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[发明专利]掩膜结构-CN201810941863.7有效
发明人：戚海平 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本公开提出一种掩膜结构，包括掩膜框架及固定于掩膜框架表面的对位掩膜板。其中，掩膜框架的表面开设有槽孔。槽孔的孔口设有盖片，盖片封闭槽孔且与对位掩膜板相贴合。对位掩膜板在对应于槽孔孔口的第二贯通区域内开设有第二对位通孔和多个第二辅助通孔，第二对位通孔与第一对位通孔相贯通，各第二辅助通孔在盖片上的投影与各第一辅助通孔均不重叠。
膜结构

[发明专利]掩膜结构-CN202011467711.1有效
发明人：付佳;赵晶晶;王腾雨;郑小红;李静静 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种掩膜结构，包括：掩膜框架，包括围合形成有中空部的框架本体，框架本体具有相背的支撑面和背面，框架本体上开设有由支撑面向背面下沉的下沉部，下沉部具有与背面相交设置的斜面；对位掩膜板，设置于支撑面，对位掩膜板开设有间隔设置且分别与下沉部连通的对位孔以及辅助孔，其中，沿垂直于背面的第一方向，对位孔以及辅助孔的正投影均位于下沉部的正投影内且斜面的正投影覆盖对位孔的正投影设置。本发明实施例提供的掩膜结构，在清洗时，能够减少药液残留，保证蒸镀机对对位孔位置区的对位抓取精度，降低误抓风险。
膜结构

[实用新型]掩膜结构-CN201621265539.0有效
发明人：苏君海;龚建国;吴俊雄;冉应刚;杨颖;柯贤军;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： G03F1/64 文献下载
摘要：一种掩膜结构，包括框架、支撑架及掩膜板。框架具有中空结构，框架上开设有安装口。支撑架的侧边边缘与安装口的内侧壁焊接，支撑架容置于框架内，支撑架上开设有蒸镀避位孔。掩膜板分别贴附在框架及支撑架上，掩膜板设置有蒸镀图案区，蒸镀图案区与蒸镀避位孔对齐。上述掩膜结构的支撑架的侧边边缘与安装口的内侧壁焊接，支撑架容置于框架内，相对于传统的多支撑条和多遮挡条需要反复张拉焊接的支撑架，支撑架的制作工序较为简单，且支撑架的结构强度更高。此外，由于支撑架的侧边边缘与安装口的内侧壁焊接，能够减少甚至消除支撑架与框架连接处的凹凸结构，更利于贴附掩膜板，能够减少掩膜板和支撑架的翘起问题。
膜结构

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111594658.6在审
发明人：张恩宁;付宇鑫;赵秦亿;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底包括第一隔离区、器件区和第二隔离区，第一隔离区和第二隔离区宽度不同；在器件区上形成第一初始掩膜结构、若干第二掩膜结构和第三初始掩膜结构，第一初始掩膜结构与第一隔离区相邻，第三初始掩膜结构与第二隔离区相邻，若干第二掩膜结构位于第一初始掩膜结构和第三初始掩膜结构之间；进行若干次循环处理，以减小第一初始掩膜结构的宽度和第三初始掩膜结构的宽度的宽度差，形成第一掩膜结构和第三掩膜结构；以第一掩膜结构、若干第二掩膜结构和第三掩膜结构为掩膜，刻蚀第一隔离区、器件区和第二隔离区，形成衬底、以及位于衬底上的若干鳍部。从而，可形成电学特性均一、稳定的半导体结构。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201810183571.1有效
发明人：张海洋;陈卓凡 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有刻蚀停止层，在刻蚀停止层上方形成有第一掩膜结构，第一掩膜结构包括多个间隔分布的第一子掩膜结构，相邻第一子掩膜结构之间包括第一凹槽；形成充满第一凹槽的第二掩膜结构；刻蚀部分第二掩膜结构，以形成连接孔，连接孔的内壁包括与之相邻的两个第一子掩膜结构的部分侧壁；和填充连接孔，以形成第三掩膜结构。进而得到尺寸较小，结构更加规整的掩膜线段结构。
半导体器件形成方法

[发明专利]一种射频薄膜电容器的制备方法-CN202211653701.6在审
发明人：丁明建;杨俊锋;冯毅龙;罗育红 -专利权人：广州天极电子科技股份有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：所述方法包括：在衬底上制备一层光刻胶，并对所述光刻胶依次进行曝光和显影操作得到第一掩膜结构；在所述第一掩膜结构上溅射一层金层得到底电极掩膜结构；在所述底电极掩膜结构上沉积一层薄膜介质层得到介质层掩膜结构；在所述介质层掩膜结构上溅射一层金层，得到顶电极掩膜结构；在所述顶电极掩膜结构上制备一层光刻胶，并对所述顶电极掩膜结构上制备的光刻胶依次进行曝光和显影操作得到第二掩膜结构；对所述第二掩膜结构依次进行刻蚀
一种射频薄膜电容器制备方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202111632776.1在审
发明人：柯星;纪世良;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括基底和待刻蚀层，待刻蚀层包括第一区和第二区，第一区上具有若干第一初始掩膜结构、第二区上具有若干第二掩膜结构；在第二区上形成牺牲层；对第一初始掩膜结构进行刻蚀处理，形成第一掩膜结构；基于第一先进制程控制技术，在第一掩膜结构的侧壁和顶部表面、以及在第二掩膜结构的侧壁和顶部表面形成保护层；刻蚀待刻蚀层，在基底上形成若干图形化结构。第一先进制程控制技术能够同时对第一掩膜结构和第二掩膜结构的特征尺寸进行补偿，进而使得第二掩膜结构的特征尺寸也符合预设的特征尺寸，以此保证后续图形化传递的精确性，以提升晶圆生产良率和可靠性。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202210113709.7在审
发明人：李凤美;赵振阳;柯星;纪世良;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括基底和待刻蚀层，衬底包括第一区和第二区；在第一区上形成若干第一初始掩膜结构，在第二区上形成若干第二掩膜结构，初始第一掩膜结构具有第一宽度偏差尺寸，第二掩膜结构具有第二宽度偏差尺寸；在待刻蚀层上和第二掩膜结构上形成第一牺牲层；基于第一先进制程控制技术，对第一初始掩膜结构进行刻蚀处理形成第一掩膜结构，第一掩膜结构具有第二宽度尺寸和第三宽度偏差尺寸，且第三宽度偏差尺寸与第二宽度偏差尺寸相等利用第一先进制程控制技术进行算法优化，使得第三宽度偏差尺寸与第二宽度偏差尺寸相等，省去了额外形成牺牲层再将第一掩膜结构进行覆盖的制程步骤。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202210243381.0在审
发明人：赵振阳;张恩宁;付宇;纪世良 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底包括第一区和第二区且表面具有第一掩膜层；对第一掩膜层进行改性处理，在第一区上的第一掩膜层内形成若干改性区；在第二区上的第一掩膜层上形成若干第一掩膜结构；以若干第一掩膜结构和改性区为掩膜，刻蚀第一掩膜层，形成若干第二掩膜结构和若干第三掩膜结构；以第二掩膜结构图形化第二区，并以第三掩膜结构图形化第一区，在第一区形成若干第一鳍，在第二区形成若干第二鳍。所述方法提高了形成的半导体结构的性能和可靠性。
半导体结构形成方法

[发明专利]一种半导体器件的制作方法-CN202110291475.0有效
发明人：沈润生;鲍锡飞;朱长立 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：提供衬底；在衬底上形成叠层结构，叠层结构的顶部为盖层；在盖层上形成掩膜结构，掩膜结构包括由上至下依次堆叠的掩膜层和图形转移层；对掩膜结构进行第一刻蚀，以形成第一盲孔，第一盲孔贯穿掩膜结构且止于盖层中；对掩膜结构进行第二刻蚀，去除掩膜层，以平整图形转移层的顶面以及修整第一盲孔的底部。
一种半导体器件制作方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010963305.8在审
发明人：韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区和第二区；在第一区的衬底上形成第一掩膜结构；在第二区的衬底内形成第二鳍部材料层；在第二鳍部材料层上形成第二掩膜结构，第二掩膜结构与第一掩膜结构的材料不同；在第一掩膜结构和第二掩膜结构上形成若干分立排布的鳍部图形；以鳍部图形为掩膜，刻蚀第二掩膜结构和第二鳍部材料层，在第二区的衬底上形成第二鳍部；形成覆盖第二鳍部侧壁的保护层；以鳍部图形为掩膜，刻蚀第一掩膜结构和第一区的衬底本发明实施例提供的半导体结构的形成方法，能分别形成NMOS区和PMOS区上的鳍部，有利于提高半导体结构的性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]图案化方法和半导体结构的制备方法-CN202210048954.4在审
发明人：黄娟娟;白杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明涉及一种图案化方法和半导体结构的制备方法。该图案化方法包括：提供基底；于基底表面形成第一图形化掩膜层，第一图形化掩膜层包括多个沿第一方向延伸的第一掩膜结构，第一掩膜结构间隔排布；于第一图形化掩膜层上形成第一介质层，第一介质层填满第一掩膜结构之间的间隔区域且覆盖第一图形化掩膜层的上表面，刻蚀第一介质层，形成多个沿第二方向延伸的第二掩膜结构，第二掩膜结构间隔排布；第二方向与第一方向相交；选择性刻蚀第一掩膜结构和第二掩膜结构，以于基底表面形成网状掩膜层。上述图案化方法，可以对掩膜图案中的网孔密度实现加倍，降低工艺过程中的精度要求，步骤更加简化，工艺成本更低。
图案方法半导体结构制备

[发明专利]具有不对称结构的晶体管的形成方法-CN201510926288.X有效
发明人：张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-12-11 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有不对称结构的晶体管的形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底上具有第一半导体层和位于所述第一半导体层上的第二半导体层；形成覆盖部分所述第二半导体层的第一掩膜结构，在所述第一掩膜结构的第一侧形成第二掩膜结构；对所述第一掩膜结构和所述第二掩膜结构暴露出的第二半导体层进行刻蚀，直至暴露出所述第一半导体层的表面，剩余的第二半导体层构成衬垫层；在所述第一掩膜结构的与所述第一侧相对的第二侧形成侧墙结构；去除所述第二掩膜结构，在所述第一掩膜结构第一侧的衬垫层上形成漏极接触结构，在所述第一掩膜结构第二侧的第一半导体层上形成源极接触结构。本发明形成的具有不对称结构的晶体管的漏电流小。
具有不对称结构晶体管形成方法

[发明专利]用于制造转换元件的方法-CN201480034907.8有效
发明人： M.里希特;M.布格尔 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：一种用于制造转换元件的方法包括以下步骤：提供具有表面的衬底；在该表面上构造第一掩膜结构，其中第一掩膜结构具有第一桥接片和布置在第一桥接片之间的第一开口，其中第一开口形成空腔，在所述空腔中衬底的表面是可接近的；在第一掩膜结构上布置第二掩膜结构，其中第二掩膜结构具有第二桥接片和布置在第二桥接片之间的第二开口，其中第一桥接片至少部分地通过第二桥接片覆盖，其中空腔通过第二开口至少部分地保持可接近的；通过第二开口将材料喷射到空腔中；去除第二掩膜结构；和去除第一掩膜结构。
掩膜结构桥接片开口空腔转换元件衬底去除材料喷射制造覆盖

[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置-CN202111222802.3有效
发明人：薛大鹏;袁广才;宁策;胡合合;李正亮;王利忠;董水浪;姚念琦;王东方;赵磊;雷利平 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，氧化物薄膜晶体管的制作方法包括：在基板的一侧形成有源层；在有源层远离基板的一侧形成待形成源极和漏极的金属层；在金属层远离基板的一侧通过构图工艺形成第一掩膜结构；在形成有第一掩膜结构的基板上通过构图工艺形成第二掩膜结构；第一掩膜结构的形成位置和第二掩膜结构的形成位置之一位于待形成的源极的区域，另一位于待形成的漏极的区域；第一掩膜结构和第二掩膜结构位于同一层相互间隔预设距离设置，间隔的区域漏出金属层；刻蚀掉金属层未被第一掩膜结构和第二掩膜结构遮挡的部分，形成相互间隔预设距离保持绝缘的源极和漏极；源极和漏极之间的间距小于3μm。
氧化物薄膜晶体管及其制作方法阵列显示装置

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