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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202110919736.9在审
发明人：程明;李冉;孙正庆;金星 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：衬底；字线结构，字线结构在衬底上沿第一方向延伸且在第二方向间隔排布，第二方向与第一方向垂直；间隔结构，间隔结构位于字线结构上方，间隔结构包括第一间隔层和空气间隙，第一间隔层设置在间隔结构的底部，空气间隙设置在第一间隔层的上方，在第二方向上，空气间隙位于第一间隔层之间；以及，接触插塞，设置在间隔结构之间。在间隔结构中设置有第一间隔层和空气间隙，从而提高电容接触孔间的电阻，增加电容接触孔间的绝缘性能，减少寄生电容产生，同时增加电容接触孔间隔电阻有助于实现减小电容接触孔间隔尺寸，扩大电容接触孔尺寸，提高电容与有源区之间导通效果
半导体结构及其制备方法

[发明专利]半导体存储器件-CN201710610251.5有效
发明人：金莹做;金锡九 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：该半导体存储器件包括：单元阵列区域，所述单元阵列区域形成在基板上；字线接触区域；以及页面缓冲区域，所述页面缓冲区域经由多条位线联接到所述单元阵列区域，其中，所述多条位线中的至少一条具有朝向所述字线接触区域的弯曲结构根据实施方式，可减少由自然的单元插头弯曲现象引起的单元插头与接触插头之间的错位，从而提高半导体存储器件的操作可靠性。
半导体存储器件

[发明专利]存储装置-CN201110353443.5有效
发明人：宫田幸児;大塚渉 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-11-09 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：该存储装置包括晶体管阵列和多个存储元件，晶体管阵列包括：基板；多个平行的字线；多个平行的第一位线；位接触电极；节点接触电极，其设置在中间夹有位接触电极的两个相邻字线之中各字线的与位接触电极相反的一侧，且连接到扩散层，多个存储元件具有：下部电极，其连接到节点接触电极并相对各存储元件设置，下部电极的设置位置为，在与基板的表面平行的平面内，在靠近位接触电极的方向上从节点接触电极正上方偏移；存储层；多个平行的第二位线，其中，各第二位线叠加在与第一位线两侧处的节点接触电极相连接的下部电极上。
存储装置

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110431359.4在审
发明人：肖德元;郁梦康;苏星松;白卫平;平尔萱 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：半导体结构包括：基底；半导体位线，半导体位线位于基底上；半导体通道，半导体通道位于半导体位线表面，在沿基底指向半导体位线的方向上，半导体通道包括依次排列的第一掺杂区、沟道区以及第二掺杂区，第一掺杂区与半导体位线相接触，且半导体位线与半导体通道具有相同的半导体元素；字线，字线环绕沟道区设置；介质层，介质层位于半导体位线与字线之间，且还位于字线远离基底的一侧；电容结构，电容结构位于第二掺杂区远离沟道区的一侧，且电容结构与第二掺杂区相接触
半导体结构及其制造方法

[发明专利]带有减小的栅极电阻的字线驱动器器件及其制造方法-CN201010566035.3有效
发明人：陈炎辉;萧有呈;陈蓉萱;周绍禹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-11-23 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：第一导体是形成在基板上并且具有接触点的氧化区域上的栅极导体。第二导体与该接触点相连接，并且横跨该氧化区域的宽度进行延伸。该第二导体的电阻比该栅极导体的电阻低。第三导体是字线导体，该第二导体的线路不与该字线导体相交叉。
带有减小栅极电阻驱动器器件及其制造方法

[发明专利]半导体存储器装置-CN202211082798.X在审
发明人：卢仁浩;郭东华;文炅燉;李元锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：所述半导体存储器装置包括：基底，包括有源区域，有源区域具有第一杂质区域和第二杂质区域；字线，在基底的第一表面上，字线在第一方向上延伸；第一位线，在字线上，第一位线在与第一方向交叉的第二方向上延伸，并且第一位线连接到第一杂质区域；第一接触塞，在第一位线之间，第一接触塞分别连接到第二杂质区域；第二位线，在基底的第二表面上，第二位线电连接到第一杂质区域；以及第一电容器，在第一接触塞上。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN202210807591.8在审
发明人：李赞美;朴相郁;徐艺正;郑祥教 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括：堆叠结构，该堆叠结构包括交替重复地堆叠在半导体衬底上的字线和层间介电图案；半导体图案，分别设置在竖直相邻的字线之间；位线，从半导体衬底竖直延伸并接触半导体图案；封盖绝缘图案，设置在位线与字线之间半导体图案中每一个包括接触位线的第一源/漏区、直接接触存储元件中的一个存储元件的第二源/漏区、以及位于第一源/漏区与第二源/漏区之间的沟道区。第一源/漏区的最大宽度大于沟道区的宽度。
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]晶体管结构、动态随机存取存储器结构及其制造方法-CN200810149419.8有效
发明人：黄文魁 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2008-09-12 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：其埋入式位线位于晶体管结构下方的基底内，其字线是水平配置于栅极上方，其电容结构位于字线及栅极上方，经由一节点接触与上源/漏极电性连接。节点接触具有ㄇ形盖体状，并以ㄇ形盖体状的顶面与电容结构电性连接，及以ㄇ形盖体状的侧边底部与上源/漏极电性连接，字线通过节点接触ㄇ形盖体状的中空处。
晶体管结构动态随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]动态随机存取存储器元件-CN201710224324.7有效
发明人：蔡综颖;何建廷;魏铭德;冯立伟;王嫈乔 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开一种动态随机存取存储器元件，其特征在于包含一基底、二埋入式字线以及一位线接触插塞。基底包含一第一主动区，其中第一主动区沿着一第一方向延伸。埋入式字线设置于基底中且跨设第一主动区，其中二埋入式字线沿着一第二方向延伸。位线接触插塞设置于基底上且重叠二埋入式字线之间的第一主动区，其中一第一边、一第二边、一第三边以及一第四边围绕成位线接触插塞，且第一边平行第三边而沿着一第三方向延伸，第二边平行第四边而沿着一第四方向延伸，
埋入式字线方向延伸主动区基底位线接触插塞动态随机存取存储器元件方向平行平行四边跨设

[发明专利]位线接触结构及其形成方法、半导体结构和半导体器件-CN202110586341.1有效
发明人：刘浩 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本公开涉及一种位线接触结构及其形成方法、半导体结构和半导体器件，包括：提供基底；基底包括衬底、在衬底中间隔排布的浅沟槽隔离结构及并排分布于衬底中的多个字线结构，且字线结构的顶部均设置有第一钝化层；在第一钝化层表面形成掩膜层，并对掩膜层进行刻蚀，以多个第一掩膜块，相邻两个第一掩膜块之间均具有第一开口，且第一开口的横向尺寸沿第一方向逐渐减少；利用第一掩膜块对衬底和字线结构进行刻蚀，以在基底中形成位线接触孔，位线接触孔的横向尺寸沿第一方向逐渐减少；在位线接触孔内沉积第一导电层，以形成位线接触结构；所述第一方向由掩膜层指向第一钝化层。通过形成方法形成的位线接触结构，可以防止在位线接触孔中形成空洞。
接触结构及其形成方法半导体半导体器件

[发明专利]半导体存储器件-CN202210591218.3在审
发明人：金恩靓;金孝燮;崔宰福;安容奭;安濬爀;李基硕;李明东;崔允荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体存储器件，包括：器件隔离图案，在衬底上并限定第一有源部分；在第一有源部分上的第一存储节点焊盘；在衬底中并延伸跨过第一有源部分的字线；在第一存储节点焊盘上并跨越字线的位线；在位线的一侧上并与第一存储节点焊盘相邻的存储节点接触；以及在存储节点接触和第一存储节点焊盘之间的欧姆接触层。欧姆接触层的底表面被圆化。
半导体存储器件

[发明专利]半导体器件位线形成方法、半导体器件-CN201811184657.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括有源区、浅沟槽隔离结构、埋入式字线以及埋入式字线上方的凹槽；沉积隔离层，隔离层填充凹槽并覆盖半导体衬底的上表面；利用具有有源区图形的第一掩膜层选择性刻蚀隔离层，使凹槽内剩余的隔离层厚度小于凹槽的深度；沉积位线接触层，位线接触层填充隔离层的上表面沟槽；沉积位线导电层；利用具有位线图形的第二掩膜层选择性刻蚀位线导电层与位线接触层，第二掩膜层沿任一有源区的截面宽度大于有源区内两埋入式字线沿有源区的截面间距本公开可以增加位线接触的面积，降低接触电阻，提高存储单元的数据读写性能。
半导体器件线形成方

[发明专利]具有穿过堆叠体的外围接触通孔结构的多层级存储器器件及其制造方法-CN201780004961.1有效
发明人： J.于;Z.卢;小川裕之;D.毛;K.山口;S.T.李;李耀升;J.阿尔斯梅尔 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10B43/50 文献下载
摘要：可以采用最少附加处理步骤形成延伸穿过三维存储器器件的多个层级结构的去往外围器件的接触。可以与形成第一存储器开口同时地形成穿过第一层级结构的第一外围通孔腔。可以与形成字线接触通孔腔同时地形成穿过第二层级结构的第二外围通孔腔，该字线接触通孔腔延伸到第一和第二层级结构中的导电层的顶表面。在移除牺牲通孔填充结构之后，第一和第二外围通孔腔可以填充有导电材料，以与形成字线接触通孔结构同时地形成外围接触通孔结构。
具有穿过堆叠外围接触结构多层存储器器件及其制造方法

[发明专利]深沟式半导体装置的制造方法以及深沟式半导体装置-CN201510297120.7有效
发明人：杨大弘;连楠梓;魏安祺;张升原;陈光钊 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-06-03 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置的制造方法，包括：在一基板上形成交错的绝缘层以及导电层的起始堆叠、辨识用于起始堆叠的多个位线位置以及字线位置，其中包括一第一位线位置以及一第一字线位置、自起始堆叠形成第一位线位置中的位线的垂直排列此方法还包括通过形成一薄导电层于相对的侧壁的所选部分上，来形成一字线，相对的侧壁的所选部分位于第一字线位置中。在形成字线的步骤中还包括沉积邻近于各个薄导电层的导电材料，此沉积的导电材料直接与薄导电层接触。
深沟半导体装置制造方法以及

[发明专利]交叉点存储器单元、非易失性存储器阵列、读取存储器单元的方法、编程存储器单元的方法、写入到存储器单元及从存储器单元读取的方法，及计算机系统-CN201180009631.4有效
发明人：罗伊·E·米迪 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2011-01-31 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：在一个实施例中，交叉点存储器单元包含：字线，其沿第一方向延伸；位线，其沿不同于所述第一方向的第二方向延伸，所述位线与所述字线在彼此无物理接触的情况下交叉；及电容器，其形成于所述字线与所述位线之间此交叉所在处所述电容器包括经配置以防止DC电流从所述字线流动到所述位线及从所述位线流动到所述字线的电介质材料。
交叉点存储器单元非易失性存储器阵列读取方法编程写入计算机系统

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