专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]光伏焊带及光伏组件-CN202320069570.0有效
  • 请求不公布姓名 - 苏州联诺太阳能科技有限公司
  • 2023-01-10 - 2023-09-19 - H01L31/05
  • 本申请公开了一种光伏焊带及光伏组件,涉及太阳能电池技术领域。一种光伏焊带,所述光伏焊带用于使多个太阳能电池片之间实现相连,所述太阳能电池片上具有第一区域和第二区域,所述第一区域设于所述第二区域的外侧,且靠近所述太阳能电池片的边缘;所述光伏焊带包括第一焊带和第二焊带,所述第一区域内设有所述第一焊带,所述第二区域内设有所述第二焊带,所述第一焊带的横截面积大于所述第二焊带的横截面积。本申请可以解决当前采用相同规格的焊带进行电流的传导,无法适应不同区域位置需要传导不同电流的问题,通过设置不同规格的焊带,可以提高电池片边缘区域的导电能力,有利于提高电池片对光的吸收,从而提升光伏组件的性能。
  • 光伏焊带组件
  • [发明专利]全固态电池组件的制备方法及全固态电池组件-CN202211633620.X在审
  • 请求不公布姓名 - 苏州联诺太阳能科技有限公司
  • 2022-12-19 - 2023-05-23 - H01M10/052
  • 本申请公开了一种全固态电池组件的制备方法及全固态电池组件,属于二次电池技术领域。一种全固态电池组件的制备方法,包括:提供第一临时基底,通过沉积的方式在第一临时基底表面依次沉积正极材料层、固态电解质层、负极材料层和负极集流体;在负极集流体背离负极材料层的一侧表面制备第二临时基底;将第一临时基底与正极材料层进行剥离,以第二临时基底作为沉积基底,在正极材料层背离固态电解质层的一侧表面沉积正极集流体,得到第一全固态电池;以第二临时基底作为沉积基底,在第一全固态电池上制备第二全固态电池;多次重复上述步骤,将第二临时基底进行剥离,得到全固态电池组件。本发明可以简化制备工艺,降低设备成本。
  • 固态电池组件制备方法
  • [发明专利]全固态电池及其制备方法-CN202211632926.3在审
  • 请求不公布姓名 - 苏州联诺太阳能科技有限公司
  • 2022-12-19 - 2023-04-04 - H01M10/052
  • 本申请公开了一种全固态电池及其制备方法,属于二次电池技术领域。一种全固态电池的制备方法,所述方法包括:提供临时基底,通过沉积的方式在所述临时基底表面沉积正极材料层;将所述临时基底和所述正极材料层进行剥离,获得剥离后的正极材料层;以剥离后的正极材料层作为沉积基底,利用沉积的方式,在正极材料层的一侧表面依次生成固态电解质层、负极材料层和负极集流体,在正极材料层的另一侧表面生成正极集流体,得到全固态电池。一种全固态电池,由所述全固态电池的制备方法制备得到。本发明可以简化电池的制备工艺,减少不同设备的混用,降低制造成本。
  • 固态电池及其制备方法
  • [发明专利]一种适用于HIT电池的ITO膜的制备方法-CN202011607412.3有效
  • 请求不公布姓名 - 苏州联诺太阳能科技有限公司
  • 2020-12-30 - 2023-03-31 - C23C16/02
  • 本发明公开了一种适用于HIT电池的ITO膜的制备方法,属于镀膜工艺技术领域。本发明的方法为:先对硅片进行处理得到处理硅片,具体地,先对硅片进行制绒和清洗得到制绒后的n型单晶硅片;再采用化学气相沉积法对制绒后的n型单晶硅片的表面进行沉积得到处理硅片;然后利用第一离子源对处理硅片进行预处理;之后利用溅射电源和第二离子源对预处理后的处理硅片进行镀膜得到镀膜硅片,最后利用第三离子源对镀膜硅片进行处理。本发明克服了现有技术中ITO镀膜效率低且质量较差的不足,提供了一种适用于HIT电池的ITO膜的制备方法,通过离子源可以提高ITO膜的镀膜速度,并且可以提高ITO膜的晶化率,进而提高了ITO膜的镀膜质量。
  • 一种适用于hit电池ito制备方法
  • [发明专利]切片电池的制备方法、切片电池及光伏组件-CN202010882764.3有效
  • 请求不公布姓名 - 苏州联诺太阳能科技有限公司
  • 2020-08-28 - 2023-03-24 - H01L31/20
  • 本申请提供一种切片电池的制备方法、切片电池及光伏组件,包括:提供硅片;切割硅片,得到多个分离的具有预设尺寸的子硅片;以子硅片为基底制作切片电池。上述切片电池的制备方法,提前将硅衬底切割成多个分离的子硅片,并分别以各子硅片为基底来制备切片电池,可避免后续“掰”片或裂片对切片电池造成的二次损伤,从而提升切片电池的良品率,并提高电池的光电转换效率。除此之外,通过上述方法可在降低电池损伤的同时,降低高主栅切片电池的制备难度和制备成本,实现高主栅切片电池的批量化生产。
  • 切片电池制备方法组件
  • [发明专利]一种超低水透光伏组件封装结构及制备方法-CN202210955212.X在审
  • 李伟;郑静;燕建明 - 苏州联诺太阳能科技有限公司
  • 2022-08-10 - 2022-10-21 - H01L31/048
  • 本发明提供了一种超低水透光伏组件封装结构及制备方法,涉及光伏技术领域,能够采用丁基胶实现对光伏组件的超低水透密封性封装,提高效率、延长使用寿命;该结构包括上下层玻璃、上下层胶膜、电池串组成的层结构、丁基胶、边框;丁基胶呈半框状密封性包设在层结构外周;层结构的外边缘插设在边框内并通过丁基胶实现粘接;制备方法包括:S1、将上层玻璃、上层胶膜、电池串、下层胶膜、背板依次叠置,并通过高温层压工艺制备成层结构;S2、将特定量的丁基胶置于边框内,并加热熔化;S3、将层结构边沿插入边框中,施加一定压力,使丁基胶溶液均匀包覆在层结构的端面和上下表面;S4、重复直至层结构与四周所有边框的封装。
  • 一种超低水透光组件封装结构制备方法
  • [发明专利]一种切片电池的制备方法及激光设备-CN202110341831.5有效
  • 不公告发明人 - 苏州联诺太阳能科技有限公司
  • 2021-03-30 - 2022-09-20 - H01L31/18
  • 本公开实施例提供了一种切片电池的制备方法及激光设备,属于太阳能电池技术领域。该切片电池的制备方法包括划片处理步骤和光注入处理步骤,所述光注入处理步骤和所述划片处理步骤在同一台激光设备的不同腔室或相同腔室完成。通过使用同一台激光设备对电池片进行划片处理和光注入处理,避免在对电池片进行两个不同处理时将其移动至不同的设备平台,从而提高切片电池的制备效率,并且可以减少设备占地,且采用先划片后光注入的制备顺序,划片处理后的电池片的表面具有切面,相比于现有技术中先光注入后划片的制备顺序,可以使得切面处具有钝化效果或在完成光注入的同时加强切面处的钝化效果,降低切片电池总效率的损失。
  • 一种切片电池制备方法激光设备
  • [发明专利]一种异质结电池制备方法-CN201910990752.X有效
  • 不公告发明人 - 苏州联诺太阳能科技有限公司
  • 2019-10-18 - 2022-07-12 - H01L31/20
  • 本发明公开了一种异质结电池制备方法,异质结电池包括依次顺序设置的栅电极、透明导电层、n型非晶硅层、本征非晶硅层、单晶硅基底、本征非晶硅层、p型非晶硅层、透明导电层及栅电极,制备方法包括:在单晶硅基底的一端面上进行本征非晶硅层的镀膜工艺,翻片,在和单晶硅基底的一端面相对设置的另一端面上进行本征非晶硅层的镀膜工艺,进行n型非晶硅层的镀膜工艺,翻片,进行p型非晶硅层的镀膜工艺。该制备方法可降低掺杂的n或者p型材料污染另外一面没有镀本征非晶硅层的硅片的表面;而且,可更好地匹配各薄膜层镀膜时的工艺温度,从而提升异质结电池的性能。
  • 一种异质结电池制备方法
  • [发明专利]一种异质结电池制备方法-CN201911418127.4有效
  • 不公告发明人 - 苏州联诺太阳能科技有限公司
  • 2019-12-31 - 2022-02-08 - H01L31/20
  • 本发明公开了一种异质结电池制备方法,异质结电池包括依次顺序设置的栅电极、透明导电层、n型非晶硅层、本征非晶硅层、单晶硅基底、本征非晶硅层、p型非晶硅层、透明导电层及栅电极,制备方法包括:在进行所述透明导电层的镀膜工艺之前,对所述异质结电池的半成品所处环境进行水汽管控,使所述异质结电池的半成品所处环境中的水汽含量控制在4E‑9mbar~6E‑9mbar范围内。该异质结电池制备方法在进行透明导电层的镀膜工艺之前通过进行水汽管控,使得形成的透明导电层的方阻降低,稳定性提升,波动减少;并使得最终形成的异质结电池的转换效率提高,填充因子增加,同时降低了串联电阻值。
  • 一种异质结电池制备方法
  • [发明专利]一种电池制备方法、电池、电池组件及太阳能供电站-CN201910444279.5有效
  • 不公告发明人 - 苏州联诺太阳能科技有限公司
  • 2019-05-27 - 2021-12-10 - H01L31/20
  • 本发明公开了一种电池制备方法、电池、电池组组件及太阳能供电站,电池为多层结构,电池包括单晶硅基底、本征非晶硅层、p型非晶层、n型非晶硅层、透明导电层以及设置在透明导电层上的栅电极,在单晶硅基底、本征非晶硅层、p型非晶层、n型非晶硅层、透明导电层以及栅电极各层中的至少一层上沉积额外的薄膜层。该电池制备方法是在电池制备过程中,通过在形成异质结电池的单晶硅基底、本征非晶硅层、p型非晶层、n型非晶硅层、透明导电层以及栅电极各层中的至少一层上沉积额外的薄膜层,通过沉积的薄膜层可对异质结电池的该层结构进行保护,并改善异质结电池的钝化效果、降低接触电阻,从而提升电池的光电转化效率。
  • 一种电池制备方法组件太阳能供电站
  • [发明专利]一种太阳能电池片的制备方法-CN202110285073.X在审
  • 不公告发明人 - 苏州联诺太阳能科技有限公司
  • 2021-03-17 - 2021-06-04 - H01L31/18
  • 本发明公开了一种太阳能电池片的制备方法,属于硅片处理工艺技术领域。本发明的方法包括对硅片进行预清洗处理和/或腐蚀处理得到处理硅片;之后利用扩散炉对处理硅片进行吸杂退火处理得到二次处理硅片;而后利用第一腐蚀液对二次处理硅片进行处理得到除杂硅片,之后对除杂硅片进行成片处理得到太阳能电池片。本发明克服了现有技术中,适用于太阳能电池的硅片中含有杂质,导致太阳能电池片性能较低的问题,提供了一种太阳能电池片的制备方法,可以去除硅片中的杂质,从而可以提高太阳能电池片的利用率,进一步可以提高太阳能电池的性能。
  • 一种太阳能电池制备方法

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