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[发明专利]稀土离子和钍离子共掺杂的LaAlO3-CN202210105463.9在审
发明人：杭寅;黄从晖;赵呈春;李善明;陶斯亮 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B29/24 文献下载
摘要：一种稀土离子和钍共掺杂的LaAlO3钙钛矿型激光晶体，通过在LaAlO3晶体中掺杂钍离子，将菱形畴单畴化，得到沿激光方向上无散射的单畴晶体。LaAlO3晶体具有较低的声子能量(486cm‑1)，较大的热导率(13.6Wm‑1K‑1)，稀土元素Nd和Th共掺杂后Nd的荧光寿命长达317μs，是目前氧化物激光晶体中最长的。本发明提供的晶体生长方法可以生长出高质量的单畴的单晶，作为增益介质可以产生大能量纳秒脉冲激光，在工业、科研、国防、医学等众多领域有极大的应用。
稀土离子掺杂 laalo base sub

[发明专利]一种用于陶瓷离子膜元件的稳定立方晶体钙钛矿结构-CN202210439468.5在审
发明人：刘京临;刘远;刘东伟;卢滨;贾云玉 -专利权人：临沂临虹无机材料有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： C30B29/24 文献下载
摘要：一种用于陶瓷离子膜元件的稳定立方晶体钙钛矿结构。掺锶的镧钴钙钛矿氧化物(La1‑xSrxCoO3‑z)(LSC)近年在陶瓷气体分离膜中被广泛地研究。美国专利USP5648304揭示了La.05Sr.95CoO3‑z(LSC95)钙钛矿材料在温度约900℃下具有很高的氧通量,但在温度低于850℃下则完全没有氧通量。原因是在约850℃下,LSC95从立方晶体结构转变为六方晶体结构。因此,LSC材料需要改进立方晶体结构的稳定性，特别是需要在较低温度下阻止这种不稳定的结构转变,以便于氧分离膜在低温下的应用。本发明利用添加一种氧化铈(CeO2)的稳定剂,将掺锶的镧钴钙钛矿的立方晶体结构稳定至低于400℃,为此材料提供了一种解决结构转变的方法,以便于陶瓷离子膜在低温下气体分离的应用。
一种用于陶瓷离子元件稳定立方晶体钙钛矿结构

[发明专利]一种立方相掺杂铁酸铈磁光材料及其制备方法和应用-CN201910462762.6有效
发明人：庄乃锋;林楠茜;胡晓琳;陈新 -专利权人：福州大学
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C30B29/24 文献下载
摘要：本发明提供一种立方相掺杂铁酸铈磁光材料及其制备方法和应用。所述的磁光材料的化学式为Ce1‑xSrxFe1‑xVxO3，x=0.3~0.7。该材料属立方晶系，空间群为。该材料具有结构新颖，光学、磁学性能优良，磁光效应显著的优点，而且该化合物晶格常数与硅相匹配，有望在硅基集成光隔离器等领域获得应用。该材料采用射频磁控溅射法制备，因此还具有工艺简单、周期短、重现性好的优点。
一种立方掺杂铁酸铈磁光材料及其制备方法应用

[发明专利]一种气敏型LaCoO3-CN201811512578.X有效
发明人：刘海峰;吴小玉;郑奎;彭同江;孙红娟 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： C30B29/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种气敏型LaCoO3外延薄膜的制备方法，包括：将PMN‑PT单晶基底清洗后吹干；取镧盐和钴盐加入去离子水中，搅拌后加入一水柠檬酸，搅拌，得到金属盐溶液；配制聚合物溶液，在搅拌金属盐溶液的同时将聚合物溶液逐滴滴入金属盐溶液中，滴加完成后，在室温下搅拌混合溶液10h；然后将混合溶液加热至60～70℃，搅拌，使混合溶液缓慢蒸发至溶液剩余一半，得到前驱体溶液；利用旋涂方法将前驱体溶液旋涂在PMN‑PT单晶基底上成膜，旋涂完毕后将样品置于刚玉方舟内进行热处理，冷却至室温，得到LaCoO3外延薄膜。本发明通过高分子辅助沉积法，在PMN‑PT单晶基底上制备了LaCoO3外延薄膜，该LaCoO3外延薄膜对一氧化碳气体的敏感度高。
一种气敏型 lacoo base sub

[发明专利]面向0.95～1.65微米全固体激光器的近红外铋钽双掺激光晶体-CN201810057860.7有效
发明人：张沛雄;陈楠;陈振强 -专利权人：暨南大学
申请日： 2018-01-22 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： C30B29/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种面向0.95～1.65微米全固体激光器的近红外铋钽双掺激光晶体，涉及近红外激光增益材料领域，该激光晶体中，铋离子作为激活离子，钽离子具有双重作用，一方面，既可作为铋离子的电荷补偿离子，使得铋离子有效发射0.95～1.65微米荧光，另一方面，又可作为铋离子之间的隔断离子，打破铋离子团簇，有利于晶体的近红外发光，实现增强荧光输出，降低激光阈值和提高激光效率。该激光晶体可以用于0.95～1.65微米的激光输出，在医疗、科研及军事等领域有着重要的应用前景。
面向 0.95 1.65 微米固体激光器红外铋钽双掺激光晶体

[发明专利]一种铋钾双掺铝酸钇新型近红外激光晶体及其制备方法-CN201810057892.7有效
发明人：张沛雄;黄杏彬;尹浩;朱思祁;李真 -专利权人：暨南大学
申请日： 2018-01-22 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： C30B29/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种铋钾双掺铝酸钇新型近红外激光晶体及其制备方法，属于近红外激光增益材料领域，其中，铋钾双掺的铝酸钇晶体中同时掺入铋离子和钾离子，其中铋离子的掺入量为0.1～15at.％，钾离子的参入量为0.1～15at.％。本发明铋钾双掺晶体，铋离子作为激活离子，而钾离子作为优化离子，可以提供局部电荷的补偿作用，铋钾双掺时易变价的Bi
铋离子双掺铋钾近红外激光钾离子铝酸钇制备近红外发光补偿作用分凝系数激光晶体激光效率激活离子局部电荷增益材料参入量掺入量低价态掺入荧光离子激光输出通信医疗军事科研应用优化

[发明专利]一种GAGG闪烁晶体制造方法-CN201810433910.7在审
发明人：罗毅 -专利权人：安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： C30B29/24 文献下载
摘要：本发明涉及闪烁晶体的生长方法，属于一种GAGG闪烁晶体制造方法，一种GAGG闪烁晶体制造方法，具体如下工艺过程和步骤：（a）原料的配置：原料纯度均为99．99％以上的高纯Gd₂0₃、A1₂0₃、Ga₂0₃和Ce0₂按照质量分数比6:3:5:5混合，将混合的原料置于马弗炉中，在1200℃下煅烧12 h；（b）晶体生长：将所述（a）步骤制取的原料放置到中频感应加热提拉炉内进行生长，以高纯N和O的混合气体为保护气氛，拉速为0.5～3.0 mm／h，转速为5～15 r／min；生长时间为7～15天，生长出长和宽为7～10mm，厚度为3～5mm的GAGG闪烁晶体，对其进行抛光，用乙醇擦洗干净，获得GAGG闪烁晶体。本发明一种GAGG闪烁晶体制造方法，通过优化温场结构和生长工艺参数，采用提拉法技术制备以满足GAGG闪烁晶体的生长需要。
闪烁晶体生长高纯生长工艺参数中频感应加热制造工艺过程混合气体晶体生长乙醇擦洗原料纯度质量分数马弗炉提拉法提拉炉抛光拉速温场制备制取煅烧配置优化

[发明专利]一种掺谱钪酸钆可见波段激光晶体及其制备方法-CN201910623032.X在审
发明人：李纳;徐军;徐晓东;董建树;刘坚;胡冬华 -专利权人：南京同溧晶体材料研究院有限公司
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： C30B29/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺谱钪酸钆可见波段激光晶体及其制备方法，该晶体的化学式为Pr_xGd_1‑_xScO₃，其中x的取值范围为0.005‑0.015，其空间群为Pbnm(62)，晶胞参数为使用纯度为5N的Pr₆O₁₁，Gd₂O₃和Sc₂O₃作为原料，经过充分研磨之后压制成块，在1350‑1550摄氏度下高温烧结。采用导模法生长掺谱钪酸钆晶体，生长气氛为高纯氩气。与现有技术相比，本发明晶体材料能实现高效可见波段红光激光输出，可应用于激光医疗，激光显示和通讯等领域。
可见波段酸钆激光晶体制备高纯氩气高温烧结激光显示激光医疗晶胞参数晶体材料生长气氛压制成块研磨导模法晶体的空间群红光激光输出生长通讯应用

[发明专利]一种掺铒钪酸钆3μm中红外波段激光晶体及其制备方法-CN201910520851.1在审
发明人：侯文涛;王东海;赵衡煜;徐军;徐晓东;李东振 -专利权人：南京同溧晶体材料研究院有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： C30B29/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种掺铒钪酸钆3μm中红外波段激光晶体及其制备方法，该晶体的化学式为Er_xGd_(1‑x)ScO₃，其中x的取值为0.5，属于立方晶系其晶胞参数为密度为6.48g/cm³，在高纯氩气气氛下，采用提拉法首次生长尺寸掺铒钪酸钆激光晶体。其晶体材料尺寸大，质量高，性能优良。基于铒离子掺杂的3μm激光，可广泛应用于医疗、大气污染监测、定向红外对抗以及理想的远红外激光泵浦源。
激光晶体掺铒酸钆中红外波段制备大气污染监测远红外激光高纯氩气红外对抗晶胞参数晶体材料立方晶系泵浦源掺杂的晶体的提拉法铒离子激光生长医疗应用

[发明专利]一种ABO₃混合晶体及生长方法-CN201810775369.8在审
发明人：陈建玉 -专利权人：苏州四海常晶光电材料有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： C30B29/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种ABO₃晶体及其生长方法，晶体化学式：Y_0.5La_0.5Al_0.5B_0.5O₃(YLABP)，生长工艺步骤如下：采用中频感应加热提拉法生长该晶体，发热体为铱金坩埚，原料经焙烧后按比例称量：原料经称配，研混均匀后经等静压机压制成块，在1300℃的高温下烧结发生固相反应，烧结好的原料放在干燥箱内保存；分别用氧化锆和氧化铝做保温罩和保温材料，用宝石片封住观察口，生长过程炉膛内部采用惰性气体保护，晶体生长温度为1850℃，提拉速度0.1～5mm/h，晶体转速5～30rpm。本发明能克服传统YAP和LaBO₃因相变导致晶体容易开裂的生长困难，成为较易生长性能优良的激光晶体和闪烁晶体。
生长烧结惰性气体保护中频感应加热焙烧炉膛保温材料晶体化学式提拉法生长比例称量等静压机工艺步骤固相反应混合晶体激光晶体晶体生长晶体转速闪烁晶体生长过程生长性能压制成块保温罩宝石片发热体观察口氧化锆氧化铝提拉铱金坩埚保存

[发明专利]一种钙钛矿型SrIrO₃单晶薄膜材料的制备方法-CN201510272038.9有效
发明人：刘正太;沈大伟;李明颖;杨海峰;姚岐;刘吉山;樊聪聪 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-05-25 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： C30B29/24 文献下载
摘要：本发明提供一种钙钛矿型SrIrO₃单晶薄膜材料的制备方法，包括如下步骤：S1：提供一钙钛矿型衬底；S2：对所述衬底进行清洗处理；S3：对所述衬底进行退火处理；S4：在氧化物分子束外延系统中采用Ir单质靶蒸发源、Sr单质靶蒸发源及氧源，在所述衬底表面外延生长钙钛矿型SrIrO₃单晶薄膜材料。本发明利用氧化物分子束外延技术，通过超高真空设备硬件、单质蒸发源的选择、稳定的蒸发源束流控制、衬底的选取、衬底的处理、薄膜合成参数的稳定控制，制备得到高质量的钙钛矿型SrIrO₃单晶薄膜材料。该单晶薄膜相比体材料拥有很大的优势，具有稳定态的钙钛矿型结构，外延薄膜表面是天然的平整解理面，有利于实现电子结构的测试，样品表面的高洁净度使测试更加顺利进行。
一种钙钛矿型 sriro sub 薄膜材料制备方法

[发明专利]一种磁光晶体材料及其制备方法-CN201410724917.6有效
发明人：赵向阳;王博;武安华;徐军 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-12-03 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： C30B29/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁光晶体材料及其制备方法，所述磁光晶体材料的组成化学式为Sm_1‑_xR_xFeO₃，其中，R包括Gd、Tb、Yb、Er中至少一种，x的取值范围为0.2‑0.8。
一种晶体材料及其制备方法

[发明专利]一种铝酸钇复合晶体及其制备方法-CN201610425940.4有效
发明人：张月娟;李兴旺;莫小刚;王永国;李洪峰;王军杰 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： C30B29/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝酸钇复合晶体及其制备方法，属于激光晶体领域。该铝酸钇复合晶体包括：工作介质、以光胶的方式键合在工作介质端部的不掺杂基质，该工作介质为掺杂铝酸钇晶体，不掺杂基质为纯铝酸钇晶体。本发明实施例提供的铝酸钇复合晶体，通过在掺杂铝酸钇晶体的端部以热扩散键合方式键合铝酸钇晶体，得到铝酸钇复合晶体，其键合面处光学质量均匀，不存在晶体与晶体间的界面，避免了激光损耗现象，并利于提高激光器的输出效率和输出功率。
一种铝酸钇复合晶体及其制备方法

[发明专利]一种GYAP激光晶体及其制备方法-CN201810052676.3在审
发明人：张沛雄;汪瑞;陈振强;黄杏彬 -专利权人：暨南大学
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： C30B29/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种GYAP激光晶体材料及其制备方法，涉及到一种激光晶体基质材料，该晶体材料的化学式为GdxY1‑xAlO3，其中0.01≤x≤0.99，该晶体属于斜方晶系钙钛矿结构，Gd3+和Y3+随机分布在位于AlO6八面体层之间的格位上，该晶体具有无序结构，采用单晶提拉法制备了Gd3+和Y3+不同比例的GYAP晶体，生长出透明，完整性好，光学性能好的GYAP晶体。用该晶体作为基质掺杂激活离子，其吸收光谱和荧光光谱具有较宽的半峰全宽，在社会生产、军事、医学、科学领域有重要的应用。
激光晶体制备激光晶体材料钙钛矿结构八面体层半峰全宽光学性能基质材料激活离子晶体材料科学领域社会生产随机分布无序结构吸收光谱斜方晶系荧光光谱单晶格位基质提拉掺杂透明生长医学军事应用

[发明专利]一种钪酸钆钇晶体及熔体法晶体生长方法-CN201711396801.4在审
发明人：彭方;马孙明;王晓梅;郭玉勇 -专利权人：苏州晶享嘉世光电科技有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： C30B29/24 文献下载
摘要：本发明公开一种钪酸钆钇晶体及其熔体法晶体生长方法，分子式可表示为Gd1‑xYxScO3(x＝0～1)，能够用Gd2O3、Y2O3、Sc2O3，或相应的钆、钇、钪的其他化合物进行配料，只要最终化合为Gd1‑xYxScO3即可；配制好的原料经充分混合、压制成圆饼，经高温烧结或不进行高温烧结，成为晶体生长的初始原料；生长初始原料放入坩埚加热完全熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其他熔体法来进行生长。Gd1‑xYxScO3单晶可用作外延材料薄膜的衬底材料或激光基质晶体。
一种钪酸钆钇晶体熔体法晶体生长方法

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