|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 1747562个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [实用新型]一种半导体器件-CN201922203603.2有效
-
吴秉桓
-
长鑫存储技术有限公司
-
2019-12-10
-
2020-07-14
-
H01L27/108
- 包括：衬底，所述衬底上形成有存储单元阵列区，所述存储单元阵列区形成有间隔排布的字线沟槽；字线导电结构，字线导电结构包括字线接触部的字线导电结构和字线接触部之外的字线导电结构；其中，字线接触部的字线导电结构的厚度大于字线接触部之外的字线导电结构的厚度通过形成字线接触部的字线导电结构的厚度大于字线接触部之外的字线导电结构的厚度的字线导电结构，降低了字线接触结构中字线接触孔的开窗位置深度，减少了形成接触孔工艺制程中的工艺时间，降低了接触孔工艺制程中对接触孔开窗深度较浅的接触孔的侧壁的过度侵蚀，避免了接触孔异常引起的器件短路异常。
- 一种半导体器件
- [发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN201911257093.5在审
-
吴秉桓
-
长鑫存储技术有限公司
-
2019-12-10
-
2021-06-11
-
H01L27/108
- 包括：获取包括存储单元阵列区的衬底；形成字线沟槽；在字线沟槽内形成字线导电薄膜；在衬底表面形成光刻胶，光刻胶覆盖字线部的字线导电薄膜且露出字线接触部之外的字线导电薄膜；使得字线接触部的字线导电结构的厚度大于未被光刻胶覆盖的字线导电结构的厚度通过在衬底表面形成光刻胶，使得字线接触部的字线导电结构的厚度大于未被光刻胶覆盖的字线导电结构的厚度，从而降低了字线接触结构中字线接触孔的开窗位置深度，减少了形成接触孔工艺制程中的工艺时间，降低了接触孔工艺制程中对接触孔开窗深度较浅的接触孔的侧壁的过度侵蚀，避免了接触孔异常引起的器件短路异常。
- 一种半导体器件及其制作方法
- [发明专利]字线结构和半导体存储器-CN202010216024.6有效
-
刘志拯
-
长鑫存储技术有限公司
-
2020-03-25
-
2022-07-22
-
H01L23/538
- 本发明涉及一种字线结构和半导体存储器，字线结构包括第一字线阵列和第二字线阵列，第一字线阵列包括沿X方向延伸的多条第一字线，多条所述第一字线具有相同的长度，且沿Y方向对齐排列；第二字线阵列包括沿所述X方向延伸的多条第二字线，多条所述第二字线具有相同的长度，且沿所述Y方向对齐排列；其中，所述第一字线阵列与所述第二字线阵列在所述Y方向上不对齐，所述Y方向与所述X方向垂直。通过使所述第一字线阵列和所述第二字线阵列在所述Y方向上不对齐，为字线接触结构在水平面内提供了更大的设置空间，从而可以扩大字线接触结构的横截面面积，进而减小字线接触结构和相应字线之间的接触电阻，提高存储单元中开关的打开和关断速度
- 结构半导体存储器
- [发明专利]动态随机存取存储器装置与其制作方法-CN201010509283.4无效
-
沈载勋
-
沈载勋
-
2010-09-29
-
2011-07-20
-
H01L27/108
- 其中装置包含：数条彼此平行排列于一方向的字线、数条彼此平行且与字线交错的位线、数个存储单元，存储单元具有晶体管与电性连接晶体管的源极的电容，晶体管的栅极经字线接触点电性连接字线，晶体管的漏极经位线接触点电性连接位线连接字线的字线接触点与连接相邻字线的字线接触点交替排列，连接位线连接的位线接触点与连接相邻位线的位线接触点交替排列。两相邻存储单元中的晶体管的栅极电性连接相应的字线接触点，两相邻存储单元中的晶体管的漏极电性连接相应的位线接触点。两存储单元中与字线接触点电性连接的晶体管的漏极，经由每一不同的接触点而与每一不同的位线电性连接。
- 动态随机存取存储器装置与其制作方法
- [发明专利]半导体存储器件结构及其制作方法-CN201711440266.8在审
-
不公告发明人
-
睿力集成电路有限公司
-
2017-12-27
-
2018-05-04
-
H01L27/108
- 本发明提供一种半导体存储器件结构及其制作方法，存储器件结构包括半导体衬底、字线结构及接触结构，半导体衬底包括有源区及沟槽隔离结构，字线结构形成于所述导体衬底中与有源区交叉，任一字线结构的一端具有长端尾部，其另一端具有短端尾部，且相邻的两所述字线结构的长端尾部与短端尾部呈交错排布，接触结构形成于字线结构的长端尾部，以实现字线结构的电引出。本发明通过对字线沟槽的掩膜设计，制备出尾部呈长短错落排布的字线结构，不需要增大接触结构整体区域所占面积，便可增大接触结构的制作窗口，避免接触结构导致的相邻字线结构的短路。本发明不需要对字线结构的尾部做弯曲处理，降低了工艺复杂性并降低了接触结构的定位难度。
- 半导体存储器件结构及其制作方法
|
