蒸镀基板及显示装置可分离设置预设张网制备错位现象拉伸量正投影粘附干预

[发明专利]一种金属掩膜版及其制作方法-CN201610855271.4在审
发明人：王国兵 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属掩膜版及其制作方法。所述金属掩膜版的制作方法包括提供一金属基板；在所述金属基板上形成图形化的介质层；在所述金属基板以及所述介质层上形成掩膜材料层；去除所述介质层以及所述介质层上的所述掩膜材料层；以及分离所述金属基板与剩余的所述掩膜材料层,以利用剩余的所述掩膜材料层构成所述金属掩膜版。本发明实施例提供的技术方案，省去了现有技术中的湿法刻蚀工艺，避免了湿法刻蚀工艺导致的金属掩膜版精度低的问题，达到了提高金属掩膜版精度的有益效果。
一种金属掩膜版及其制作方法

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