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[发明专利]一种体掺杂金刚石基常关型场效应晶体管及其制备方法-CN201811074396.9有效
发明人：王玮;王宏兴;问峰;王艳丰;张明辉;林芳;张景文;卜忍安;侯洵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L27/095 文献下载
摘要：本发明公开了一种体掺杂金刚石基常关型场效应晶体管及其制备方法，包含金刚石衬底；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有体掺杂单晶外延薄膜和刻蚀区域，刻蚀区域为高肖特基势垒终端；体掺杂单晶外延薄膜上设置有沟道区域；沟道区域包括体掺杂单晶外延薄膜作为导电沟道，且为低肖特基势垒终端；源电极和漏电极处于沟道区域的两侧；源电极和漏电极之间刻蚀区域及沟道区域上设置栅电极。本发明为常关型场效应晶体管，利用体掺杂外延单晶金刚石材料作为导电沟道使用，可发挥金刚石材料耐高温、抗辐射和可在恶略环境工作等优势。
一种掺杂金刚石基常关型场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种基于单晶二维材料/单晶铜的垂直异质外延单晶金属薄膜的方法-CN201910171877.X有效
发明人：刘开辉;张智宏;王恩哥;俞大鹏 -专利权人：北京大学
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： C30B1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于单晶二维材料/单晶铜的垂直异质外延单晶金属薄膜的方法。所述单晶二维材料为单晶石墨烯或单晶氮化硼，所述方法为用单晶二维材料/单晶铜的复合结构为外延基底，在其上外延生长金属，获得单晶金属薄膜。所述金属包括但不限于金、银、铜、铂、钯、钨、铁、铬、钴、镍。本发明提出的方法，解决了单晶金属薄膜制备方法复杂、尺寸小、难剥离、价格极为昂贵的问题，通过非常简单的方法，实现了大尺寸的单晶金属薄膜的制备。
一种基于二维材料单晶铜垂直外延金属薄膜方法

[发明专利]一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料-CN200610169749.4无效
发明人：杨少延;范海波;李成明;陈涌海;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-12-28 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料中氧化锌外延薄膜制备技术领域，公开了一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料，该材料包括：一硅单晶衬底，用于支撑整个硅基可协变衬底材料；一薄氮化铪可协变层，该薄氮化铪可协变层制备在硅单晶衬底上，用于对在其上外延生长的氧化锌外延薄膜进行失配应变协调。利用本发明，协调了硅衬底上所生长氧化锌外延薄膜的失配应变，并降低了残余应力，从而提高了其结晶质量和改善了其表面形貌，为研制硅基光电器件奠定了基础。
一种具有氮化铪可协变层硅基可协变衬底材料

[发明专利]基于铝酸锶薄膜制备GaN自分离衬底的方法-CN202111542968.3在审
发明人：修向前;朱宇霞;陶涛;张荣 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铝酸锶薄膜制备GaN自分离衬底的方法，其步骤包括：(1)在衬底上沉积铝酸锶薄膜；(2)在铝酸锶薄膜上沉积氧化镓薄膜；(3)在氧化镓薄膜上进行GaN薄膜或GaN厚膜的外延；(4)将外延完成的样品置于水中，铝酸锶薄膜溶解，得到自支撑的GaN薄膜或厚膜。本发明提供了一种简单的获得自支撑GaN衬底的方法，采用铝酸锶薄膜作为牺牲层，铝酸锶薄膜溶于水即可实现衬底与外延膜的自分离，而氧化镓层的作用是提供可以高质量外延GaN的缓冲层或多孔模板，同时可以降低后续外延的GaN薄膜材料中应力及位错密度。
基于铝酸锶薄膜制备 gan 分离衬底方法

[发明专利]一种悬空二维材料的非衬底耦合低密度外延方法及外延结构-CN202310542612.2在审
发明人：蔡端俊;王豪;沈鹏;杨谦益;陈小红;许飞雅 -专利权人：厦门大学
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及半导体生长技术领域，特别涉及一种悬空二维材料的非衬底耦合低密度外延方法及外延结构。其中，一种悬空二维材料的非衬底耦合低密度外延方法，关键技术如下：提供介质衬底，通过刻蚀形成大范围占空比与高纵向孔深的均匀规则化镂空衬底；通过雾化无损干转移法将二维材料层转移并利用占沿表面张力覆盖于镂空衬底表面；其中空孔部分形成下方非衬底耦合的悬空二维薄膜外延区；将悬空非耦合衬底放入半导体材料生长反应腔中，采用先预成核后高迁移外延的二步模式循环生长，利用悬空非衬底耦合区表面的高迁移率，外延低密度高质量半导体薄膜本发明可以获得低密度高质量的半导体外延薄膜，制备方法简单，省时高效，具有广阔的工业化前景。
一种悬空二维材料衬底耦合密度外延方法结构

[发明专利]一种基于液相外延法生长的紫外单晶荧光薄膜-CN201310097906.5无效
发明人：赵健;钟伟杰;夏忠平 -专利权人：上海显恒光电科技股份有限公司
申请日： 2013-03-25 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：本发明涉及新材料领域。一种基于液相外延法生长的紫外单晶荧光薄膜，包括一单晶荧光薄膜，所述单晶荧光薄膜是基于液相外延法生长的多激活中心参杂的紫外单晶荧光薄膜，所述紫外单晶荧光薄膜受电子束激发后发射紫外光。单晶荧光薄膜具有很好的抗电子束灼伤能力，在入射能量达到10～30KVe时无淬灭灼伤现象发生，是一种理想的紫外单晶发光材料。
一种基于外延生长紫外荧光薄膜

[发明专利]利用过渡金属或合金作为缓冲层提高六方氮化硼结晶质量的方法-CN202010060273.0在审
发明人：陈占国;栾凯然;陈曦;张文博;刘秀环;赵纪红;侯丽新;高延军 -专利权人：吉林大学
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种利用过渡金属或合金作为缓冲层提高六方氮化硼结晶质量的方法，属于半导体材料外延生长技术领域。本发明是在生长六方氮化硼外延薄膜前，以磁控溅射、电子束蒸发、脉冲激光沉积或热蒸发薄膜制备技术预先在硅、蓝宝石或其他晶格失配较大衬底上沉积过渡金属或合金作为缓冲层，再将带有缓冲层的衬底上采用化学气相沉积、磁控溅射或脉冲激光沉积技术外延生长六方氮化硼薄膜；缓冲层在外延生长六方氮化硼薄膜前做退火处理以进一步提高缓冲层的质量，从而达到进一步提高hBN薄膜结晶质量的目的。缓冲层材料为Cu、Cr、Mo、Ni、W、Mn、Co等过渡金属或其组合形成的过渡金属合金材料。
利用过渡金属合金作为缓冲提高氮化结晶质量方法

[发明专利]一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法-CN201911030849.2在审
发明人：王晓亮;李百泉;肖红领 -专利权人：北京华进创威电子有限公司;中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法，本发明在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法，通过在Si衬底上外延生长一层氮化物复合缓冲层，该氮化物复合缓冲层可以缓解晶格失配，并阻止回熔刻蚀反应。采用该方法可以显著提高GaN外延薄膜材料的晶体质量，消除表面裂纹，得到可用于器件研制应用的GaN外延薄膜材料。
氮化物复合缓冲层外延薄膜材料氮化镓薄膜超晶格硅衬底生长表面裂纹穿透位错晶格失配外延生长过渡层张应力衬底回熔可用刻蚀过滤释放缓解应用

[发明专利]一种钙钛矿型SrIrO₃单晶薄膜材料的制备方法-CN201510272038.9有效
发明人：刘正太;沈大伟;李明颖;杨海峰;姚岐;刘吉山;樊聪聪 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-05-25 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： C30B29/24 文献下载
摘要：本发明提供一种钙钛矿型SrIrO₃单晶薄膜材料的制备方法，包括如下步骤：S1：提供一钙钛矿型衬底；S2：对所述衬底进行清洗处理；S3：对所述衬底进行退火处理；S4：在氧化物分子束外延系统中采用Ir单质靶蒸发源、Sr单质靶蒸发源及氧源，在所述衬底表面外延生长钙钛矿型SrIrO₃单晶薄膜材料。本发明利用氧化物分子束外延技术，通过超高真空设备硬件、单质蒸发源的选择、稳定的蒸发源束流控制、衬底的选取、衬底的处理、薄膜合成参数的稳定控制，制备得到高质量的钙钛矿型SrIrO₃单晶薄膜材料该单晶薄膜相比体材料拥有很大的优势，具有稳定态的钙钛矿型结构，外延薄膜表面是天然的平整解理面，有利于实现电子结构的测试，样品表面的高洁净度使测试更加顺利进行。
一种钙钛矿型 sriro sub 薄膜材料制备方法

[其他]一种双层结构的低压化学蒸汽淀积外延炉管装置-CN85100531无效
发明人：王季陶;张世理 -专利权人：复旦大学
申请日： 1985-04-01 - 公布日： 1986-08-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明属于电子工业中制备集成电路及其它半导体器件的薄膜工艺设备。在外延工艺中，由于石英管与硅或其它外延物质的热膨胀系数不同，在高温、低压下容易造成外延石英炉管的损裂。本发明采用双层结构炉管，即外管用耐高温且密封性能良好的材料，内管用耐高温且对半导体外延片的性能不产生严重影响的材料做成。可将LPCVD薄膜技术应用到外延中来，可以达到提高外延的生产效率，降低生产成本，改善外延层的厚度与掺杂均匀性。
一种双层结构低压化学蒸汽外延炉管装置

[发明专利]氧化镓薄膜及其异质外延生长方法与应用-CN201910858297.8在审
发明人：张晓东;马永健;李军帅;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓薄膜及其异质外延生长方法与应用。所述异质外延生长方法包括：在衬底材料上气相外延生长形成氧化镓纳米线阵列；以及，通过控制生长条件，使氧化镓纳米线阵列中氧化镓纳米线横向合并生长，从而在氧化镓纳米线阵列上外延生长形成氧化镓薄膜。本发明利用氧化镓纳米线阵列合并生长β‑Ga2O3薄膜，避免直接在衬底上生长，大大降低了异质外延材料之间的失配度和异质外延工艺难度，提高了β‑Ga2O3薄膜的晶体质量；本发明通过控制氧化镓纳米线的直径和周期，能很好的提高晶粒成核尺寸，避免较小的成核尺寸对晶体质量的影响，并且，本发明可在300℃‑1000℃实现β‑Ga2O3薄膜的生长，可有效节省能源消耗。
氧化薄膜及其外延生长方法应用

[发明专利]一种气相生长二维材料的方法-CN201510040660.7有效
发明人：夏洋 -专利权人：夏洋
申请日： 2015-01-27 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜材料制备技术领域，特别涉及一种气相生长二维材料的方法，包括：在衬底上引入基础二维材料形成晶种层；控制反应腔室的温度低于2000℃，控制反应腔室的真空度高于10^-3torr；将衬底放入所述反应腔室内，在反应腔室中充入反应物；晶种层边界的化学键吸引所述反应物，使晶种层的四周横向外延生长。本发明提供的气相生长二维材料的方法，采用具有完整晶格的二维材料作为晶种层，并采用横向外延方式生长出大面积二维材料薄膜，可以外延出完整晶格的大面积二维材料薄膜，二维材料薄膜的厚度、结构、尺寸容易控制。
一种相生二维材料方法

[发明专利]一种利用温度调制提高氮化铝薄膜晶体质量的生长方法-CN201510004831.0有效
发明人：李亮;罗伟科;李忠辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开一种利用温度调制提高氮化铝薄膜晶体质量的生长方法，是在MOCVD设备中进行的，包括烘烤、成核、温度调制外延生长、再外延生长四个阶段。本发明方法通过原位温度调制技术，在氮化铝成核层生长后的外延生长过程中通过调制生长温度，改变氮化铝生长速率和应力，从而使得部分位错在此时发生弯折，最终产生合并而湮灭，达到降低的氮化铝薄膜中位错密度，提升晶体质量的目的本发明的优点在氮化铝材料外延生长过程中引入温度调制层的方法简单易行，外延材料性能好，是实现氮化铝薄膜高质量外延生长的有效解决方案。
一种利用温度调制提高氮化薄膜晶体质量生长方法

[实用新型]一种电流均匀的LED芯片-CN201920744014.2有效
发明人：仇美懿;庄家铭 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电流均匀的LED芯片，包括衬底，设置在衬底上的外延层，设置在外延层上的透明导电层、第一电极和第二电极，以及设置在透明导电层上导电薄膜层，所述导电薄膜层位于芯片发光不均匀处，所述导电薄膜层由导电材料制成，所述导电材料的电阻率为1*10
导电薄膜层芯片发光本实用新型透明导电层导电材料不均匀外延层衬底亮度均匀性上导电薄膜第二电极第一电极芯片电流电阻率

[发明专利]利用磁控溅射技术制备BVO外延单晶薄膜的方法-CN202011453729.6有效
发明人：李国强;黄改革;尉乔南 -专利权人：河南大学
申请日： 2020-12-12 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于真空镀膜技术领域，公开了一种利用磁控溅射技术制备BVO外延单晶薄膜的方法，包括以下步骤：a、安装靶材，b、预处理衬底材料，c、制备ITO中间层薄膜，d、制备外延单晶BVO薄膜。本发明通过改变制备薄膜时对靶材施加功率以及氧压的大小首次获得了BVO的外延单晶薄膜，制备方法简单，制备出的薄膜表面平整致密，可进一步用于制备覆盖面积大的外延单晶薄膜；该方法也为用化学计量比靶材通过磁控技术制备出与靶材元素比例相同的金属氧化物提供了可能
利用磁控溅射技术制备 bvo 外延薄膜方法