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[发明专利]一种双重容器材料生长装置及材料生长方法-CN202211149309.8有效
发明人： 李成明;李同权 -专利权人：聚勒微电子科技（太仓）有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种双重容器材料生长装置及材料生长方法。本发明的双重容器材料生长装置，包括耐压容器、外生长容器、内生长容器。外生长容器固定于耐压容器中，在外生长容器外侧包裹有加热装置。内生长容器可升降地设于外生长容器内。内生长容器内设有活动隔板，将内生长容器分隔成第一内腔和第二内腔。在第一内腔中固定有晶种支架，在内生长容器的一侧设有连通第一内腔与外生长容器的导流装置，在内生长容器的侧壁上还设有至少一个导流管，导流管连通第二内腔与外生长容器。本发明通过上述结构优化温场和流场在空间和时间上的分布，实现高效地生长品质量好的晶体。
一种双重容器材料生长装置方法

[发明专利]基于样本回放的序列推荐模型的持续学习方法-CN202110881540.5有效
发明人：杨敏;原发杰;王李翰;李成明;姜青山 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06F16/9535 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于样本回放的序列推荐模型的持续学习方法，涉及序列推荐技术领域,包括步骤一、构建序列推荐模型，利用初始数据对所述序列推荐模型进行训练；步骤二、基于物品类别平衡的样本选择策略对小部分具有代表性的范例样本进行采样；步骤三、对采样出来的范例样本进行软标签的计算与存储，以便参与下一次模型更新中参与蒸馏损失函数部分的计算；步骤四、利用所述序列推荐模型为用户提供准确的推荐服务，同时收集新周期内获得的新数据；步骤五、利用新周期内获得的新数据与之前存储的样本范例对所述序列推荐模型参数进行更新,有效解决了持续学习场景下使用神经网络序列推荐模型所面临灾难性遗忘的问题。
基于样本回放序列推荐模型持续学习方法

[发明专利]一种快/热中子同时探测的金刚石探测器的制备方法-CN202310804330.5在审
发明人：刘金龙;牟恋希;王鹏;杨良禾;郭明明;李建林;李成明;魏俊俊;陈良贤;张建军 -专利权人：北京科技大学;河南飞孟金刚石股份有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种快/热中子同时探测的金刚石探测器的制备方法，属于半导体技术领域，辐射探测器制备技术，涉及具有共格界面金刚石与六方氮化硼复合结构的中子探测器制备方法。具体包括如下步骤：a)“探测器级”单晶金刚石材料的制备及处理；b)具有共格界面的金刚石六方氮化硼复合结构的制备；c)分区域镀制不同材料的金属电极；d)将探测器各自封装到相应的检测系统中。本发明通过构建具有共格界面金刚石六方氮化硼结构的中子探测器，能够分别实现对于热中子和快中子的收集，降低金刚石中子探测器的暗电流，显著提高了中子探测效率。
一种热中子同时探测金刚石探测器制备方法

[发明专利]一种基于MQTT协议的自动配置的物联网系统-CN202310489613.5在审
发明人：李宜林;王进康;杨站文;李成明;郑力宁 -专利权人：河南大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H04L41/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MQTT协议的自动配置的物联网系统。该系统包括物联网终端、物联网网关、MQTT服务器和应用云端。物联网终端通过第一网络通信协议与物联网网关连接，并向物联网网关发送设备信息。物联网网关通过第二网络通信协议与MQTT服务器连接，并根据设备信息生成MQTT主题，并向MQTT服务器发布或订阅MQTT消息。MQTT服务器转发MQTT消息，并根据MQTT主题将MQTT消息分发给相应的订阅者。应用云端通过第三网络通信协议与MQTT服务器连接，并根据设备信息和业务需求，向物联网网关发送设备控制指令或数据共享指令。物联网网关根据设备控制指令或数据共享指令，从应用云端获取设备控制文件，并根据第一网络通信协议对物联网终端进行控制或数据共享。
一种基于 mqtt 协议自动配置联网系统

[发明专利]网络模型的训练方法、信息推送方法及相关装置-CN202011105734.8有效
发明人：杨敏;原发杰;刘夺;李成明;姜青山 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G06F16/9535 文献下载
摘要：本申请涉及计算机领域，公开了网络模型的训练方法、信息推送方法及相关装置。该训练方法包括：采用第一训练数据对网络模型进行训练，得到第一输出信息；对第一训练数据添加随机噪声，得到第二训练数据，采用第二训练数据对网络模型进行训练，得到第二输出信息；根据第一输出信息和第二输出信息，确定扰动信息；对第一训练数据或第二训练数据添加扰动信息，得到第三训练数据，采用第三训练数据对网络模型进行训练，得到第三输出信息；根据第三输出信息与预设输出信息之间的差异，调整网络模型的参数。通过上述方式，能够提升网络模型的鲁棒性和预测的准确性。
网络模型训练方法信息推送相关装置

[外观设计]化妆镜-CN202330297498.2有效
发明人： 李成明 -专利权人： 李成明
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： 06-07 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：化妆镜。2.本外观设计产品的用途：用于化妆、梳妆打扮的镜子。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状及可旋转伸缩的支架。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
化妆

[发明专利]一种循环式晶体生长装置及氮化镓晶体生长方法-CN202210963987.1有效
发明人： 李成明;李同权 -专利权人：聚勒微电子科技（太仓）有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种循环式晶体生长装置及氮化镓晶体生长方法。本发明提供的循环式晶体生长装置，包括反应腔、固定在反应腔内的反应容器、固定在反应腔内的延缓容器、可旋转地设置在反应腔内的回转支架；反应容器内设有固定装置，反应容器下方具有反应液流出口；延缓容器位于反应容器的上方，延缓容器下方具有将反应液导流至反应容器的反应液缓流管；回转支架上圆周分布有若干接收容器；转动至反应液流出口下方的接收容器盛接反应液后加热并转动至延缓容器上方释放反应液。采用该装置可以快速生长品质良好的晶体。本发明的氮化镓晶体生长方法基于上述装置，合理控制工艺参数，可以快速制得品质良好的氮化镓晶体。
一种循环晶体生长装置氮化方法

[发明专利]光束增强反射型薄膜-CN202310722654.4在审
发明人：李琳;雷登兵;朱瑞平;李成明;陈世洪 -专利权人：东莞市众嘉印刷有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02B5/12 文献下载
摘要：本发明公开一种光束增强反射型薄膜，包括基膜；所述基膜的一侧设置有分布式布拉格反射层；所述分布式布拉格反射层远离所述基膜的一侧设置有第一柔性膜；所述第一柔性膜远离所述分布布拉格反射层的一侧设置有第二柔性膜；所述基膜、分布式布拉格反射层、第一柔性膜和第二柔性膜通过胶黏剂依次叠合粘接；所述基膜的另一侧依次设置有增粘层、浸润胶层和增强出光微结构层。本发明通过分布布拉格反射层+增强出光微结构层的结构设计，一方面提高光的反射率，另一方面提高光的出射率，对于多层显示层，当深处的讯息发出光线时，分布布拉格反射层将有助于将对应波长的光反射出多层膜，再经由增强出光微结构层进行折射，提高反射膜的整体光反射率，提高深处的显示层的显示效果。
光束增强反射薄膜

[发明专利]一种新型倍频多种波长紫外固化装置及工艺-CN202310722704.9在审
发明人：李琳;雷登兵;朱瑞平;李成明;陈世洪 -专利权人：东莞市众嘉印刷有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B05D3/06 文献下载
摘要：本发明涉及固化工艺技术领域，特别是涉及一种新型倍频多种波长紫外固化装置及工艺，通过倍频现象，调节入射光的频率及波长，进而形成多种波长的混合光，不同波长的光能够进入压印胶不同的深度，提高不同厚度压印胶的固化效果；具体为设置有用于光准直的第一光准直板及第二光准直板，使得光线能够垂直射入压印胶，以便于进入到压印胶内部；此外还设有第一级倍频材料及第二倍频材料，进入第一级倍频材料，形成两种波长的混合光，进入第二级倍频材料，进一步形成形成三个波长混合光，多种波长的光分别进入压印胶不同深度进行固化，提高固化速率及固化效果。
一种新型倍频多种波长紫外固化装置工艺

[发明专利]SnAgCu系高温稳定焊料合金及其应用-CN202310449586.9在审
发明人：王小京;李成明;蔡珊珊;陈书锦;彭巨擘;王钦 -专利权人：江苏科技大学;云南锡业集团（控股）有限责任公司研发中心
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种SnAgCu系高温高热稳定焊料合金及其应用，该焊料合金包含能够取代Cu6Sn5化合物晶格上Cu原子的掺杂元素，提高焊点合金的过冷度，细化焊点组织；同时该掺杂元素能够部分取代Sn基合金/Cu焊点界面化合物Cu6Sn5晶格中Cu的位置，形成(Cu,掺杂元素)6Sn5化合物相，该相的形成会抑制焊点在热时效、服役过程中由Cu6Sn5相到Cu3Sn的转变，进而提高焊点的可靠性。该系列合金在170℃时效750h后，焊点的强度、延伸率以及断裂能指标均优于SAC305。所述焊料合金可用于陶瓷基板、车载电子等较为严苛的热、力学环境，具体可以为无铅焊料预成型件、焊粉、焊球、焊膏和焊点。
snagcu 高温稳定焊料合金及其应用

[发明专利]对抗网络架构的优化方法、图像描述生成方法和系统-CN201911073209.X有效
发明人：杨敏;刘俊浩;李成明;姜青山 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G06N3/045 文献下载
摘要：本申请涉及计算机技术领域，具体公开了一种对抗网络架构的优化方法、图像描述生成方法、系统、电子设备和装置，该方法包括以下步骤：构建对抗网络架构；藉由训练图像以对对抗网络架构进行对抗优化训练以得到优化后的对抗网络架构。通过上述方式，本申请能够解决相关技术所提供的图像描述生成方法存在生成质量较差的技术问题。
对抗网络架构优化方法图像描述生成系统

[发明专利]一种大尺寸金刚石功能结构件的制备与加工方法-CN202310690168.9在审
发明人：刘金龙;李淑同;叶盛;王鹏;栗正新;黄珂;苗建印;陈良贤;魏俊俊;张建军;李成明 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：一种大尺寸金刚石功能结构件的制备与加工方法，属于金刚石材料与加工领域。通过将多片金刚石焊接与激光雕刻成型，形成满足功能和结构应用的大尺寸金刚石材料，工艺步骤为：1、采用化学气相沉积的方法制备金刚石膜，再对满足力学与热学性能要求的金刚石膜进行切割、退火、研磨、抛光和清洗，金刚石膜研磨抛光后表面粗糙度0.1‑1.5m；2、在经过预处理后的金刚石表面沉积过渡层和焊接金属层；3、采用焊接技术对表面金属化后的金刚石膜进行组装焊接，焊接得到大尺寸金刚石复合材料；4、采用三维结构建模与激光加工成型相结合的方法对上述金刚石复合材料进行复杂结构的加工，实现三维结构的雕刻，满足功能结构件的装配要求。
一种尺寸金刚石功能结构件制备加工方法

[发明专利]一种具有纳米金刚石钝化层的TaN薄膜电阻器及其制备方法-CN202211163967.2有效
发明人：魏俊俊;王越;乔冠中;尹育航;周浩钧;陶洪亮;郑宇亭;李成明 -专利权人：北京科技大学;广东奔朗新材料股份有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明涉及氮化钽薄膜电阻器技术领域，特别是指一种具有纳米金刚石钝化层的TaN薄膜电阻器及其制备方法，包括以下步骤：S1、提供自支撑金刚石膜，并进行表面粗糙化处理，使得表面粗糙度整体达到Ra5nm以下；S2、将S1所得的自支撑金刚石膜放置于磁控溅射系统中，在其表面依次制备Ta和TaN薄膜；S3、将S2所得的样品在真空条件下加热到700‑800℃并保温50‑80min；S4、通过MPCVD，在S3所得的样品表面生长金刚石织构层；生长温度控制在800℃以内。本发明可降低界面热阻、提升TaN薄膜电阻的散热效果，而且纳米金刚石具有良好的机械性能和气密性能，能够抵御机械冲击及气体环境影响，耐磨耐腐蚀。
一种具有纳米金刚石钝化 tan 薄膜电阻器及其制备方法

[发明专利]一种制备高质量金刚石的气体循环系统及其使用方法-CN201811146959.0有效
发明人： 李成明;安康;陈良贤;贾鑫;魏俊俊;张建军;刘金龙 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：一种制备高质量金刚石的气体循环系统及使用方法，属于材料制备领域。气体循环系统包括直流喷射等离子体化学气相沉积系统、气体供给系统、尾气循环系统、气体纯化系统。气体供给系统为两台直流喷射等离子体化学气相沉积装置提供原料气。尾气循环系统可将沉积系统中的尾气抽出，并供给到由氢气提纯仪组成的气体纯化系统，尾气经过提纯之后分离出高纯氢气和含氩、碳元素的混合气，其中高纯氢气供给回沉积装置，含氩、碳尾气作为原料气供给到其中一台沉积装置中沉积热沉级金刚石，另一台沉积装置可以实现高纯气体的供给，沉积光学级金刚石膜。通过上述过程，实现高纯氢气的循环使用，既可满足高质量金刚石膜的制备需求，也可降低制备成本。
一种制备质量金刚石气体循环系统及其使用方法

[发明专利]一种在微结构衬底上沉积金刚石的方法-CN202210973814.8有效
发明人：魏俊俊;郝志恒;董春燕;杨志亮;刘金龙;陈良贤;李成明;高旭辉 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C16/511 文献下载
摘要：本发明涉及一种在微结构衬底上沉积金刚石的方法，特别是结构中包含热导率较高、凝聚系数较低的SiC，提供了一种通过调控微结构界面金刚石沉积速度而沉积出平整光滑的高质量金刚石层的方法。属于半导体技术和电子器件散热领域。本发明首先在抛光的硅衬底上镀制凝聚系数低的碳化硅薄膜；然后在碳化硅表面光刻显影实现图案化；然后通过ICP刻蚀制备微孔阵列；通过MPCVD沉积金刚石；最后对沉积的金刚石研磨抛光，使其表面平整化。该方法特别适用于集成电路、芯片等电子电器领域中对高效微通道散热的需求。
一种微结构衬底沉积金刚石方法

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