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[发明专利]一种金刚石线锯切割单、多晶硅片的清洗方法-CN201810251789.6有效
发明人：刘爱军;陈永庆 -专利权人：江苏金晖光伏有限公司
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：该方法包括下列步骤：步骤一：酸洗液、碱煮液的准备，操作人员准备氢氟酸、硝酸、氢氧化钠以及纯水，留以待用；步骤二：硅料分选，操作人员把硅料分成A类硅料、B类硅料、C类硅料、D类硅料、E类硅料以及F类硅料，留以待用；步骤三：A类硅料酸洗；步骤四：B类硅料酸洗；步骤五：C类硅料酸洗；步骤六：D类硅料酸洗；步骤七：E类硅料酸洗；步骤八：F类硅料酸洗；步骤九：已清洗的硅料烘干。由于操作人员将硅料分成A类硅料、B类硅料、C类硅料、D类硅料、E类硅料和F类硅料，操作人员根据不同类型的硅料，选用不同的清洗方法，不仅清洗的更加干净，而且大大提高了清洗的效率。
一种金刚石切割多晶硅片清洗方法

[发明专利]一种将颜色有差异的硅料进行色选分离的方法-CN200810136658.X无效
发明人：胡动力 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2008-12-31 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： B07C5/342 文献下载
摘要：本发明涉及半导体及太阳能领域的一种硅料的分选方法，特别是一种将颜色有差异的硅料进行色选分离的方法，该方法特别应用于对混在一起的颜色有差异的重掺硅料与正常硅料进行分选。通过色选法将灰色的正常硅料与非灰色的重掺硅料分离。具体是将颜色有差异的硅料投入色选机中；色选；非灰色的重掺硅料落入重掺硅料出料斗，灰色的正常硅料落入正常硅料出料斗，实现非灰色的重掺硅料与灰色的正常硅料分离。所述的正常硅料对光的反射率为50％-80％，非灰色的重掺硅料对光的反射率为10％-30％。本发明实现了混在一起的颜色有差异的重掺硅料与正常硅料的分选的自动化。能高效率的取代传统的人工分选方法。
一种颜色差异进行分离方法

[发明专利]一种多晶硅破碎系统及方法-CN202310525062.3在审
发明人：刘逸枫;谢锋;黄文君;宋佳波;李川;辛安才;黄鹏;赵元果;李杰;李崎材;卓冬辰 -专利权人：四川永祥多晶硅有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅破碎系统及方法，涉及多晶硅破碎技术领域，多晶硅破碎系统，包括：料车，料车内盛放有硅棒；上料台，上料台位于料车旁；多晶硅破碎装置，多晶硅破碎装置位于上料台后方，对上料后的硅棒进行破碎；输送装置，输送装置的输送前端位于多晶硅破碎装置的出料口下方，输送多晶硅破碎装置出料口排出的破碎后的块状硅料并对其进行冷却；硅料自动添加装置，硅料自动添加装置位于输送装置旁，其内装有硅料，并将硅料自动添加至输送装置上，与输送装置输送的多晶硅破碎装置破碎的块状硅料混合。硅料自动添加装置弥补多晶硅破碎装置破碎产品因人为搭配造成的个别产品差异和产品减值，同时改善人为添加操作的可操作性和均匀性。
一种多晶破碎系统方法

[发明专利]一种二次加料方法-CN201310051274.9有效
发明人：司佳勇 -专利权人：英利集团有限公司
申请日： 2013-02-17 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种二次加料方法，应用于单晶硅棒的制备过程，包括：在二次加料器中装入n批硅料，每批硅料包括多个硅料层，且在同一批硅料的多个硅料层中，从底部硅料层到顶部硅料层的硅料的最大直径由小到大；将二次加料器中的硅料投入到硅液中。在对硅液投料过程中，避免了投入的杂质过多，杂质浓度超出范围而出现断棱与析晶等事故；而且避免了直接投入大尺寸的硅料时，出现溅料或者漏硅的情况，使二次加料过程安全。
一种二次加料方法

[发明专利]一种硅料处理装置、硅棒生产设备和硅料处理方法-CN202111622589.5有效
发明人：陈凡;张鹏举;郭超超 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种硅料处理装置、硅棒生产设备和硅料处理方法。硅料处理装置包括：进料组件，用于传输硅料，所述进料组件包括沿传输方向依次设置的上料区、扫描区和装料区，其中，待传输的硅料在所述上料区添加至所述进料组件；扫描组件，对应所述扫描区设置，所述扫描组件用于采集位于所述扫描区的硅料的硅料信息，所述硅料信息包括硅料的形状特征和尺寸特征中的一项或多项；控制器，与所述扫描组件连接，所述控制器用于根据所述硅料信息生成装料策略；装料组件，对应所述装料区设置，所述装料组件用于根据所述装料策略将位于所述装料区的硅料移动至目标位置本发明实施例而能够更加稳定的实现硅液的供给，降低了拉晶工序中，硅棒断线的可能性。
一种处理装置生产设备方法

[实用新型]硅料切割装置-CN201320680605.0有效
发明人：徐香存 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种硅料切割装置，包括：硅料驱动装置，用于驱动待切割的硅料旋转；切割线，设置在硅料的一侧，切割线的至少一部分沿硅料的轴向延伸并做线切割运动。本实用新型利用硅料驱动装置驱动硅料旋转运动，并在硅料的一侧设置有沿硅料轴向运动的切割线，使切割线将硅料上的多余材料整块切割下来。这样，可以实现硅料上多余材料的回收利用，从而既可以减少材料的浪费，又可以避免因产生含有硅粉的废水而污染环境的情况。
切割装置

[实用新型]硅料料框-CN201220274415.4有效
发明人：李继忠 -专利权人：常州市科沛达超声工程设备有限公司
申请日： 2012-06-12 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅料料框，主要用于硅料和硅块的酸洗或碱洗，它包括盖板和中空的料框腔体，料框腔体由板网制成，料框腔体的两端分别固定有封板，封板的外壁呈齿轮状，且其中一个封板上开有嵌装盖板的孔。本实用新型结构简单、耐磨、使硅料清洗均匀、彻底。
硅料料框

[实用新型]一种多晶硅破碎机收尘装置-CN202220954529.7有效
发明人：黄绍勇;蔡勇;何鹏飞;涂嵬;韦鹤超 -专利权人：四川永祥新能源有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B02C23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅破碎机收尘装置，涉及多晶硅技术领域，包括底板、顶板和两侧板；两侧板安装在底板上，顶板盖合在两侧板上，底板、顶板和两侧板围合形成硅料出口通道；硅料出口通道倾斜设置，其倾斜顶端形成硅料进口端并安装在多晶硅破碎机的出料口处，倾斜底端形成硅料出口端，硅料出口通道沿其进口端向出口端，逐渐收缩；底板和顶板上均开设有除尘口，除尘口均连接有除尘管，除尘管均连接有负压抽尘设备，底板处的除尘口上安装有筛分板。该收尘装置硅料出口通道倾斜设置，硅料从倾斜顶端进入硅料出口通道内，在硅料自身重力以及破碎机振动的作用下，硅料自动从硅料出口通道的倾斜顶端，向倾斜底端运动，自动排出硅料。
一种多晶破碎收尘装置

[发明专利]多晶硅锭的制备方法-CN201310320649.7无效
发明人：曾磊;李松松;张澎伟;闫英永 -专利权人：山东大海新能源发展有限公司
申请日： 2013-07-29 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用DSS法铸造多晶硅时向坩埚中装填硅料的方法，还涉及了一种高品质多晶硅锭的制备方法。该方法包括以下步骤：装填硅料时，在坩埚底部均匀铺满碎片料，在碎片料上放置还原多晶硅块料。在铸造多晶硅锭时，将装有硅料的坩埚加热，控制热场，使硅料逐渐熔化，当硅料熔化至坩埚底部碎片料区域时，停止加热，进入长晶阶段，长晶结束后退火冷却，得到高品质多晶硅锭。采用这种装填硅料的方法及多晶硅锭制备方法，可以有效降低多晶硅铸锭过程中长晶初始阶段形成的大量位错，可以有效减少枝晶的形成，提高多晶硅锭的少子寿命。
多晶制备方法

[发明专利]一种单晶硅铸锭装料方法-CN201210109230.2有效
发明人：司佳勇;吴博娜;史记全 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅铸锭装料方法，包括：在坩埚底部平铺流化床层，所述流化床为尺寸在1mm-3mm之间的硅料；在所述流化床层与坩埚液位线之间铺设由棒形硅料、中块硅料以及碎多晶棒形硅料构成的第一混合层；在所述第一混合层上铺设由大块硅料以及中块硅料构成的第二混合层，所述第二混合层上部以圆锥状堆放；其中，所述第一混合层的硅料之间缝隙以及第二混合层的硅料之间缝隙通过流化床和/或小块硅料填充；所述流化床为尺寸在1mm-3mm之间的硅料；所述小块硅料尺寸为10mm-20mm；所述中块硅料尺寸为30mm-50mm；所述大块硅料尺寸为50mm-75mm。该方法降低了生产成本，且避免了硅料熔化时溅料问题的发生。
一种单晶硅铸锭装料方法

[实用新型]直拉单晶炉加料装置-CN201920124494.2有效
发明人：刘海;万跃鹏;张新皓;孔传祥 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：其包括：进料管；硅料输运管，用于接收来自进料管的硅料，硅料输运管与进料管连通；以及下料管，用于接收来自硅料输运管的硅料，下料管与硅料输运管连通；其中，硅料的自然堆积角为θ
硅料下料管进料管直拉单晶炉加料装置夹角为连通本实用新型运行停止堆积角硅溶液石英管掉落单晶堵料管内坩埚堆积流出损害应用

[发明专利]单晶循环料处理方法、拉晶方法和单晶硅-CN202311043801.1在审
发明人：张江铃;徐涛;龙昭钦;陈铭 -专利权人：四川晶科能源有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了单晶循环料处理方法、拉晶方法和单晶硅，该单晶循环料处理方法包括以下步骤：将单晶循环料进行分选，得到分选后的硅料；将分选后的硅料进行预清洗，得到预清洗后的硅料；将预清洗后的硅料置于清洗溶液内进行清洗，得到清洗后的硅料，其中，清洗溶液浸没预清洗后的硅料的表面，其中，清洗溶液包括过硫酸钾、过氧化氢和酸性溶液；将清洗后的硅料进行冲洗，得到冲洗后的硅料。采用上述方案，通过过硫酸钾和过氧化氢相互协同，有利于去除预清洗后的硅料表面的污渍和油渍，利用酸性溶液去除预清洗后的硅料的氧化层，由于酸性溶液仅用于去除预清洗后的硅料的氧化层，还可以降低酸性溶液的使用比例，从而降低清洗后的硅料无形损耗。
循环处理方法单晶硅

[实用新型]一种硅料分选装置-CN201120076428.6有效
发明人：胡动力;付家云;陈红荣 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： B03C1/23 文献下载
摘要：本实用新型涉及光伏或半导体领域的一种硅料分选装置，尤其是一种将正常硅料与金属或重掺硅料分离的涡流装置。该装置设有涡流探测器和分离机构，当硅料中混有金属或重掺硅料时，会在其内部产生涡流，引发涡流探测器发出报警声，再通过分离机构将金属或重掺硅料与正常硅料分离。通过本实用新型提供的硅料分选装置，能够将硅料中混有的金属或重掺硅料彻底除去，分选得到的硅料可再次用作多晶硅铸锭的原料。
一种分选装置

[发明专利]一种硅料清洗工艺及其设备-CN201410696706.6在审
发明人：陈五奎;李军;徐文州;耿荣军;樊茂德;冯加保 -专利权人：乐山新天源太阳能科技有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： B08B3/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种在清洗硅料时避免在硅料表面形成二氧化硅层的硅料清洗工艺及其设备。该硅料清洗工艺首先将需要清洗的硅料放入离心设备中；然后启动离心设备使硅料旋转，在硅料旋转的过程中，向离心设备内注入纯水对硅料进行清洗，清洗完毕后，停止向硅料喷洒纯水，调整离心设备的转速至305-330转/分钟进行甩干处理，在甩干过程中向硅料通入温度为60-120度的惰性气体，该清洗工艺利用惰性气体对硅料进行烘烤，在惰性气体的保护下，硅料不会与氧气接触，硅料表面不会形成二氧化硅层，进而在后续工艺中需要融化硅料时，可以很容易的将表面没有二氧化硅层硅料融化，降低了能耗。
一种清洗工艺及其设备

[发明专利]一种碎硅料杂质的提纯方法-CN202310877469.2在审
发明人：李文超 -专利权人：四川硅旺新材料科技有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种碎硅料杂质的提纯方法，涉及硅料提纯技术领域，具体为一种碎硅料杂质的提纯方法，具体步骤如下：S1、对收集的碎硅料进行等重分装操作；S2、对每份碎硅料进行除杂操作；S3、将碎硅料倒入研磨设备中，对碎硅料进行粉碎研磨操作，直至碎硅料呈粒状体；S4、将碎硅粒倒入水溶液中，并向水溶液中加热捕收剂，使其碳化硅粒漂浮并统一收集清除，随后将沉底的石子进行收集；S5、将收集的碎硅粒倒入酸性溶液中搅拌，针对碎硅粒表面的氧化物进行分解收集该碎硅料杂质的提纯方法，通过对碎硅料中各种无机物和有机物杂质的逐步去除，不断地提高碎硅料的硅含量比例，该方式对于碎硅料的除杂效果更加全面，可以充分对碎硅料的表面以及混合于碎硅料中的杂质进行清除，并且该清除方式可以重复循环提纯操作
一种碎硅料杂质提纯方法

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