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[发明专利]存储器的制作方法及存储器-CN202110371860.6在审
发明人：于业笑 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器的制作方法及存储器，涉及存储设备技术领域，用于解决存储器的存储速度和存储效率较低的技术问题，该存储器的制作方法包括：提供衬底，衬底的核心区内设置有字线；在衬底上形成介质层，蚀刻介质层，形成暴露字线的第一填充孔；在第一填充孔孔壁形成阻挡层，位于第一填充孔内的阻挡层围设成第一中间孔，第一中间孔暴露出字线；对暴露于第一中间孔内的字线进行蚀刻处理，去除字线上的第一残留物；在第一中间孔内形成第一导线，第一导线电连接字线。通过阻挡层对第一填充孔的孔壁进行保护，可以充分刻蚀第一残留物，从而减少第一导线与字线之间的接触电阻，提高存储器的性能。
存储器制作方法

[发明专利]存储器单元、半导体器件及其形成方法-CN202110184564.5在审
发明人：吕俊颉;杨世海;杨柏峰;林佑明;张志宇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L27/11585 文献下载
摘要：该薄膜晶体管包含：接触字线的铁电(FE)材料，该FE材料为含铪化合物，铪化合物包含稀土金属；以及接触源极线和位线的氧化物半导体(OS)层，其中，FE材料设置在OS层和字线之间。
存储器单元半导体器件及其形成方法

[发明专利]垂直存储结构-CN202110811285.7在审
发明人：赖二琨;龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本公开有关于一种垂直存储结构，存储装置实现于垂直存储结构中，包含交替的绝缘材料层与字线材料层的叠层，具有设置为通过叠层的包含交替的导电柱与绝缘柱的柱体组。数据存储结构设置于绝缘柱与字线材料层的交叉点上的字线材料层的内表面上。半导体通道材料设置于绝缘柱与数据存储结构之间且位于绝缘柱与字线材料层的交叉点上。半导体通道材料绕着绝缘柱的外表面延伸，在两侧接触相邻导电柱以提供源极/漏极端子。
垂直存储结构

[发明专利]具有三维单元结构的半导体器件及其制造方法-CN202110661935.4在审
发明人：韩在贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：根据本公开的一个方面的半导体器件包括衬底、设置在衬底上方以在垂直于衬底表面的第一方向上彼此间隔开的多个字线结构。多个字线结构中的每一个在平行于衬底表面的第二方向上延伸。另外，半导体器件包括：开关层，其设置在衬底上以接触多个字线结构的侧表面；以及位线结构，其设置在衬底上以在第一方向上延伸并接触开关层的表面。开关层被配置为执行阈值开关操作，并且具有可变的可编程阈值电压。
具有三维单元结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]DRAM阵列版图及DRAM存储器-CN201910944762.X在审
发明人：周震 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：DRAM阵列版图包括平行排列沿第一方向延伸的字线图形，平行排列沿第二方向延伸的位线图形，第一方向与第二方向不平行；第一存储单元接触垫图形和第二存储单元接触垫图形，第一存储单元接触垫图形和第二存储单元接触垫图形分别位于位线图形的两侧，第一存储单元接触垫图形和第二存储单元接触垫图形分别与字线图形具有部分重合区；平行排列沿第三方向延伸的有源区图形，有源区图形的两端分别与第一存储单元接触垫图形和第二存储单元接触垫图形具有部分重合区。本发明提供的DRAM阵列版图设计，在相同存储单元面积下具有更大的字线间距，能更好地适用于下一代存储器制造技术。
dram 阵列版图存储器

[实用新型]DRAM阵列版图及DRAM存储器-CN201921673538.3有效
发明人：周震 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：DRAM阵列版图包括平行排列沿第一方向延伸的字线图形，平行排列沿第二方向延伸的位线图形，第一方向与第二方向不平行；第一存储单元接触垫图形和第二存储单元接触垫图形，第一存储单元接触垫图形和第二存储单元接触垫图形分别位于位线图形的两侧，第一存储单元接触垫图形和第二存储单元接触垫图形分别与字线图形具有部分重合区；平行排列沿第三方向延伸的有源区图形，有源区图形的两端分别与第一存储单元接触垫图形和第二存储单元接触垫图形具有部分重合区。本实用新型提供的DRAM阵列版图设计，在相同存储单元面积下具有更大的字线间距，能更好地适用于下一代存储器制造技术。
dram 阵列版图存储器

[发明专利]分栅式闪存器件的制造方法-CN202110088507.7在审
发明人：周海洋 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明提供一种分栅式闪存器件的制造方法，通过使控制栅材料层的顶面与所述字线的顶面平齐，然后，在所述控制栅材料层及所述字线上形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行曝光和显影工艺，以形成图形化的光刻胶层，由于控制栅材料层的顶面与所述字线的顶面平齐，由此，可以避免光刻胶残留在所述字线与所述控制栅材料层之间；以图形化的光刻胶层为掩膜，依次刻蚀暴露出的控制栅材料层和浮栅材料层，以形成控制栅层和浮栅层；去除所述图形化的光刻胶层，暴露出所述控制栅材料层的顶面和所述字线的顶面，形成金属硅化物，所述金属硅化物覆盖所述控制栅材料层的顶面与所述字线的顶面，由此，所述金属硅化物的存在可以降低控制栅层的接触电阻。
分栅式闪存器件制造方法

[实用新型]一种用于接触式尺寸测量机的激光十字定位装置-CN202020437606.2有效
发明人：边增远;毛慧凤;李岩;韩萌;李禄源;高东明;赵博;田牧楠;赵梓含;瑶池;于菲;付兴国 -专利权人：吉林省产品质量监督检验院（吉林省农产品认证中心）
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： G01C15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于接触式尺寸测量机的激光十字定位装置，该装置包括工作台、滑架、第一一字线激光发生器、第二一字线激光发生器、加速度传感器、红外传感器和控制器，所述第一一字线激光发生器横向设置在滑架的一端、第二一字线激光发生器竖向设置在滑架的另一端，所述加速度传感器固定在第一一字线激光发生器上，所述红外传感器固定在第二一字线激光发生器的正前方。
一种用于接触尺寸测量激光十字定位装置

[发明专利]NOR闪存单元的制作方法及NOR闪存单元-CN201310390806.1在审
发明人：许毅胜;熊涛;于法波;吴楠;冯骏 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了一种NOR闪存单元的制作方法，NOR闪存单元包含存储部分和外围电路部分，存储部分包含存储单元和位于存储单元一边的字线引出端，其特征在于，制作方法包含：在基板上形成氧化物-氮化物-氧化物（ONO）叠层、控制栅层和停止层；图案化字线引出端处的停止层以露出部分控制栅层；在露出的控制栅层上形成金属硅化物层；在停止层和金属硅化物层上形成介质层；在介质层中形成接触孔；在接触孔中形成金属互联以连接金属硅化物层和字线本发明的NOR闪存单元的制作方法及NOR闪存单元通过在的控制栅层和金属互联之间形成一层金属硅化物层，减小了字线的电阻，提高了NOR闪存单元的运行速度。
nor 闪存单元制作方法

[发明专利]存储器件-CN201811381430.7在审
发明人：郑智贤;朴哉炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：第一单元块和第二单元块中的每个包括：在第一方向上延伸的字线，该第一方向平行于基板的顶表面；连接到字线在第一方向上的中心点的字线接触；在第二方向上延伸的位线，该第二方向平行于基板的顶表面并与第一方向交叉；连接到位线在第二方向上的中心点的位线接触；以及在字线和位线之间的存储单元。
单元块基板存储器件字线方向平行顶表面中心点位线存储单元方向交叉位线接触字线接触偏移延伸

[发明专利]存储器结构及其形成方法-CN202210413548.3在审
发明人：李志国;徐杰;钱文生;倪立华 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：一种存储器结构及其形成方法，包括：提供衬底，衬底包括接触区和单元区，接触区和单元区上具有初始浮栅层、初始控制栅层、以及初始第一介电层；在初始第一介电层上形成第一图形化层；基于第一图形化层进行图形化处理，在所述单元区上的初始浮栅层、初始控制栅层和初始第一介电层内形成沿第二方向排布的若干字线开口，以形成中间浮栅层、中间控制栅层和中间第一介电层；在若干字线开口内形成若干字线结构；在若干字线结构和中间第一介电层上形成第二图形化层
存储器结构及其形成方法

[发明专利]电阻转换存储器及其制造方法-CN200810202824.1有效
发明人：张挺;宋志棠;顾怡峰;刘波;封松林;陈邦明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2008-11-17 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明揭示一种电阻转换存储器及其制造方法，所述电阻转换存储器包括：基底、逻辑电路、字线、位线、若干分立的存储单元、隔离单元；通过扩散效应，使所述存储单元中存储材料的部分原子扩散到第一导电类型的半导体字线中，在接触界面形成对半导体字线的综合效应为第二导电类型的掺杂；经存储材料原子扩散掺杂形成的第二导电类型区域与第一导电类型半导体字线之间形成二极管，该二极管作为选通单元对上方的存储单元进行选通。电阻转换存储器所采用的存储材料在器件中具有多种功能，既作为高、低电阻转换的媒介材料，同时也是杂质材料，能通过扩散效应对与其接触的半导体进行掺杂，从而用简便的方法形成二极管作为逻辑单元选通存储器单元。
电阻转换存储器及其制造方法

[发明专利]存储器件的形成方法-CN202011536786.0有效
发明人：黄云龙;熊伟;张剑;陈华伦 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本申请公开了一种存储器件的形成方法，包括：提供一衬底，字线带状接触区的衬底中形成有STI结构，存储单元区和逻辑区的衬底上依次形成有栅氧层和浮栅多晶硅层，浮栅多晶硅层和STI结构上依次形成有第一隔离层和控制栅多晶硅层；对第一目标区域进行刻蚀，直至存储单元区和逻辑区的栅氧层暴露，字线带状接触区的STI结构暴露；依次沉积第一氧化层和第一硬掩模层；对第二目标区域进行刻蚀，在存储单元区形成第一沟槽，在字线带状接触区形成第二沟槽；在第一沟槽和第二沟槽内形成第二氧化层；依次沉积第二隔离层和第三氧化层，刻蚀打开第一沟槽和第二沟槽的中心区域；依次沉积字线多晶硅层、第四氧化层和第二硬掩模层；去除第一硬掩模层和第二硬掩模层。
存储器件形成方法

[发明专利]三维存储器及其制备方法-CN202110843902.1在审
发明人：张坤;周文犀;夏志良 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L27/11575 文献下载
摘要：叠层结构包括交替叠置的牺牲层和绝缘层；去除部分叠层结构，以保留叠层结构的、与支撑层的侧表面以及预设区域对应的部分；去除牺牲层以形成牺牲间隙；在牺牲间隙内填充导电材料以形成三维存储器的栅极层和与栅极层连通的字线接触根据该制备方法，可简化三维存储器的制备工艺，实现栅极层与字线接触的有效连通，并缩小栅极层的、与字线接触接触部分的面积，提高三维存储器的集成度及性能。
三维存储器及其制备方法

[发明专利]存储器装置-CN202211137851.1在审
发明人：李玟浚;金容锡;金炫哲;朴种万;禹东秀;李炅奂 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：所述存储器装置可以包括：基底；铁电场效应晶体管，设置在基底上；第一沟道，接触铁电场效应晶体管的栅极结构，并且在竖直方向上从铁电场效应晶体管的栅极结构延伸；选择字线，设置在第一沟道的一侧处；第一栅极介电层，设置在第一沟道与选择字线之间；以及单元字线，设置在第一沟道的顶部上。
存储器装置