“李明机”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果77个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]半导体结构-CN202222446645.0有效
发明人：赖彦锟;吴逸文;张国钦;蔡柏豪;李明机 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体结构。半导体裸片可以包括位于内连线级介电材料层内的金属内连线结构、位于最顶部内连线级介电材料层上的接合垫、位于最顶部内连线级介电材料层上的介电钝化层以及延伸穿过介电钝化层且位于接合垫上的金属凸块结构。每个金属凸块结构包括具轮廓的底面，此底面包括与接合垫的相应一者的顶面接触的最底面段、与穿过介电钝化层的相应开口的锥形侧壁接触的锥形表面段以及覆盖介电钝化层且具有从外周缘横向向内偏移一横向偏移距离的环形表面段，横向偏移距离为接合垫的相应下方一者的宽度的至少8％。
半导体结构

[发明专利]封装结构及其形成方法-CN202210806346.5在审
发明人：陈冠宏;许鸿生;蔡柏豪;李明机 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了一种封装结构及其形成方法，该方法包括：形成多个介电层；形成包括多个金属层的密封环的下部，每个金属层延伸到多个介电层之一中；在多个介电层上方沉积第一钝化层；在第一钝化层中形成开口；在开口中形成通孔环并物理接触密封环的下部；以及在第一钝化层上方形成金属环并接合至通孔环。通孔环和金属环形成密封环的上部。金属环包括具有Z字形图案的第一边缘部分。该方法还包括在金属环上形成第二钝化层，并且执行切割工艺以形成器件管芯，其中密封环靠近器件管芯的边缘。
封装结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置结构的形成方法-CN202210943802.0在审
发明人：杨挺立;吕文雄;毛隆凯;刘富维;李明机 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：提供半导体装置结构的形成方法。方法包括提供芯片结构，其包括基板与布线结构位于基板的第一表面上。方法包括移除布线结构与孔洞相邻的第一部分，以加宽布线结构中的孔洞的第二部分。第二部分在远离基板的第一方向中的第一宽度逐渐增加。方法包括形成第一晶种层于布线结构上与孔洞中。方法包括自基板的第二表面薄化基板，直到露出孔洞中的第一晶种层。方法包括形成第二晶种层于基板的第二表面与孔洞中的第一晶种层上。
半导体装置结构形成方法

[发明专利]半导体封装结构及其形成方法-CN202210943803.5在审
发明人：蔡柏豪;林威宏;郑明达;李明机 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种半导体封装结构及其形成方法，半导体封装结构包括通过核心基板形成的多个第一通孔结构。所述结构也包括嵌入核心基板中且位于第一通孔结构之间的中介层。中介层包括通过中介层基板形成的多个第二通孔结构。所述结构也包括形成在核心基板之上的第一重分布层结构。所述结构也包括形成在核心基板之下的第二重分布层结构。所述结构也包括形成在中介层的侧壁与核心基板的侧壁之间的第一密封层。
半导体封装结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN202210811825.6在审
发明人：赖彦锟;吴逸文;张国钦;蔡柏豪;李明机 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了半导体器件和制造半导体器件的方法，制造半导体器件的方法包括：在顶部再分布结构上方沉积第一钝化层，顶部再分布结构位于半导体管芯上方；在第一钝化层上方沉积第二钝化层；形成穿过第二钝化层的第一开口，第一开口具有垂直于第一钝化层的侧壁；将第一开口再成形为第二开口，其中，第二开口具有相对于第一钝化层的喇叭形侧壁；形成穿过第一钝化层的第三开口，其中，第三开口具有与喇叭形侧壁不同的斜率；以及用导电材料填充第二开口和第三开口。
半导体器件制造方法

[发明专利]封装结构及其形成方法-CN202210049757.4在审
发明人：林威宏;黄晖闵;薛长荣;江琬瑜;郑明达;李明机 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：提供一种封装结构及其形成方法。该方法包括：提供具有多个第一管芯与多个第二管芯于其中的第一封装体；进行第一切割工艺，以将所述第一封装体切割为多个第二封装体，其中所述多个第二封装体中的一者包括三个第一管芯与一个第二管芯；以及进行第二切割工艺，移除所述多个第二封装体中的所述一者中的所述第二管芯，使得经切割的第二封装体形成为大于或等于5的角的多边形结构。
封装结构及其形成方法

[发明专利]半导体管芯-CN202210037155.7在审
发明人：赖彦锟;许桀豪;涂伟祥;张国钦;李明机 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：半导体管芯包括半导体基底、内连结构以及导电凸块。内连结构设置在半导体基底上且电性连接到半导体基底。内连结构包括堆叠的多个内连层。堆叠的多个内连层的每一个包括介电层及嵌置在介电层中的内连布线。堆叠的多个内连层中的第一内连层的内连布线还包括第一通孔及多个第二通孔。第一通孔电性连接到第一内连层的内连布线。多个第二通孔连接到第一内连层的内连布线，且第一通孔及多个第二通孔位在相同的水平高度上。导电凸块设置在内连结构上。导电凸块包括基部部分及连接到基部部分的突出部分，且基部部分位在突出部分及第一通孔之间。
半导体管芯

[发明专利]半导体组件-CN202111197717.6在审
发明人：许桀豪;赖彦锟;涂伟祥;刘浩君;张国钦;李明机 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种半导体组件，其包括半导体管芯、第一导电垫、第二导电垫、第一连接件结构和第二连接件结构。第一导电垫设置在半导体管芯上，其中第一导电垫具有第一侧向尺寸。第二导电垫设置在半导体管芯上，其中第二导电垫具有第二侧向尺寸。第一连接件结构设置在第一导电垫上，其中第一连接件结构具有大于第一侧向尺寸的第三侧向尺寸。第二连接件结构设置在第二导电垫上，其中第二连接件结构的第四侧向尺寸小于第二侧向尺寸。
半导体组件

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201911211799.8有效
发明人：薛长荣;颜晨恩;康金玮;詹凯钧;林威宏;林政仁;郑明达;陈清晖;李明机 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：形成半导体器件的方法包括在衬底上沉积多个层，图案化位于多个层上面的第一掩模，以及使用第一掩模对多个层实施第一蚀刻工艺。该方法还包括沿着第一掩模的侧壁和多个层的侧壁形成聚合物材料，以及去除聚合物材料。该方法还包括使用剩余的第一掩模对多个层实施第二蚀刻工艺，其中，在第二蚀刻工艺终止之后，多个层的组合侧壁轮廓包括第一部分和第二部分，并且第一部分的第一角度和第二部分的第二角度彼此不同。本发明的实施例还涉及半导体器件。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构和形成半导体结构的方法-CN202210064658.3在审
发明人：陈承先;许国经;林威宏;黄晖闵;郑明达;李明机 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：公开了一种形成半导体结构的方法，包括形成重建封装衬底，包括将多个衬底块放置在载体上方；将所述多个衬底块密封在密封剂中；平坦化所述密封剂和所述多个衬底块以暴露位于所述多个衬底块中的再分布线；以及形成与所述多个衬底块和密封剂重叠的再分布结构；以及在所述重建封装衬底上方接合封装组件。本发明的实施例还涉及半导体结构以及另一种半导体结构。
半导体结构形成方法

[发明专利]集成电路结构和形成集成电路结构的方法-CN201910925482.4有效
发明人：郑明达;赵永清;曾俊凯;林政仁;康金玮;陈玉芬;李明机 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：形成集成电路结构的方法包括在金属焊盘上方形成图案化的钝化层，其中，金属焊盘的顶面通过图案化的钝化层中的第一开口露出，并且在图案化的钝化层上方施加聚合物层。聚合物层基本上不含N‑甲基‑2‑吡咯烷酮(NMP)，并且包括作为溶剂的脂族酰胺。该方法还包括对聚合物层执行曝光工艺，对聚合物层执行显影工艺以在聚合物层中形成第二开口，其中，金属焊盘的顶面暴露于第二开口，烘烤聚合物，并且形成具有延伸到第二开口中的通孔部分的导电区域。本发明的实施例还涉及集成电路结构。
集成电路结构形成方法

[发明专利]封装件及其形成方法-CN202210084582.0在审
发明人： 李明机;陈承先;毛隆凯;郑明达;吕文雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：方法包括：形成第一封装组件，该形成工艺包括：在第一介电层中形成第一多个开口；将第一金属材料沉积至第一多个开口中；对第一金属材料和第一介电层执行平坦化工艺，以在第一介电层中形成多个金属焊盘；以及在多个金属焊盘上选择性地沉积第二金属材料以形成多个接合焊盘。该第一多个接合焊盘包括多个金属焊盘以及第二金属材料的对应部分。该第一封装组件接合至第二封装组件。本申请的实施例还涉及封装件及其形成方法。
封装及其形成方法

[发明专利]用于CIS倒装芯片接合的互连结构及其形成方法-CN201810410146.1有效
发明人：余振华;陈永庆;李建勋;李明机 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-10-25 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了用于CIS倒装芯片接合的互连结构及其形成方法，其中一种器件包括位于图像传感器芯片表面的金属焊盘，其中图像传感器芯片包括图像传感器。柱状凸块设置在金属焊盘上方并且电连接至金属焊盘。柱状凸块包括凸块区域和连接至凸块区域的尾部区域。尾部区域包括基本垂直于金属焊盘的顶面的金属线部分。尾部区域足够短以支撑其自身来对抗地心引力。
用于 cis 倒装芯片接合互连结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201611055735.X有效
发明人：陈承先;黄育智;陈玉芬;潘国龙;郑余任;李明机;普翰屏;张纬森 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明实施例揭示一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包含：半导体衬底；导电垫，其位于所述半导体衬底上；及第一电介质，其位于所述半导体衬底上方。所述半导体装置还包含：导电层，其放置于所述第一电介质中；及第二电介质，其放置于所述导电层上。在所述半导体装置中，所述导电层的至少一部分从所述第一电介质及所述第二电介质暴露。所述半导体装置进一步包含导电迹线，所述导电迹线部分地位于所述第二电介质上方且与所述导电层的所述经暴露部分接触。在所述半导体装置中，所述导电迹线在一端处连接到所述导电垫。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202110378733.9在审
发明人：颜晨恩;康金玮;詹凯钧;吕文雄;林政仁;郑明达;李明机 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种半导体装置的形成方法，包括：提供基板；形成掩膜层于基板的表面之上，掩膜层具有开口位于表面的部分之上；沉积导电层于表面的部分及掩膜层之上；移除掩膜层及掩膜层之上的导电层，在移除掩膜层及掩膜层之上的导电层之后，在表面的部分之上余留的导电层形成导电垫，且导电垫的宽度朝着基板增加；以及通过焊料层接合装置至导电垫，导电垫埋藏于焊料层中。
半导体装置形成方法

1
2
3
4
5
6
下一页»
尾页
共 77 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top