“外延薄膜材料”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2441354个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种低损耗的外延钛酸锶钡薄膜材料及其制备方法-CN202310690364.6在审
发明人：蒋书文;叶东瑾;聂鹏昊;张万里 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明属于功能材料技术领域，提供一种低损耗的外延钛酸锶钡薄膜材料及其制备方法，用以作为介质薄膜变容器的介质层材料。本发明基于磁控溅射方法在低失配衬底上以较高的衬底温度、较低生长速率制备得到钛酸锶钡薄膜，实现薄膜与衬底之间的外延生长关系，得到外延钛酸锶钡薄膜材料；所述外延钛酸锶钡薄膜材料具有(001)外延结构，比多晶结构的钛酸锶钡薄膜具有更大的介电常数；并且，外延钛酸锶钡薄膜材料具有缺陷少、外延质量高的优点；同时，外延钛酸锶钡薄膜材料在高频下具有低损耗特性；另外，本发明中外延钛酸锶钡薄膜材料的外延制备工艺采用射频磁控溅射工艺，能够实现钛酸锶钡薄膜的大面积和大批量制备
一种损耗外延钛酸锶钡薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种改善薄膜材料表面形貌的石墨舟及薄膜的生长方法-CN202211499166.3在审
发明人：黄晟;黄立;张冰洁;舒秀婷 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B19/06 文献下载
摘要：本发明属于薄膜材料的外延生长技术领域，具体涉及一种改善水平液相外延生长薄膜材料表面形貌的石墨舟及薄膜的生长方法，通过采用本发明提供的石墨舟以及外延薄膜的生长方法，能够消除水平液相外延制备薄膜材料过程中由于溶质对流以及汞压差异导致外延生长的薄膜材料出现宏观波纹缺陷，提高薄膜材料厚度以及组分的均匀性及平整度，改善探测器成像“鬼影”现象。
一种改善薄膜材料表面形貌石墨生长方法

[发明专利]双异质外延SOI材料及制备方法-CN200410098933.5无效
发明人：王启元;王俊;王建华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-16 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：一种双异质外延SOI材料，是基于半导体单晶衬底上制备的双异质外延绝缘层上硅材料，其特征在于，包括：一种半导体衬底；一绝缘薄膜，该绝缘薄膜制作在半导体衬底上；一外延薄膜，该外延薄膜制作在绝缘薄膜上，形成双异质外延SOI材料。
双异质外延 soi 材料制备方法

[发明专利]一种在石墨烯薄膜上剥离外延材料的方法-CN201410332170.X无效
发明人：赵云;王钢;魏同波;段瑞飞;孙连峰;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种在石墨烯薄膜上剥离外延材料的方法，包括以下步骤：步骤1、提供一表面有石墨烯薄膜的基底，所述石墨烯薄膜层数≥2，且所述石墨烯薄膜是直接生长于基底上或者是经过1次或多次转移到基底上的；步骤2、在所述石墨烯薄膜上直接外延生长材料；步骤3、剥离所述外延材料，所述剥离发生在石墨烯薄膜间或者是石墨烯薄膜与基底之间。本发明利用石墨烯薄膜完美的六元环结构，能够实现在石墨烯薄膜上直接外延生长材料并使外延材料剥离，为解决异质外延及当中剥离的难题提供了方案。
一种石墨薄膜剥离外延材料方法

[发明专利]一种用于碲镉汞薄膜材料的石墨舟和生长系统-CN202010966462.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：北京智创芯源科技有限公司
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于碲镉汞薄膜材料的石墨舟，包括具有至少两组水平液相外延组件的生长部件，水平液相外延组件逐层设置，每组水平液相外延组件均能够用于生长至少一片碲镉汞薄膜材料，相邻层间的水平液相外延组件相互连通对于大规模的碲镉汞薄膜材料，只需要在生长部件上增加水平液相外延组件的层数和单个水平液相外延组件能够生长碲镉汞薄膜材料的数量，便能够进一步提高碲镉汞薄膜材料的生长效率。此外，本发明还公开了一种用于碲镉汞薄膜材料的生长系统。
一种用于碲镉汞薄膜材料石墨生长系统

[发明专利]采用GaN纳米图形衬底同质外延制备GaN薄膜及方法-CN201510940416.6在审
发明人：袁国栋;王克超;张璐;吴瑞伟;王军喜;王国宏;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：一种采用GaN纳米图形衬底同质外延制备GaN薄膜及方法，其中采用GaN纳米图形衬底同质外延制备GaN薄膜，包括：一衬底材料层；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底材料层上；一GaN薄膜层，其制作在缓冲层上；一纳米尺寸同质外延层，其制作在GaN薄膜层上表面内；一GaN层，其制作在纳米尺寸同质外延层上。本发明可以提高氮化镓外延薄膜的质量。
采用 gan 纳米图形衬底同质外延制备薄膜方法

[发明专利]碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法-CN201210142488.2有效
发明人：孙瑞贇;杨建荣;魏彦锋;张传杰;孙权志;陈倩男;张娟;陈晓静 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C30B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法，其特征步骤如下：使原本背面残液不可使用的碲镉汞材料通过化学腐蚀和机械抛光的办法，在不影响材料质量的情况下得以正常使用。该装置和方法的优点是：整个过程中清洗干净的碲镉汞外延薄膜表面始终被光刻胶所保护，从而不会导致碲镉汞外延薄膜被污染和氧化，也不会因为接触硬物而导致划伤，保证外延薄膜的洁净与表面完美。此技术使原本不可用的外延薄膜经过处理后可以使用，同时也保证了外延薄膜的质量不受影响，从而大大提高了碲镉汞外延薄膜材料制备的成品率。
碲镉汞液相外延薄膜背面去除方法

[发明专利]一种厚膜图形化绝缘体上的硅材料的制备方法-CN03141886.4有效
发明人：董业民;程新利;陈猛;王曦;张峰 -专利权人：上海新傲科技有限公司
申请日： 2003-07-29 - 公布日： 2004-07-21 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提出了一种厚膜图形化SOI材料的制备方法，先采用SIMOX技术在体硅中注氧隔离形成薄膜图形化SOI材料，其特征在于然后利用CVD气相外延方法在衬底表层外延形成单晶硅薄膜、锗硅薄膜或砷化镓薄膜中的一种，或在锗硅薄膜上继续外延单晶硅形成应变硅的结构。具体工艺步骤包括4步：(1)在硅衬底上光刻阻挡离子注入的掩模；(2)离子注入；(3)高温退火；(4)CVD外延生长单晶硅薄膜、锗硅薄膜或砷化镓薄膜中的一种。外延层厚度通过沉积速率调节，其厚度为0.7～50μm。本发明所制备的厚膜图形化SOI材料为MEMS和MOEMS集成提供了衬底材料。
一种图形绝缘体材料制备方法

[发明专利]YB2单晶的用途-CN00133608.8无效
发明人：宋有庭;吴星;倪代秦 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2000-11-28 - 公布日： 2002-06-26 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及YB2单晶的用途,即作为外延GaN单晶薄膜的衬底材料。其步骤为利用熔盐籽晶提拉法或区熔法生长YB2单晶,经定向、切割、抛光制成以(0001)面为主表面的衬底,并在其上利用MOCVD或MBE技术外延生长GaN单晶薄膜。YB2作为外延GaN单晶薄膜的衬底材料,可降低外延生长GaN单晶薄膜的位错密度;晶体比较容易生长;且在外延温度下不会挥发污染外延真空室。
yb2 用途

[发明专利]一种通过范德华外延法探测薄膜挠曲电效应的装置及方法-CN202210368438.X有效
发明人：舒龙龙;王支国;柯善明;张振;舒胜文;饶郑刚;李纯纯 -专利权人：南昌大学
申请日： 2022-04-09 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过利用云母基氧化膜的范德华外延法探测薄膜挠曲电效应的装置及方法，该装置包括云母衬底、以云母衬底通过范德华外延法生长的薄膜材料、上下表面电极、位移端、信号采集器、固定端，其中薄膜材料与上下表面电极紧密连接，薄膜材料与电极以范德华外延法生长在云母衬底上，位移端在材料上表面电极上施加位移输出电荷，信号采集器输出端与电极连接。此种方式与传统的刚性薄膜衬底相比，柔性云母衬底与薄膜材料间以范德华力连接，没有刚性夹持作用，可以更好的探究薄膜材料的挠曲电效应。
一种通过范德华外延探测薄膜挠曲效应装置方法

[发明专利]一种外延钇掺杂铪基铁电薄膜材料及其生长方法-CN202211585099.7在审
发明人：毕磊;艾婉蕾;秦俊;邓龙江 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明属于材料领域，具体为一种外延钇掺杂铪基铁电薄膜材料及其生长方法。本发明以STO为衬底、LSMO为缓冲层，通过改变YHO的生长工艺调控同一衬底上YHO的外延取向，分别得到纯正交相(002)的外延钇掺杂氧化铪铁电薄膜材料以及同时含正交相(111)和正交相(002)的双取向YHO铁电薄膜材料。本发明所提供钇掺杂氧化铪铁电薄膜材料，通过特定工艺对YHO铁电薄膜材料进行取向控制，解决了外延钇掺杂铪基铁电薄膜仅能单取向生长在特定衬底导致应用受限的问题，有利于进一步探索其生长机理以及提升相应铁电器件的发展应用
一种外延掺杂铪基铁电薄膜材料及其生长方法

[发明专利]应力补偿的复合层可协变衬底及制备方法-CN02111895.7无效
发明人：黄风义 -专利权人：黄风义
申请日： 2002-05-31 - 公布日： 2003-12-17 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种制备外延晶体薄膜的方法，包括在衬底上形成应力补偿的复合层结构的可协变缓冲层，再在其上生长外延晶体的方法。其中复合层薄膜位于非晶层之上，复合层的两层薄膜材料的晶格常数分别大于和小于在其上生长的外延晶体的晶格常数。复合层通过晶体协变，两层薄膜将达到一个共同的晶格常数。适当选择复合层薄膜的材料，可以使共同的晶格常数匹配其上生长的外延薄膜。
应力补偿复合层可协变衬底制备方法

[发明专利]同时具有面内面外易磁化方向的磁性双层石榴石材料及其制备方法-CN201810112294.5有效
发明人：饶毅恒;张怀武;金立川;钟智勇;杨青慧;马博;吴玉娟 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01F41/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种同时具有面内面外易磁化方向的磁性双层石榴石材料及其制备方法，制备方法包括在钇铁石榴石薄膜基片上制备外延石榴石磁性薄膜的步骤；其中，钇铁石榴石薄膜基片和外延石榴石磁性薄膜的易磁化方向不同。本发明采用面内易磁化的石榴石磁性材料作为外延薄膜材料，并通过液相外延法、磁控溅射法或脉冲激光沉积法制备在钇铁石榴石薄膜基片上，从而增强YIG面外磁矩分量，最终制备得到同时具有面内面外易磁化方向的磁性双层石榴石材料
制备磁化方向钇铁石榴石薄膜石榴石材料内面石榴石磁性薄膜脉冲激光沉积外延薄膜材料磁化磁控溅射法液相外延法磁性材料石榴石外磁

[发明专利]透明外延p-n异质结薄膜及其制备方法-CN200910236143.1无效
发明人：焦兴利;王海峰;刘亲壮;吴文彬 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2009-10-20 - 公布日： 2010-04-21 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明外延p-n异质结薄膜及其制备方法。该薄膜，包括作为单晶衬底基片的SrTiO3和位于单晶衬底基片之上的LaxSr1-xSnO3外延薄膜及位于所述LaxSr1-xSnO3外延薄膜之上的下述两外延薄膜中的任意一种：PbZr0.52Ti0.48O3外延薄膜和BiFeO3外延薄膜；LaxSr1-xSnO3外延薄膜中，0.03≤x≤0.07。本发明提供的p-n异质结薄膜，各层薄膜均具有很好的单晶外延性且均为钙钛矿结构，不仅具有很好的整流特性，而且整个器件在光波长400-2500nm(p层为PZT)、500-2500nm(p层为BFO)范围内具有高的透过率；p层材料(PZT，BFO)同时也是铁电材料，其中BFO在具有铁电性的同时还具有反铁磁性，在半导体器件的应用中会有更大的潜力。
透明外延异质结薄膜及其制备方法

[发明专利]一种铌酸锂薄膜和磷化铟基光电外延片集成方法-CN202310283928.4在审
发明人：吴立枢;钱广;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种铌酸锂薄膜和磷化铟基光电外延片集成方法，包括以下步骤：样品准备：清洗自下而上包含衬底层、介质层和铌酸锂层的铌酸锂薄膜和自下而上包括磷化铟衬底层和磷化铟外延功能层的磷化铟基光电外延片；第一键合：使用临时粘合材料将磷化铟基光电外延片的磷化铟外延功能层正面与临时载片进行第一键合；衬底去除：去除磷化铟基光电外延片的衬底层；第二键合：将铌酸锂薄膜的铌酸锂层正面与磷化铟外延功能层的磷化铟外延功能层背面通过键合材料进行第二键合；分离临时材料：分离磷化铟外延功能层上的临时载片并去除临时粘合材料。本申请避免了铌酸锂薄膜上生长磷化铟外延片导致的晶格失配和缺陷密度高的问题。
一种铌酸锂薄膜磷化光电外延集成方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条