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[发明专利]开关电源导通时间控制电路、方法和开关电源-CN202310912685.6有效
发明人：李征;赵泊然;朱伟东 -专利权人： 江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种开关电源导通时间控制电路、方法和开关电源，该控制电路包括：包括：斜坡电压获取模块，用于根据输入电压输出斜坡电压；第一参考电压获取模块，用于根据开关频率信号和参考时钟信号输出第一参考电压；第二参考电压获取模块，用于根据开关电源的输出电压输出第二参考电压；切换控制模块，用于根据开关电源的模式检测参数选取第一参考电压与第二参考电压中的任一项作为目标参考电压；比较模块，用于对斜坡电压和目标参考电压进行比对，根据比对结果输出匹配的导通时间信号。本发明基于电源工作模式切换导通时间生成方式，避免基于锁相环生成的导通时间过短影响频率恒定性和变换器正常工作，有利于降低开关频率变化幅度。
开关电源时间控制电路方法

[发明专利]一种集成ESD保护器件的分离栅沟槽MOS器件及工艺-CN202311076280.X在审
发明人：孙明光;李振道;朱伟东 -专利权人： 江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-08-25 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种集成ESD保护器件的分离栅沟槽MOS器件及工艺，集成ESD保护器件的分离栅沟槽MOS器件一方面实现了横向TVS双向晶体管与分离栅沟槽MOS器件的单片集成，另一方面还通过外延工艺集成了一颗漏源垂直型ESD保护二极管。这样一来，该器件在使用时完全不需要设计师考虑较为困难的漏源ESD保护问题；由于横向TVS双向晶体管为双向大电流TVS结构且寄生电容可控制在10pF量级，因此该分离栅沟槽MOS器件的栅极抗ESD或浪涌能力极强，同时其开关频率与损耗也不会受到很大影响。本申请提出的分离栅沟槽MOS器件，十分适用于各类高可靠的高速开关应用，也能够有效防止驱动时的EMI问题。
一种集成 esd 保护器件分离沟槽 mos 工艺

[发明专利]具有三重resurf结构的分离栅沟槽MOS器件及工艺-CN202311083616.5在审
发明人：孙明光;李振道;朱伟东 -专利权人： 江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-08-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有三重resurf结构的分离栅沟槽MOS器件及工艺；本申请提出的具有三重resurf结构的分离栅沟槽MOS器件通过在分离栅沟槽MOS器件中实现triple resurf结构，在相同耐压下大大降低了器件的比导通电阻，降低了器件的导通损耗。由于分离栅结构本身就对漂移区具有辅助耗尽能力，因此该器件相当于在分离栅沟槽基础上由triple resurf又进行了一次辅助耗尽，在相同耐压下，比传统分离栅沟槽MOS器件具有更低的导通电阻；该器件实现的工艺为多次外延，通过多次外延与多次埋层注入工艺能够实现较为精确的Ptop层，且随着外延次数的增加，Ptop层形貌将越理想，器件的性能将更加优异。
具有三重 resurf 结构分离沟槽 mos 器件工艺

[发明专利]具有闸源端夹止结构的沟槽式功率MOSFET器件及其制备方法-CN202310816523.2有效
发明人：李振道;孙明光;朱伟东;赵泊然 -专利权人： 江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明属于电子元器件、半导体、集成电路领域，公开了具有闸源端夹止结构的沟槽式功率MOSFET器件及其制备方法、MOSFET器件的外延层的沟槽中形成有闸源端夹止结构，其中，闸源端夹止结构包括：底部氧化层、源极多晶硅、非掺杂闸极多晶硅、闸极氧化层、N型闸极多晶硅和两组P型闸极多晶硅组，两组P型闸极多晶硅组分布在沟槽两侧的N型闸极多晶硅内，且每组P型闸极多晶硅组包括至少两个P型闸极多晶硅。本发明将闸极氧化层做在外延层表面上，使得MOSFET器件中不存在多晶硅间隔离氧化层，从而避免在结构中产生尖端多晶硅，进而消除了闸极与源极之间的弱点，并对表面上的闸极多晶硅进行设计使其具有静电释放功能，从而避免组件因产生静电而造成损坏。
具有闸源端夹止结构沟槽功率 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种垂直型双向SCR低电容TVS器件-CN202310862502.4有效
发明人：朱伟东;赵泊然 -专利权人： 江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明属于电子元器件、半导体、集成电路领域，公开了一种垂直型双向SCR低电容TVS器件，包括：衬底；位于衬底上方的第一外延层；在第一外延层上方两侧分别设置有第一埋层和第二埋层；第一埋层与第二埋层的上方制作有第二外延层；第二外延层的表面至第一外延层体内设置有第一深沟槽、第二深沟槽和第三深沟槽；第一深沟槽与第二深沟槽之间的第二外延层表面上制作有第一注入区和第二注入区；第二深沟槽与第三深沟槽之间的第二外延层表面上制作有第一注入区和第二注入区；第二注入区位于靠近第二深沟槽的一侧。本发明把传统的横向SCR变形成纵向SCR，使其结电容与抗浪涌能力的综合性能显著增强。
一种垂直双向 scr 电容 tvs 器件

[发明专利]碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法-CN202211118851.7有效
发明人：李振道;孙明光 -专利权人： 江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管，包括N型碳化硅外延层、铝P阱、N型纯硅外延层、第一硼P阱、第二硼P阱、栅极氧化层、多晶硅层、介电质层以及源极金属层，本发明的有益效果是：本发明在碳化硅外延片上将纯硅外延，下方碳化硅外延保有其耐高电场的优势，因此维持高压而低外延电阻的特性，上方纯硅的外延用以生长栅极氧化层以增加其稳定性及可靠度，纯硅在通道处的载子移动率并不像碳化硅容易受极性面影响，所以可明显的减少其通道阻值，此结构可同时将二材料特性做有效互补。
碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种超低电容双向SCR-TVS器件-CN202310862496.2在审
发明人：朱伟东;赵泊然 -专利权人： 江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明属于电子元器件、半导体、集成电路领域,公开了一种超低电容双向SCR‑TVS器件，衬底的上方制作有外延层，外延层与衬底之间在两侧区域各制作有一埋层，每个埋层的正上方对应设置一个第一well区，两个第一well区之间设置有第二well区，且所述第二well区位于外延层上方，其中，所述衬底、外延层和第二well区的掺杂类型相同，所述第一well区和埋层的掺杂类型相同，且所述衬底与第一well区的掺杂类型相反。本发明采用超低浓度埋层同时实现高寄生PNP基区浓度和低电容性能。
一种电容双向 scr tvs 器件

[发明专利]一种屏蔽闸沟槽式功率金属氧化物半导体制作方法-CN202310540946.6有效
发明人：李振道;孙明光;朱伟东;赵泊然 -专利权人： 江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种屏蔽闸沟槽式功率金属氧化物半导体制作方法。本发明包括提供外延层；在所述外延层上进行光刻，得到沟槽；沿着所述沟槽内侧生长一层氧化层；在生长氧化层后的沟槽内沉积一层第一次碳掺杂氧化硅；在沉积一层第一次碳掺杂氧化硅后的沟槽内沉积源极多晶硅；在沉积源极多晶硅后的沟槽内沉积第二次碳掺杂氧化硅；对所述氧化层、第一次碳掺杂氧化硅、第二次碳掺杂氧化硅进行刻蚀；生长一层闸极氧化层，沉积闸极多晶硅；光刻得到P‑井区和N+井区；沉积一层介电层。得到的金属氧化物半导体将下方源极多晶硅的周围及上方的介质层以碳掺杂氧化硅做为屏蔽，能够同时优化了输入端及输出端的开关损耗，而又不影响既有的电压电流特性。
一种屏蔽沟槽功率金属氧化物半导体制作方法

[发明专利]内置ESD保护二极管的SGT器件及其制作方法-CN202310594164.0有效
发明人：朱伟东;赵泊然;李振道;孙明光 -专利权人： 江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种内置ESD保护二极管的SGT器件及其制作方法，它包括N型衬底、漏极金属、N型外延层、第一屏蔽栅氧化层、屏蔽栅P型多晶硅、第二屏蔽栅氧化层、P型多晶硅、N型多晶硅、控制栅多晶硅、P型体区、源极N+型掺杂区、背栅P+型掺杂区、绝缘介质层、源极金属与钝化层；在第一屏蔽栅氧化层的中间夹有屏蔽栅P型多晶硅，在第二屏蔽栅氧化层的中间夹有P型多晶硅、N型多晶硅与控制栅多晶硅，N型多晶硅位于P型多晶硅的正面，控制栅多晶硅位于N型多晶硅的正面。本发明在芯片面积相同的情况下提高SGT器件的ESD防护能力，同时不影响SGT器件的开关速度与频率。
内置 esd 保护二极管 sgt 器件及其制作方法

[发明专利]一种三维超结LDMOS结构及其制作方法-CN202310793099.4在审
发明人：孙明光;李振道;朱伟东;赵泊然 -专利权人： 江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维超结LDMOS结构及其制作方法。本发明包括第一导电类型衬底，在所述第一导电类型衬底上方设置有第二导电类型外延层，所述第二导电类型外延层表面设置有预设结深的第一导电类型体区，所述第一导电类型体区表面设置有相切的第一导电类型背栅注入区和第二导电类型源极注入区；所述第二导电类型外延层表面在所述第一导电类型体区右侧设有超结区，在所述超结区中，设置有多层沿所述超结区竖向和纵向方向上交替分布的第一导电类型杂质区和第二导电类型杂质区。本发明大大增加器件耐压层的掺杂，降低比导通电阻，从而实现更低的导通损耗。
一种三维 ldmos 结构及其制作方法

[发明专利]开关变换器控制电路、控制方法及电源设备-CN202310524618.7有效
发明人：李征;赵泊然;朱伟东 -专利权人： 江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种开关变换器控制电路、控制方法及电源设备，该控制电路包括：第一比较输入模块，用于获取开关变换器的输入电压，并根据输入电压确定第一比较输入电压；第二比较输入模块，用于获取开关变换器的输出电压，并根据输出电压确定第二比较输入电压；比较模块，用于对第一比较输入电压与第二比较输入电压进行比对，并根据电压比对结果输出导通时间控制信号；第一比较输入模块设有延时补偿单元，延时补偿单元用于根据比较模块的固有延时时间对第一比较输入电压进行抬升处理，使第一比较输入电压的初始电压大于零。本发明通过在自适应导通时间控制电路设置延时补偿单元，避免固有延时时间影响开关频率，改善频率稳定性，降低设计成本。
开关变换器控制电路控制方法电源设备

[发明专利]电源设备及用于电源芯片的工作模式配置电路-CN202310505858.2有效
发明人：李征;赵泊然;朱伟东 -专利权人： 江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H02M3/157 文献下载
摘要：本发明公开一种电源设备及用于电源芯片的工作模式配置电路，该配置电路包括：时序信号发生单元，用于基于预设时序依次输出第一触发信号、第二触发信号和第三触发信号；偏置电流源单元，设有可控开关，偏置电流源单元用于接收第二触发信号，并基于第二触发信号触发可控开关，调节施加到焊盘本体的偏置电流；连接状态检测单元，用于根据焊盘本体的连接点电压和偏置电流输出状态信号；配置输出单元，用于在第一时刻接收第一触发信号，并基于第一时刻对应的状态信号输出第一配置信号，在第二时刻接收第三触发信号，并基于第二时刻对应的状态信号输出第二配置信号。本发明通过数字电路检测单个焊盘本体的连接方式，电路可靠性高，成本低。
电源设备用于芯片工作模式配置电路

[发明专利]具有高维持电压的低电容双向SCR瞬态抑制器件-CN202310371412.5有效
发明人：朱伟东;赵泊然 -专利权人： 江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/747 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高维持电压的低电容双向SCR瞬态抑制器件，包括N型衬底、P型阱、N型阱、P+型阳极、N+型阳极、P+型阴极、N+型阴极、P型齐纳区或者N型齐纳区、N+型触发区或者P+型触发区、场氧化层、阳极金属与阴极金属。本发明的器件能够在较大程度上同时提升SCR器件的双向维持电压并实现低电容。本发明的器件能够使得维持电流中的电子与空穴成分均不会出现在器件表面，因此能够有效避免电流集中的问题。另一方面，由于表面的阻挡作用，器件的触发必须从底部实现，因此能够降低触发电压Vt与器件击穿电压BV之间的差距，从而提升TVS性能。
具有维持电压电容双向 scr 瞬态抑制器件

[发明专利]电机转子角度信息识别方法-CN202310670645.5在审
发明人：曹元;朱伟东;吴琦 -专利权人： 江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H02P6/18 文献下载
摘要：本发明提供一种电机转子角度信息识别方法，包括以下步骤：将电机的载波信号与一高频信号叠加，一起注入至电机的三相绕组上；采样电机电流响应信号并经过Clark变换后转变为在静止坐标系上的电机电流响应信号，并将该电机电流响应信号通过带通滤波器滤除电机电流响应信号中的基波信号和载波信号，得到高频电流响应信号；将得到的高频电流响应信号通过延时相消法解调，得到其中的负相序电流信号；对得到的负相序电流信号进行旋转变换，得到静止坐标系的β轴分量；将得到的静止坐标系的β轴分量归一化；将归一化后的β轴分量送入PLL锁相环，解调出转子速度和角度信息。本申请能够消除相位延时滞后影响。
电机转子角度信息识别方法

[发明专利]一种栅控Resurf高压LDMOS结构-CN202310376829.0有效
发明人：朱伟东;赵泊然;孙明光;李振道 -专利权人： 江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅控Resurf高压LDMOS结构，包括LDMOS结构，LDMOS结构中的栅控电极为双栅极结构，包括第一多晶硅栅和第二多晶硅栅，LDMOS结构的P‑top层上方设有第一栅氧化层，且第一栅氧化层上方制作有第一多晶硅栅；LDMOS结构的沟道区上方设有第二栅氧化层，且第二栅氧化层上方制作有第二多晶硅栅；第一多晶硅栅和第二多晶硅栅均包覆在场氧化层内，且第一多晶硅栅和第二多晶硅栅通过栅极金属短接。本发明通过新加入的栅极，一方面使得LDMOS结构在关态下接近于一个常规关态Resurf LDMOS，另一方面通过在开态时将P‑top层开启，在漂移区内形成反型沟道以降低比导通电阻，从而实现更优异的“耐压‑比导”特性。
一种 resurf 高压 ldmos 结构

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