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[发明专利]一种发光层含有纳米聚集体的晶态有机电致发光二极管及应用-CN202110097765.1有效
发明人： 闫东航;朱峰;杨景杰;刘奕君 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10K50/11 文献下载
摘要：本发明提供一种发光层含有纳米聚集体的晶态有机电致发光二极管及应用，属于发光二级管技术领域。解决了现有技术中结晶导致TADF材料发光性能降低的问题，本发明的晶态有机电致发光二极管，包括从下至上依次紧密排列的第一电极、诱导层、发光层和第二电极，其中诱导层为结晶性有机半导体；发光层包括纳米聚集体和晶态有机半导体薄膜，纳米聚集体位于发光层中晶态有机半导体薄膜的表面或者，部分或者全部位于晶态有机半导体薄膜内部；发光层中晶态有机半导体的晶格和诱导层中晶态有机半导体的晶格间存在外延关系和/或取向关系。该发光二极管的电性能良好，且性能稳定，不易衰减，可广泛用于显示、照明和激光领域。
一种发光含有纳米聚集体晶态有机电致发光二极管应用

[发明专利]一种含有晶态固溶体作为发光层的有机电致发光二极管及应用-CN202110097760.9有效
发明人： 闫东航;朱峰;孙珮富 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10K85/60 文献下载
摘要：本发明提供一种含有晶态固溶体作为发光层的有机电致发光二极管及应用，属于发光二级管技术领域。解决了现有技术中单一材料构成的晶体薄膜无法满足高性能OLED器件需求的技术问题。本发明的一种含有固溶体薄膜作为发光层的有机电致发光二极管，包括从下至上依次紧密排列的第一电极、诱导层、发光层和第二电极，其中诱导层为晶态有机半导体薄膜；发光层中的有机半导体全部或者部分为晶态固溶体结构；晶态固溶体晶体晶格和诱导层中晶体晶格间存在外延关系和/或取向关系。该发光二极管的电性能良好，电子/空穴传输平衡，稳定性提高，可广泛用于显示、照明和激光领域。
一种含有晶态固溶体作为发光有机电致发光二极管应用

[发明专利]晶态有机电致发光二极管及其应用-CN201810218296.2有效
发明人： 闫东航;杨心孝;刘丽;辛建会 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶态有机电致发光二极管及其应用，属于发光二级管技术领域。解决了现有技术中有机电致发光二极管稳定性差，性能易衰减的技术问题。本发明的晶态有机电致发光二极管，包括从下至上依次紧密排列的第一电极、诱导层、发光层和第二电极，其中诱导层为结晶性有机半导体，且晶体结构中的分子有序排列，π‑π排列方向平行于基板；发光层中的有机半导体部分或者全部为晶体结构，且晶体结构中分子π‑π排列方向平行于基板；发光层中晶体晶格和诱导层中晶体晶格间存在外延关系和(或)取向关系。该发光二极管的电性能良好，且性能稳定，不易衰减，可广泛用于显示、照明和激光领域。
有机电致发光二极管晶体结构发光层诱导层有机半导体晶体晶格排列方向基板晶态衰减平行发光二极管发光二级管第二电极第一电极激光领域紧密排列取向关系外延关系电性能结晶性种晶应用

[发明专利]有机半导体微纳米晶阵列、制法及其在光伏电池中的应用-CN201110068457.2有效
发明人： 闫东航;于波;陈为超 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供了有机半导体微纳米晶阵列、制法及其在光伏电池中的应用。利用不同种类的有机半导体分子间相互作用能不同，在真空沉积时，相同种类的分子容易相互吸引并形成为微纳米晶。OVPD方法利用载气运输微纳米晶分子，直接在小于50℃的衬底上沉积形成纳米晶。本发明的有机半导体微纳米晶阵列制法优点是真空沉积，工艺简单，构成阵列的微纳米晶尺寸和分布可调控，使得含有微纳米晶阵列的有机光伏电池性能提高。本发明提供的含有有机半导体微纳米晶阵列的有机光伏电池提高了器件对入射光的吸收以及器件中载流子的传输效率，提高光伏电池的短路电流和填充因子，使器件的能量转换效率从1.5％提高至3.0％。
有机半导体纳米阵列制法及其电池中的应用

[发明专利]气敏层含有机异质结的有机半导体气体传感器-CN201110073330.X有效
发明人： 闫东航;王秀锦;纪世良 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2011-03-25 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： G01N27/60 文献下载
摘要：本发明提供的气敏层含有机异质结的有机半导体气体传感器，其是利用两种有机半导体材料间发生电荷转移形成异质结，改变薄膜表面的氧化还原电势，从而提高传感器对敏感气体的响应，本发明提供的气敏层含有机异质结的有机半导体气体传感器室温条件下敏感性高，气敏层厚度小，有效的缩短了器件的响应/回复时间，并且利用真空沉积方法一次性完成器件的制备，不需要退火等后续工艺，简化了器件的制备过程；本发明提供的气敏层含有机异质结的有机半导体气体传感器可以检测体积分数为百万分之五的NO2气体，并且响应/回复均可以在10分钟内完成。
气敏层含有机异质结有机半导体气体传感器

[发明专利]用于非平面酞菁薄膜弱外延生长的固熔体诱导层-CN201010605569.2有效
发明人： 闫东航;耿延候;田洪坤;黄丽珍;申剑锋;郭晓东 -专利权人：上海中科联和显示技术有限公司
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于非平面酞菁弱外延生长薄膜的固熔体诱导层以及在该固熔体诱导层上弱外延生长形成的非平面酞菁薄膜及包含该非平面酞菁薄膜的有机薄膜晶体管。固熔体诱导层是由通式I和II所示种的任意两种诱导层分子：(通式I)(通式II)在一定的衬底温度下采用共蒸镀的分子气相沉积方法制成。该固熔体诱导层具有均一结构，其晶胞参数和能级通过调节组分比例进行调控，该固熔体诱导层可弱外延生长高质量的非平面酞菁薄膜以及形成基于此薄膜的高性能晶体管器件。
用于平面薄膜外延生长固熔体诱导

[发明专利]一种气敏层采用弱外延有机半导体薄膜气体传感器-CN201110073530.5无效
发明人： 闫东航;王秀锦;纪世良 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2011-03-25 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： G01N27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种气敏层采用弱外延有机半导体薄膜的气体传感器，利用弱外延生长的有机半导体单晶薄膜在单分子层厚度时依然保持较高的电导率的特点，采用厚度仅为几个纳米的弱外延生长的有机半导体薄膜作为气敏层，可以有效减少敏感气体进出薄膜的路径，克服现有有机半导体气体传感器中气敏层多为多晶或非晶薄膜，电导率低，厚度通常在几百甚至上千纳米，敏感气体进出薄膜路径长，器件响应/回复时间长的缺点。本发明提供的有机半导体气体传感器在室温条件下即可以检测体积分数为百万分之五二氧化氮气体，并且响应/回复时间不大于5分钟。
一种气敏层采用外延有机半导体薄膜气体传感器

[发明专利]一种叠层有机发光二极管及其制备方法-CN201110122255.1无效
发明人：马东阁;陈永华;闫东航;王利祥 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2011-05-12 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种叠层有机发光二极管将在所述发光二极管的第一电极和第二电极之间至少设置有第一发光单元和第二发光单元，以及一个连接相邻发光单元的电荷产生层。使用了两个以上发光单元的发光二极管亮度和电流效率增加，而发光单元之间的电荷产生层由p型有机半导体和n型有机半导体组成，电荷产生层能够释放大量载流子，显著地降低了叠层有机发光二极管的工作电压，从而提高了叠层有机发光二极管的功率效率。
一种有机发光二极管及其制备方法

[发明专利]叠层有机发光二极管及其制备方法-CN201110002142.8无效
发明人：马东阁;陈永华;田洪坤;耿延侯;闫东航;王利祥 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2011-01-06 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种叠层有机发光二极管及其制备方法，本发明制备的叠层有机发光二极管以n型有机半导体和p型有机半导体形成的异质结为电荷产生层，所述p型有机半导体为噻吩类化合物，所述p型有机半导体的最高占据分子轨道能级小于6eV，所述p型有机半导体的最高占据分子轨道能级与所述n型有机半导体的最低未占据分子轨道能级之差小于1eV。与现有技术中的电荷产生层相比，本发明采用的电荷产生层能够产生大量的电荷，从而使制备的叠层有机发光二极管在亮度和电流效率增加的同时，工作电压得到减低，从而提高了叠层有机发光二极管功率效率。实验结果表明，本发明制备的绿光荧光叠层有机发光二极管的功率效率为22lm/W。
有机发光二极管及其制备方法

[发明专利]可直接光写入图案化的有机薄膜晶体管绝缘层材料-CN201010030843.8无效
发明人：崔占臣;张学辉;史作森;闫东航;王磊 -专利权人：吉林大学
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： C08L75/14 文献下载
摘要：本发明属于有机薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种可作为有机薄膜晶体管绝缘层材料并可以直接光写入图案化的有机-无机杂化材料，该杂化材料在紫外波200～400nm范围内曝光后形成图案化的绝缘层。在该杂化材料中，有机部分为既含有光敏基团又含有硅氧烷结构的聚氨酯，无机部分为钛酸四丁酯与硅氧烷或锆酸四丁酯与硅氧烷的水解产物，无机部分的质量为有机部分质量的10％～70％。测试结果表明该杂化材料应用在晶体管绝缘层时具有场效应，晶体管的开关比为104，迁移率为0.08cm2Ns，基本接近非晶硅的水平。
直接写入图案有机薄膜晶体管绝缘材料

[发明专利]一种有机太阳能电池-CN200910067082.0无效
发明人： 闫东航;于波;黄丽珍;陈为超;乔小兰 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2009-06-08 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供一种有机太阳能电池。在光滑的导电衬底表面生长形成大尺寸连续的p-型有机半导体多晶薄膜用作诱导层，利用不同分子晶体晶格间弱外延作用，在诱导层表面生长高品质的p-型有机半导体层，并在此基础上制备有机太阳能电池。本发明克服了传统方法中高温沉积薄膜粗糙度增加以及形成针孔导致器件短路的缺点，使器件性能大幅提高，能量转换效率达到2.31-4.51％。OVPD方法利用载气运输纳米晶分子，直接在低温电极上沉积形成纳米晶。本发明的方法是采用真空沉积方法，不需要载气。
一种有机太阳能电池

[发明专利]给体采用弱外延生长薄膜的有机太阳能电池-CN200910067006.X无效
发明人： 闫东航;于波;黄丽珍;陈为超;乔小兰 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2009-05-25 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及给体采用弱外延生长薄膜的有机太阳能电池。在光滑的导电衬底表面生长形成大尺寸连续的p-型有机半导体多晶薄膜用作诱导层，诱导层的价带能级与导电衬底功函数差值小于0.3eV，有利于空穴电荷的有效传输。利用不同分子间相互作用，在诱导层表面弱外延生长高品质的p-型有机半导体层，在此基础上制备有机太阳能电池。本发明克服了传统方法中高温沉积薄膜粗糙度增加以及形成针孔导致器件短路的缺点，使器件性能大幅提高，能量转换效率达到3％以上。OVPD方法利用载气运输纳米晶分子，直接在低温电极上沉积形成纳米晶。本发明的方法是采用真空沉积方法，不需要载气。
采用外延生长薄膜有机太阳能电池

[发明专利]基于有机半导体异质结电荷产生层作为连接层的叠层有机电致发光器件及制法-CN200810051690.8有效
发明人：马东阁;陈永华;王利祥;闫东航 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2008-12-29 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供了基于有机半导体异质结电荷产生层作为连接层的叠层有机电致发光器件及制法。该器件两端的阳极和阴极至少有一个是透明的，在阳极和阴极之间有多个有机发光单元，这些有机发光单元从阳极到阴极逐一堆叠，在任意的两个发光单元之间是基于有机半导体异质结电荷产生层，采用该电荷产生层简化了有机电致发光器件的制作工艺，器件的驱动电压大幅度降低，器件的功率效率显著提高。在叠层器件中，有机半导体异质结电荷产生层具有很好的光的透过率，在可见光部分透过率在75％-95％之间，叠层有机电致发光器件的驱动电压小于单元有机电致发光器件工作电压之和的30％，叠层器件的功率效率至少是单元有机电致发光器件的1.5倍。
基于有机半导体异质结电荷产生作为连接有机电致发光器件制法

[发明专利]三层复合膜绝缘栅的有机薄膜晶体管及其制备方法-CN200810050657.3无效
发明人： 闫东航;李春红;王贺;王植源 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2008-04-28 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及三层复合膜绝缘栅的有机薄膜晶体管，包括衬底(1)，金属电极(2)，有机半导体(6)层，源/漏电极(7)；还包括：低介电常数聚合物层(3)，高介电常数氧化物层(4)，低介电常数聚合物层(5)，所述的(3)、(4)和(5)层构成三层复合膜绝缘栅。该低介电常数聚合物层具有光照交联性质，便于器件的集成加工。该结构的三层复合膜绝缘栅避免高介电常数的氧化物绝缘膜与金属电极(2)直接接触，阻断了金属电极(2)向高介电常数氧化物层的电子注入，降低了在负电压区有机薄膜晶体管的回滞；同时降低了高介电常数氧化物层的分压，降低了在正电压区晶体管的回滞。从而降低了有机薄膜晶体管的回滞效应，显著改善了有机薄膜晶体管的工作稳定性。
三层复合绝缘有机薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]盘状分子有机半导体构成的有机超晶格材料及其制备方法-CN200710193552.9无效
发明人： 闫东航;朱峰;娄坤;王海波 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2007-12-17 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明涉及盘状分子有机半导体构成的有机超晶格材料及制备方法。在基板(1)上气相沉积诱导层(2)，在诱导层(2)上弱取向外延生长k周期m分子层厚第一有机半导体层(3)和n分子层厚第二有机半导体层(4)构成；其中，由m分子层厚第一有机半导体层(3)和n分子层厚第二有机半导体层(4)顺次连接构成了盘装分子有机半导体构成的有机超晶格材料的1个周期；1≤m≤10，1≤n≤10，2≤k≤100。本发明采用气相沉积方法交替生长半导体层，半导体层之间没有化学反应，制备每层半导体前不需要引入新化学成份的预处理步骤，薄膜制备过程中也没有化学反应产物排出。
分子有机半导体构成有机晶格材料及其制备方法

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